Выведена формула относительной плотности тока при ионизации газовых включений в диэлектрике, которая объясняет увеличение диэлектрических потерь, уменьшение результирующей диэлектрической проницаемости и электрической прочности. <...> Показано, что с увеличением размеров газовых включений значение тока ионизации уменьшается, зависимость электрического поля от напряженности становится пологой кривой, насыщение наступает при меньших значениях Е. <...> Исследуется явление неполного пробоя стекла за счет ионизации воздушных включений, выведена формула для пробивной напряженности Епр при разрушении стекла по микротрещинам, рассчитаны значения Епр для многих неорганических материалов, щелочно-галоидных соединений, стекол. <...> Рассматривается явление электрического упрочнения диэлектриков в магнитном поле. <...> Магнитное поле уменьшает ток ударной ионизации и увеличивает электрическую прочность. <...> Влияние магнитного поля зависит от подвижности носителей заряда, поэтому электрическое упрочнение должно наблюдаться в материалах с большой подвижностью зарядов! <...>