Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 582373)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Контроль. Диагностика  / №11 2012

КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ В ПРОЦЕССЕ ИХ ТЕРМООБРАБОТКИ (210,00 руб.)

0   0
Первый авторДохтуров
АвторыЮрченко В.И., Юрченко А.В.
Страниц3
ID464747
АннотацияОписан процесс импульсной термообработки омических контактов к полупроводниковым структурам с контролем сопротивления непосредственно в процессе термообработки. Предложено дополнить технологию импульсной термообработки оптическим методом контроля поверхности омических контактов
УДК621.383
Дохтуров, В.В. КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ В ПРОЦЕССЕ ИХ ТЕРМООБРАБОТКИ / В.В. Дохтуров, В.И. Юрченко, А.В. Юрченко // Контроль. Диагностика .— 2012 .— №11 .— С. 29-31 .— URL: https://rucont.ru/efd/464747 (дата обращения: 23.05.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

В.В. Дохтуров, В.И. Юрченко, А.В. Юрченко «Контроль параметров омических контактов в процессе их термообработки» Библиографический список 1. <...> Динамическое и статическое уравновешивание гироУДК 621.383 В.В. Дохтуров, В.И. Юрченко (ОАО «НИИПП», Томск); А.В. Юрченко (Национальный исследовательский томский политехнический университет) E-mail: niipp24@mail.ru КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ В ПРОЦЕССЕ ИХ ТЕРМООБРАБОТКИ Описан процесс импульсной термообработки омических контактов к полупроводниковым структурам с контролем сопротивления непосредственно в процессе термообработки. <...> Предложено дополнить технологию импульсной термообработки оптическим методом контроля поверхности омических контактов. <...> The process of heat treatment of pulsed ohmic contacts to semiconductor structures to control the resistance directly in the process of heat treatment. <...> Proposed to add the technology of pulsed thermal processing using an optical method for monitoring surface ohmic contacts. <...> Современные тенденции развития микро-, наноэлектроники, состоящие в уменьшении топологических размеров активных элементов полупроводниковых приборов, требуют адекватного совершенствования технологических процессов и систем контроля за их параметрами. <...> Омические контакты (ОК) являются важнейшим элементом полупроводниковых приборов, и их качество в значительной мере определяет эксплуатационную устойчивость и надежность изделий. <...> Наиболее важными параметрами ОК, определяющими его качество, являются [2]: 1) величина поверхностного сопротивления; 2) морфология поверхности ОК. <...> Морфология поверхности ОК должна быть однородной, не ниже 9–10 класса шероховатости, чтобы обеспечить качество на последующей операции УЗ-сварки. <...> Величина приведенного поверхностного сопротивления должна быть минимальной для обеспечения требуемых электрофизических параметров полупроводниковых приборов – прямое напряжение, быстродействие и др. <...> Большое влияние оказывает и вид термической обработки: традиционная обработка в печах или импульсная термообработка ИК-лампами или другими <...>