76 УДК 621.315.592 Многофункциональные фотоприемники на основе кристаллов n-InSe А. Ш. Абдинов, Н. М. Мехтиев, Р. Ф. Бабаева, Р. М. Рзаев Экспериментально исследованы зависимости основных параметров и характеристик собственной фотопроводимости от различных факторов в монокристаллах моноселенида индия (n-InSe). <...> Показано, что полученные экспериментальные результаты могут удовлетворительно объясняться на основе частичной неупорядоченности кристаллов этого полупроводника и позволяют рекомендовать их в качестве подходящего материала для создания многофункциональных фотоприемников света — фоторезисторов со свойством фотоэлектрической памяти и накопления воздействия последовательных слабых световых сигналов. <...> Введение других уникальных свойств [1, Моноселенид индия InSe, помимо своих 2], привлекает внимание исследователей также как полупроводник, в котором наблюдается весьма разнообразные уникальные фотоэлектрические явления (остаточная, аномальная и отрицательная фотопроводимости, индуцированные примесные фотоэффекты, аддитивное накопление созданных воздействием последовательных слабых световых сигналов фотоэлектрической памяти и т. п.) <...> Несмотря на обладание такими разнообразными фотоэлектрическими свойствами, вопрос о собственной фотопроводимости этого полупроводника оказывается не менее интересным и перспективным, а потому нуждающийся в подробном экспериментальном исследовании. <...> Е-mail: Babaeva-Rena@yandex.ru Статья поступила в редакцию 27 октября 2014 г. © Абдинов А. Ш., Мехтиев Н. М., Бабаева Р. Ф., Рзаев Р. М., 2014 В данной работе с целью выявления новых особенностей собственной фотопроводимости и возможностей создания многофункциональных фотоприемников света на основе этого полупроводника нами экспериментально исследованы зависимости основных параметров и характеристик собственной фотопроводимости кристаллов n-InSe от внешних и внутрикристаллических факторов. <...> Экспериментальные результаты <...>