54 УДК 621.383 Матрицы p-i-n-фотодиодов из AlGaN ультрафиолетового диапазона спектра К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, А.М. Филачев, В.В. Сало, Н.И. Яковлева Исследованы матрицы чувствительных элементов на основе p–i–n-фотодиодов из AlGaN формата 320Ч256 элементов с шагом 30 мкм и размером фоточувствительной площадки 20Ч20 мкм 2 A, а сопротивление более 1012 Ом·см. для подтверждения возможности создания матричных ультрафиолетовых фотоприемных устройств. <...> Темновые токи, измеренные между разделенными элементами в мезаструктуре, составили менее 10–13 PACS: 42.79. <...> Dw Ключевые слова: AlGaN, GaN, ультрафиолетовый спектральный диапазон, гетероэпитаксиальные структуры, p–i–n-фотодиод, матрица фоточувствительных элементов, матричное фотоприемное устройство, МФПУ. <...> Высокий уровень фона вследствие засветки солнечным излучением, тепловое излучение Земли, а также тепловой нагрев элементов конструкции прибора существенно влияют на характеристики ИК-прибора. <...> Статья поступила в редакцию 27 ноября 2013 г. © Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Филачев А.М., Сало В.В., Яковлева Н.И., 2013 . , Сало Владимир Васильевич, советник генерального директора 1 зволяет точно идентифицировать цель на уровне помех, существенно повысить разрешающую способность системы, обусловленную более короткой длиной волны, наблюдать ультрафиолетовые источники света, которые не излучают в других спектральных диапазонах [1─4]. <...> Приборы, основанные на нитридных соединениях, привлекательны благодаря высоким напряжениям пробоя и высоким скоростях носителей заряда, что приводит к возможности быстрого преобразования оптического сигнала в электрический при высоких температурах детектирования [10, 11]. <...> Наиболее перспективными фотоприемными устройствами считаются матрицы р─i─n-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных соединений (ГЭС) AlGaN/GaN, позволяющие реализовать наибольшие значения обнаружительной способности и вольтовой чувствительности в заданном спектральном диапазоне. <...> Гетероэпитаксиальные <...>