ЭЛЕКТРОНИКА М Волков В.В., начальник отдела ЗАО «Светлана-Электронприбор» Вьюгинов В.Н., канд. физ.-мат. наук, директор ЗАО «Светлана-Электронприбор» Грозина М.И., инженер-конструктор 2-й кат. <...> ЗАО «Светлана-Электронприбор» Добров В.А., начальник отдела ЗАО «Светлана-Электронприбор» Зыбин А.А., начальник лаборатории ЗАО «Светлана-Электронприбор» Кузьмичев Ю.С., начальник лаборатории ЗАО «Светлана-Электронприбор» Савин А.М., начальник лаборатории ОАО «Светлана» Гудков А.Г., д-р техн. наук, профессор, МГТУ им. <...> Баумана КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ И МЕТРОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ РАЗРАБОТКИ МОЩНЫХ НИТРИДНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ЗАО «СВЕТЛАНА-ЭЛЕКТРОНПРИБОР» Представлена стратегия разработки нитридного транзистора в ЗАО «Светлана-Электронприбор». <...> Показано практическое взаимодействие ЗАО «Светлана-Электронприбор» с ведущими вузами страны: СПбГПУ, ЛЭТИ (Санкт-Петербург) и МИЭТ (Москва). <...> Приведены первые результаты по созданию мощного нитридного транзистора. <...> Ключевые слова: GaN НЕМТ, процесс контроля, гетероструктура AlGaN/GaN Volkov V.V., head of department, CJSC «Svetlana-Electronpribor», Viyginov V.N., Candidate of Physical and Mathematical Sciences, headmaster of CJSC «SvetlanaElectronpribor», Grozina M.I., design engineer of the second category, CJSC «Svetlana-Electronpribor», Dobrov V.A., head of department, CJSC «Svetlana-Electronpribor», Zybin A.A., head of the laboratory, CJSC «Svetlana-Electronpribor», Kyzmichev U.S., head of the laboratory, CJSC «Svetlana-Electronpribor», Savin A.M., head of the laboratory, JSC «Svetlana», Gudkov A.G., Grand Ph.D., professor of MSTU n.a. <...> Bauman STRUCTURALLY - TECHNOLOGICAL AND METROLOGICAL FEATURES OF POWERFUL NITRIDE TRANSISTORS DEVELOPMENT BY CJSC « SVETLANA - ELEKTRONPRIBOR» The strategy for of development of nitride transistor by CJSC « Svetlana - Elektronpribor « are presented. <...> The practical cooperation CJSC « Svetlana - Elektronpribor « with the leading universities of the country: STU , LETI (St. <...> Keywords: GaN HEMT, process control monitors, heterostructure AlGaN / GaN В настоящее время в ЗАО «Светлана-Электронприбор» проводятся работы по созданию собственного GaN НЕМТ. <...> При разработке нитридного транзистора был учтен мировой опыт, который <...>