The electrical characteristics of MIS-structures based on HES HgCdTe MBE with non-uniform distribution of composition A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh DSD "SPTI TSU", 1 Novosobornaya str., Tomsk, 634050, Russia E-mail: vav@elefot.tsu.ru V. V. Vasil'ev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, Yu. <...> G. Sidorov, M. V. Yakushev IPS SB RAS, 13 Lavrent'eva av., Novosibirsk, 630090, Russia E-mail: ifp@isp.nsc.ru The photoelectric and electro-physical characteristics of MIS structures based on hetero-epitaxial HgCdTe MBE with non-uniform composition of were experimentally investigated. <...> It is shown that the increase of the composition of at surface leads to an increase in the differential resistance of the space charge region for the MIS structures based on p-Hg0.78Cd0.22Te. <...> The greatest influence of regions with sharply higher composition of Cd on the electrical characteristics of MIS structures based on n-Hg0.7Cd0.3Te appears at the location of these regions near the boundary of the insulator-semiconductor. <...> Экспериментально исследованы фотоэлектрические и электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиальной структуры (ГЭС) HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава CdTe. <...> Показано, что увеличение состава CdTe на поверхности приводит к увеличению дифференциального сопротивления области пространственного заряда для МДП-структур на основе p-HgojsCdo^Te. <...> Наибольшее влияние периодических барьерных областей с резко повышенным составом CdTe на электрические характеристики МДП-структур на основе n-Hgo^yCdojTe проявляется при расположении этих областей вблизи границы раздела диэлектрик—полупроводник! <...>