52, № 5 УДК 535.375.5 ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО И ЭЛЕМЕНТНОГО СОСТАВОВ НАНОСИСТЕМ GeSi МЕТОДОМ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА ПРИ ФЕМТОСЕКУНДНОМ ИМПУЛЬСНОМ ОТЖИГЕ∗ А. В. <...> Пирогова, 2 3Institute of Physics ASCR, reˇ a, 112/10 Анализ фазового и элементного составов гетероструктур GeSi, изготовленных на нетугоплавких подложках, проведён с помощью экспрессной и неразрушающей методики — спектроскопии комбинационного рассеяния света. <...> Показано, что применение импульсных лазерных отжигов позволяет варьировать элементный состав и размеры нанокристаллов, формируемых из твёрдых растворов германия и кремния. <...> Прогресс физики и технологии полупроводников связан с полупроводниковыми наногетероструктурами, среди которых наиболее перспективными являются квантовые точки [1–3]. <...> Квантовые точки на основе германия и кремния могут применяться как в детекторах, так и в источниках излучения [3, 4]. <...> Колебательный спектр наноструктур определяется их составом, размерами, формой, механическими напряжениями в системе [6–8]. <...> Задача данной работы—исследование фазового и элементного составов гетероструктур GeSi, которые получены по низкотемпературной технологии и могут быть масштабированы для создания структур большой площади в целях применения в широкоформатной микроэлектронике. <...> Плёнки аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H) были изготовлены методом плазмохимического осаждения из смеси моносилана (SiH4) и водорода (H2) при температуре 220 ◦С на нетугоплавких стеклянных подложках. <...> Толщина плёнок определялась временем осаждения, контролировалась по данным ∗Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проекты № 14-12-01037 и № 14-1200931). <...> Плёнки содержали около 25 ат. % водорода, что оценивалось согласно соотношению интенсивностей пиков комбинационного рассеяния света на колебаниях связей Si-H и Si-Si по методике, изложенной в [9]. <...> Поверх слоёв а-Si:H ex situ из ячейки Кнудсена со скоростью около 0,5 нм/мин осаждались плёнки аморфного германия <...>