Прикладная физика, 2015, № 5 УДК 621.383.4/5 Исследование влияния зонной структуры на диэлектрическую проницаемость эпитаксиальных слоев соединений AIIIBV А. В. <...> Никонов, Н. М. Куляхтина, Н. И. Яковлева, К. О. Болтарь Проведен анализ прямых энергетических переходов в зоне Бриллюэна соединений группы AIIIBV, четверных соединений InGaAsP. <...> Построена модель диэлектрической проницаемости с учетом влияния Г-, L-, X-переходов на широком диапазоне длин волн. <...> Ci Ключевые слова: лавинные фотоприемники, InGaAsP, гетероэпитаксиальные структуры, диэлектрическая проницаемость, зона Бриллюэна. <...> Введение Анализ энергетических переходов Матричные фотоприемники на основе четверного соединения InGaAsP являются отличным выбором для систем формирования изображений в коротковолновой области ИК-диапазона вследствие высокой квантовой эффективности и зрелости технологии их изготовления [1, 2]. <...> Благодаря прямой структуре энергетических зон данного материала, здесь обеспечиваются высокий коэффициент поглощения и высокое структурное совершенство с низкой плотностью дефектов. <...> Перед разработчиками фотоприемных устройств остро стоит задача контроля и трактовки характеристик ГЭС InGaAsP/InP вблизи края фундаментального поглощения: диэлектрической проницаемости, коэффициента поглощения, показателя преломления. <...> Рассматриваемые характеристики изучались в ранних работах [3, 4], но проведенные исследования характеризуют оптические свойства эпитаксиальных слоев на довольно ограниченном спектральном диапазоне излучения. <...> Целью данной работы было моделирование оптических характеристик слоев соединений AIIIBV, в частности, четверных соединений InGaAsP на широком диапазоне длин волн (0,5—4,0 мкм). <...> Яковлева Наталья Ивановна, зам. начальника НИЦ1. в зоне Бриллюэна материалов со структурой цинковой обманки Четверное соединение InGaAsP, как и большинство важнейших полупроводников, имеет кристаллическую структуру типа сфалерита (цинковой обманки). <...> Особенностью <...>