ЭЛЕКТРОНИКА М Волков В.В., начальник отдела ЗАО «Светлана-Электронприбор» Вьюгинов В.Н., канд. физ-мат. наук, директор ЗАО «Светлана-Электронприбор» Грозина М.И., инженер-конструктор 2-й кат. <...> ЗАО «Светлана-Электронприбор» Добров В.А., начальник отдела ЗАО «Светлана-Электронприбор» Зыбин А.А., начальник лаборатории ЗАО «Светлана-Электронприбор» Кузьмичев Ю.С., начальник лаборатории ЗАО «Светлана-Электронприбор» Гудков А.Г., д-р техн.наук, профессор, МГТУ им. <...> Баумана Шашурин В.Д., д-р техн.наук, профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. <...> Баумана ОБЗОР КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ И МЕТРОЛОГИЧЕСКИХ ОСОБЕННОСТЕЙ РАЗРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ДЛЯ МОЩНЫХ НИТРИДНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В представленном обзоре обобщенны и проанализированы основные свойства полупроводниковых пластин с эпитаксиальными нитридными гетероструктурами, на базе которых изготавливаются мощные GaN НЕМТ транзисторы. <...> Ключевые слова: GaN НЕМТ, тепловое сопротивление, гетероструктуры AlGaN/GaN Volkov V.V., head of department, CJSC «Svetlana-Electronpribor», Вьюгинов В.Н., к.ф-м.н, директор ЗАО «Светлана-Электронприбор» Grozina M.I., design engineer of the second category, CJSC «Svetlana-Electronpribor», Dobrov V.A., head of department, CJSC «Svetlana-Electronpribor», Zybin A.A., head of the laboratory, CJSC «Svetlana-Electronpribor», Kyzmichev U.S., head of the laboratory, CJSC «Svetlana-Electronpribor», Savin A.M., head of the laboratory, JSC «Svetlana», Chizhilov S.V., student MSTU n.a. <...> D., doctor of technical Sciences, Professor, head of the Department «Technology of instrument-building», Bauman Moscow State Technical University THE REVIEW OF STRUCTURALLY - TECHNOLOGICAL AND METROLOGICAL FEATURES OF THE DEVELOPMENT OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES FOR HIGH- NITRIDE TRANSISTORS In this review, authors compile and analyze the basic properties of semiconductor wafers with epitaxial nitride heterostructures on which base powerful GaN HEMT transistors are made . <...> Keywords: GaN HEMT , the thermal resistance of the heterostructure AlGaN / GaN За последнее десятилетие нитрид-галлиевые мощные транзисторы перешли из разряда <...>