Прикладная физика № 3, 2012 УДК 621.382.2; 621.396.621.57 Детекторные диоды Шоттки с пониженной высотой барьера на основе структур кремния, легированных сурьмой В. Р. Закамов, Ю. И. Чеченин Рассмотрена возможность получения низкобарьерных контактов Шоттки на n-типе кремния за счет выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии сильно легированного приповерхностного слоя (толщиной около 4 нм). <...> Получены омические контакты и низкобарьерные контакты с дифференциальным сопротивлением 1—2 кОм. <...> Опробован способ частичного стравливания высоколегированного поверхностного слоя ионами аргона для получения барьера Шоттки. <...> Наиболее простыми являются детекторы на основе выпрямляющих полупроводниковых структур, включая барьер Шоттки. <...> Для обеспечения высокой чувствительности детекторных диодов нужно уменьшать эффективную высоту выпрямляющего барьера (p-n-перехода) и не использовать постоянное смещение. <...> Это упрощает конструкцию детектора и приводит к снижению уровня шумов диодов (типа 1/f и др.) <...> . Известны первые кристаллические кремнивые детекторы с прижимным контактом [2]. <...> Они отличались высокой чувствительностью, но главным их недостатком является нестабильность прижимного контакта. <...> Сегодня в качестве кремниевых диодов с пониженной высотой барьера предлагается использовать гетероструктуры Si/SiGe [3] или контакты с силицидом эрбия и других лантоноидов [4]. <...> Для диодов на основе других полупроводников для понижения барьера с металлическим контактом проводят сильное легирование приповерхностной области полупроводника [5], предлагаются диоды с объемным барьером [6], туннельные диоды [7] и гетероструктуры полуметалл— полупроводник ErAs/GaAs [8]. <...> Статья поступила в редакцию 15 августа 2011 г. © Закамов В. Р., Чеченин Ю. И., 2012 Однако детекторные диоды на основе кремния являются более привлекательными для массового применения, поскольку существует возможность их интеграции в системы обработки. <...> Поэтому в данной работе рассматривается <...>