, 20 E-mail: alla@isp.nsc.ru Предложена решёточная модель Монте-Карло формирования полупроводниковых наноструктур по механизму роста пар — жидкость — кристалл. <...> С её использованием промоделирован рост наноструктур GaAs методом капельной эпитаксии в диапазоне температур 500–600 K при потоках As2 с интенсивностью 0,005–0,04 МС/с. <...> Продемонстрирована зависимость морфологии формируемых структур от параметров роста. <...> Проведены исследования травления подложки GaAs галлиевой каплей. <...> Определены диапазоны температур и потоков мышьяка для формирования наноколец GaAs. <...> Проанализированы условия образования одинарных и двойных концентрических колец. <...> Методом капельной эпитаксии (КЭ) на основе соединений АIIIВV формируются наноструктуры с разной морфологией: квантовые точки [6, 7], квантовые кольца [8–14] и наноотверстия [15, 16]. <...> Одним из главных достоинств метода капельной эпитаксии является возможность создавать 3D-наноструктуры на основе материалов с рассогласованными [17, 18] и согласованными параметрами кристаллических решёток [6, 19]. <...> Капельная эпитаксия используется для построения наноструктур со сложной морфологией [20, 21]. <...> В последние годы появились работы, посвящённые локальному капельному травлению (ЛКТ) [22, 23], основанному на методе КЭ. <...> Травление подложки каплями галлия позволяет формировать шаблоны для гетеророста [15, 24]. <...> В [25] анализировалась роль мышьяка при травлении GaAs(001) каплями галлия. <...> Особый интерес вызывают квантовые кольца, так как на их основе можно изготовить солнечные элементы и фотодетекторы [2, 26]. <...> Большое количество работ посвящено механизмам формирования таких колец методом КЭ [12, 27–32]. <...> Однако двойные кольца могут быть образованы в едином ростовом процессе при неизменных температуре и потоке мышьяка [8, 9, 14, 27]. <...> В [30, 31] предложена аналитическая модель формирования концентрических колец, позволяющая оценивать температуру подложки и давление мышьяка, необходимые для образования двойных и одиночных колец. <...> В этих <...>