ЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.397 Попов В.В., канд. техн. наук, президент, ОАО «Светлана» Вьюгинов В.Н., канд. физ.-мат. наук, директор, ЗАО «Светлана -Электронприбор» Гудков А.Г. , д-р техн. наук, профессор МГТУ им. <...> Н.Э. Баумана Травин Н.К., вед. инженер- технолог, ЗАО «Светлана -Электронприбор» ПРОГНОЗИРОВАНИЕ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ ИС СВЧ НА ЭТАПАХ РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА Часть 61. <...> Технология механической обработки поверхности подложек карбида кремния Проведен анализ рынка и выбрано оборудование для двусторонней шлифовки и полировки подложек полуизолирующего карбида кремния политипа 6Н диаметром 3 дюйма. <...> Достигнутые в работе параметры прогиба и коробления подложек не превышают 5 мкм, разброс по толщине не превышает 1 мкм, а шероховатость поверхности после двусторонней полировки находится в пределах 1ч2 нм. <...> FORECASTING OF INTEGRAL SCHEMES OF MICROWAVE FREQUENCY QUALITY AND RELIABILITY AT THE DEVELOPMENT AND MANUFACTURE STAGES Part 61. <...> The mechanical surface processing technology of SiC wafers V.V. <...> Travin, Leading Engineer, CJSC «Svetlana-Semiconductors» In this article, the market analysis was performed and the equipment for double side lapping and polishing of semi-insulating 6H polytype 3-inch SiC wafers was selected. <...> The parameters of wafer bow and warp, obtained in the research, are less than 5 microns, the TTV was found to be less than 1 micron, and the surface roughness after double side polishing is in the range of 1ч2 nm. <...> Разработка базовой технологии выращивания монокристаллов полуизолирующего карбида кремния (SiC) [1] и технологии резки этих монокристаллов на пластины [2] в ЗАО «Светлана-Электронприбор» дали возможность приступить к разработке технологии механической обработки поверхности после резки для создания технологии производства подложек. <...> Изучение рынка оборудования для механической обработки поверхности таких твердых материалов, каким является SiC, выявило наличие предложений на оборудование двух групп <...>