Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635050)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Прикладная физика  / №1 2012

Исследование факторов, определяющих анизотропность ионно-лучевого травления напыленного слоя индия (10,00 руб.)

0   0
Первый авторСеднев
АвторыБолтаръ КО., Мезин Ю.С., Климанов Е.А., Шаранов Ю.П.
Страниц4
ID461633
АннотацияПроведено исследование факторов, влияющих на процесс ионно-лучевого травления пленок индия толщиной 5—12 мкм с маской фоторезиста для формирования микроконтактов БИС считывания и матриц фоточувствительных элементов в технологии матричных инфракрасных фотоприемников. При определенных условиях остаются недотравлен-ные области индия конусообразной формы. Обсуждается влияние переосаждения распыленного материала, взаимодействие индия с фоторезистивной маской и профиля фоторе зиста на окончательную форму травления
УДК621.315.51
Исследование факторов, определяющих анизотропность ионно-лучевого травления напыленного слоя индия / М.В. Седнев [и др.] // Прикладная физика .— 2012 .— №1 .— С. 86-89 .— URL: https://rucont.ru/efd/461633 (дата обращения: 07.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Kaminsky M. Atomic and Impact Phenomena on Metal Surfaces. — New York: Academic, 1965. 2. <...> Factors determinating anisotropy of ion beam etching for the sputtered in layer M. V. Sednev, K. O. Boltar, Yu. <...> P. Sharonov Orion R&P Association, 46/2 Enthusiasts road, Moscow, 111123, Russia E-mail: orion@orion-ir.ru Investigated are factors influencing on ion-beam etching process for 5—12 m indium film Not-etched areas of indium with the cone-shape form are remained after the process. <...> The influence of sprayed material redeposition, the indium interaction with photoresist mask and profile of the photoresist on final etching form are discussed. <...> Проведено исследование факторов, влияющих на процесс ионно-лучевого травления пленок индия толщиной 5—12 мкм с маской фоторезиста для формирования микроконтактов БИС считывания и матриц фоточувствительных элементов в технологии матричных инфракрасных фотоприемников. <...> Обсуждается влияние переосаждения распыленного материала, взаимодействие индия с фоторезистивной маской и профиля фоторе зиста на окончательную форму травления! <...>