Прикладная физика, 2014, № 3 УДК 621.383.4 Фотоэлектрическая связь ультрафиолетового матричного фотоприемного устройства на основе гетероструктур AlGaN М.Е. <...> Кононов, А.В. Полесский, К.А. Хамидуллин Приведены результаты измерения фотоэлектрической связи матричного фотоприемного устройства ультрафиолетового диапазона спектра, созданного в ОАО «НПО «Орион». <...> Фотоприемное устройство изготовлено на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN на подложке GaN с помощью разделения верхних эпитаксиальных слоев на мезаобласти. <...> Измерения показали нетривиальный результат – отрицательную величину коэффициента фотоэлектрической связи, то есть падение уровня темнового сигнала на некоторых фоточувствительных элементах, окружающих засвечиваемый элемент. <...> Pw Ключевые слова: AlGaN, GaN, фотоэлектрическая связь, ультрафиолетовый диапазон, УФ диапазон, ультрафиолетовый фотоприемный модуль, матрица фоточувствительных элементов. <...> Введение Фотоэлектрическая связь в многоэлементных фотоприемных устройствах выражается в появлении сигнала на фоточувствительном элементе при засветке соседнего. <...> Величина фотоэлектрической связи определяется коэффициентом фотоэлектрической связи, а именно, отношением напряжения сигнала с необлученного элемента к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики [1]. <...> Появление фотоэлектрической связи ведет к падению качества изображения, которое проявляется в ухудшении модуляционной передаточной функции (МПФ) [2, 3]. <...> В ОАО «НПО «Орион» было разработано матричное фотоприемное устройство на основе гетероструктур AlGaN/GaN формата 320Ч256 для ультрафиолетового диапазона спектра с размером фоточувствительного элемента 20 мкм и шагом 30 мкм [4], предназначенное для систем визуализации, пеленгации и селекции целей. <...> Матрица фотодиодов была сформирована с помощью разделения верхних эпитаксиальных слоев на мезаобласти [5]. <...> Целью данной <...>