Прикладная физика, 2015, № 5 УДК 621.315.592 Приемники ИК-излучения на основе моноселенида галлия А. Ш. Абдинов, С. И. Амирова, Р. Ф. Бабаева, Н. А. Рагимова Экспериментально изучены отрицательная фотопроводимость и инфракрасное гашение собственной фотопроводимости в чистых и легированных редкоземельными элементами монокристаллах моноселенида галлия (p-GaSe). <...> Показано, что оба явления в этом полупроводнике обусловлены наличием в его запрещенной зоне двух типов рекомбинационных центров — быстрых и медленных, а их запоминающий характер связан с пространственной неоднородностью материала. <...> Предполагается возможность создания на основе чистых и легированных кристаллов p-GaSe различного типа инфракрасных фоторезисторов. <...> Введение Регистрация слабого инфракрасного (ИК) излучения является одной из основных проблем фотоэлектроники. <...> При наличии фонового излучения этот вопрос еще больше усложняется, и при этом применение обычных фоторезисторов, принцип работы которых опирается на изменение проводимости полупроводника под действием света, значительным образом ограничивается. <...> Все сказанное требует расширение поиска новых полупроводниковых материалов и принципиально новых методов для создания фотоприемников, способных регистрировать слабое ИК-излучение. <...> Анализ существующих к настоящему времени научных работ позволяет сказать, что одним из перспективных в этом аспекте материалов может явиться монокристалл моноселенида галлия (GaSe), ширина запрещенной зоны у которого при 77 К составляет ~2,0 эВ и который обладает высокой собственной фотопроводимостью во всем видимом диапазоне оптического спектра [1]. <...> Рагимова Наиля Али кызы, преподаватель кафедры 75 Сложный энергетический спектр, вернее, существование различных локальных уровней запрещенной зоны [2] способствует также обнаружению в этом полупроводнике при низких температурах (Т 250 К) специфических примесных фотоэлектрических явлений (отрицательной <...>