Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635836)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Машиностроитель  / №9 2016

ПЕРСПЕКТИВЫ ПРИМЕНЕНИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ GAN СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ (295,00 руб.)

0   0
Первый авторВьюгинов
АвторыГудков А.Г., Добров В.А., Маржановский И.Н., Толокнов Ю.О., Хакимов Р.Р.
Страниц3
ID478795
АннотацияРассмотрена проблема изготовления GaN МИС СВЧ переключателей. Представлены приемопередающие модули на основе GaN СВЧ МИС для S, К- диапазонов
ПЕРСПЕКТИВЫ ПРИМЕНЕНИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ GAN СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ / В.Н. Вьюгинов [и др.] // Машиностроитель .— 2016 .— №9 .— С. 53-55 .— URL: https://rucont.ru/efd/478795 (дата обращения: 15.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Баумана ПЕРСПЕКТИВЫ ПРИМЕНЕНИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ GAN СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ Рассмотрена проблема изготовления GaN МИС СВЧ переключателей. <...> Представлены приемопередающие модули на основе GaN СВЧ МИС для S, К- диапазонов. <...> Viyginov V.N., Candidate of Physical and Mathematical Sciences, headmaster of CJSC «Svetlana-Electronpribor», Gudkov A.G., Grand Ph.D., professor of MSTU n.a. <...> Bauman, Dobrov V.A., head of department, CJSC «Svetlana-Electronpribor», Marjanovsky I.N., student of MSTU n.a. <...> Bauman, Toloknov J.O., senior lecturer, Bauman Moscow State Technical University Hakimov R.R., student of MSTU n.a. <...> Bauman PROSPECTS OF SOLID-STATE MICROWAVE SWITCHES GAN USING The problem of GaN MMIC switches manufacturing are considered. <...> The transceiver modules based on the GaN microwave monolithic integrated versions for S, K ranges. <...> Основные ожидания, связанные с мощной электроникой, относятся к МИС на основе кристаллов GaN, технологии роста которых бурно развивались за последнее десятилетие [1, 2]. <...> Разработаны мощные СВЧ усилители [3] и малошумящие усилители [4] на основе GaN. <...> Требуются высоконадежные СВЧ МИС приемопередающих модулей, работающие с десятками/сотнями ватт СВЧ мощности для космических систем связи, для РЛС с АФАР, для базовых станций. <...> Показано, что наиболее перспективной технологией для объединения на одном кристалле мощного СВЧ усилителя, малошумящего усилителя и СВЧ переключателя является именно GaN технология [5,6], поскольку не требуются схемы защиты входа приемника благодаря высокой устойчивости GaN НЕМТ к перегрузкам. <...> Известно много попыток изготовить GaN МИС СВЧ переключатели[7], но наибольшего успеха добилась в 2010 году фирма TriQuint Semiconductor [8]. <...> Были изготовлены три типа SPDT переключателей по схеме, представленной на Рисунке 1. <...> 9 Данная схема обеспечивает функционирование в трех диапазонах частот: от постоянного тока до 6 ГГц, переключая сигналы мощностью до 40 Вт при вносимых потерях до 0,7 дБ и изоляции 30 дБ на частоте 6 ГГц; от постоянного тока до 12 ГГц, переключая сигналы мощностью <...>