Фоточувствительные эпитаксиальные пленки PbSei_.YTeA<Ga> (10,00 руб.)

Barkhalov H. M. Abdullayev Institute of Physics, NAS of Azerbaijan 33 H. Javid, Baku, AZ1143,Azerbaijan E-mail: afin@aport2000.ru The results of research of epitaxial films of PbS1-x<Ga> (NGa 0.8 t. %) received on dielectric substrates F2 (111) and manufacturing of photosensitive elements on their basis have been presented. <...> Isoperiodicity of crystal lattices and proximity of the thermal expansion factors for a substrate and grown PbS1-xx ( = 0.2) films has enabled us to reception the films with perfect structure and high electric parameters. <...> On the basis of the received films elements have been made which are photosensitive in the 3—5 m range of the spectrum. <...> The photosensitivity maximum corresponds to max = 5 m. <...> Проведено исследование эпитаксиальных иленок PbSej.xTex<Ga>, полученных на диэлектрических подложках BoF* Изопериодичность кристаллических решеток и близость коэффициентов термического расширения подложки и выращенных пленок PbSej_xTex (х = 0,2) дали возможность получения пленок с совершенной структурой и высокими электрическими параметрами. <...> Изготовлены элементы, фоточувствительные в области спектра 3—5 мкм при 77 К. <...>