Прикладная физика, 2015, № 3 УДК 621.383:621.315.5 Исследование фотоэлектрической взаимосвязи элементов матричных ФП на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs М. В. <...> Седнев, К. О. Болтарь, Н. А. Иродов, С. С. Демидов Представлены результаты исследований фотоэлектрической взаимосвязи элементов в матрицах ФЧЭ на основе различных гетероэпитаксиальных структур с поглощающим слоем InGaAs. <...> Матрицы ФЧЭ изготовлены по разным технологиям: а — планарная, б — мезатехнология, в — мезапланарная на nB(Al0,48In0,52As)p-структурах. <...> Показано, что в матрицах, изготовленных по мезапланарной технологии на nB(Al0,48In0,52As)p-структурах успешно сочетаются малые темновой ток и фотоэлектрическая взаимосвязь. <...> Ci Ключевые слова: фотоэлектрическая взаимосвязь, матричные фотоприемные устройства (МФПУ), InGaAs, гетероэпитаксиальные структуры. <...> Актуальной задачей является создание матричных фотоприемных устройств (МФПУ) ближнего инфракрасного диапазонов спектра на эпитаксиальных слоях InхGa1-хAs/InP мегапиксельного формата [1, 2]. <...> Традиционно в МФПУ используются матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ), изготовленные по планарной технологии и освещаемые со стороны подложки (рис. <...> МФЧЭ на основе мезатехнологии привлекательны малой фотоэлектрической взаимосвязью соседних пикселей, поскольку объемы, генерирующие фототок при освещении, разделены (рис. <...> Это достоинство приборов на основе фотодиодных мезаструктур особенно привлекательно при использовании технологии перевернутого кристалла (освещение со стороны подложки), так как отражение принимаемого излучения от поверхности V-образных канавок, формирующих фоточувСеднев Михаил Васильевич, начальник участка1. <...> Статья поступила в редакцию 18 мая 2015 г. © Седнев М. В., Болтарь К. О., Иродов Н. А., Демидов С. С., 2015 ствительные элементы, может улучшать пороговые характеристики МФПУ. <...> В то же время широкие канавки могут уменьшить фоточувствительную площадь отдельного фотодиода. <...> In Si3N4 Me ni In In Si3N4 p+ p+ Обедненная <...>