Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 582373)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Компоненты и технологии  / №7 (180) 2016

Устройство защиты от электростатических разрядов компании Toshiba с 0,13-мкм технологией повышает устойчивость аналоговых силовых полупроводниковых приборов к электростатическим разрядам (ESD) (50,00 руб.)

0   0
Страниц1
ID417249
АннотацияКомпания Toshiba Corporation разработала новое устройство защиты от воздействия электростатического разряда (ESD) для аналоговых силовых полупроводниковых приборов, которое изготовлено с использованием новейшего 0,13-мкм технологического процесса, позволяющего оптимизировать структуру транзистора и значительно улучшить его характеристики устойчивости к воздействиям электростатических разрядов.
Устройство защиты от электростатических разрядов компании Toshiba с 0,13-мкм технологией повышает устойчивость аналоговых силовых полупроводниковых приборов к электростатическим разрядам (ESD) // Компоненты и технологии .— 2016 .— №7 (180) .— С. 17-17 .— URL: https://rucont.ru/efd/417249 (дата обращения: 23.05.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

микроконтроллеры Реализованные устройства на базе архитектуры R-IN Предназначенный для промышленных сетей контроллер R-IN в настоящее время уже успешно интегрирован в семейства продуктов R-IN32M3 и в RZ/T1. <...> 7) представляет собой одноядерное решение со встроенной поддержкой EtherCAT и CC-Link IE, а RZ/T1 — семейство с двухъядерной архитектурой новости ESD-защита Устройство защиты от электростатических разрядов компании Toshiba с 0,13-мкм технологией повышает устойчивость аналоговых силовых полупроводниковых приборов к электростатическим разрядам (ESD) Компания Toshiba Corporation разработала новое устройство защиты от воздействия электростатического разряда (ESD) для аналоговых силовых полупроводниковых приборов, которое изготовлено с использованием новейшего 0,13-мкм технологического процесса, позволяющего оптимизировать структуру транзистора и значительно улучшить его характеристики устойчивости к воздействиям электростатических разрядов. <...> Защита от электростатических разрядов стала гораздо более надежной, по отношению к обычной конструкции полупроводникового прибора она показывает улучшение устойчивости до четырех раз, при этом типовое отклонение в сторону понижения составляет лишь 1/12 от номинальной величины. <...> Определить механизм оптимизации структуры транзистора для повышения его устойчивости к воздействию электростатических разрядов компании Toshiba позволил анализ, проведенный посредством 3D-моделирования. <...> Компания Toshiba объявила об этом технологическом достижении 14 июня 2016 года в ходе 28-го международного симпозиума IEEE по силовым полупроводниковым приборам и микросхемам — ISPSD-2016 (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs), состоявшегося в Чехии. <...> С помощью анализа с использованием 3D-моделирования электростатического разряда специалисты компании Toshiba выяснили, что индуцированные им разрушения вызваны увеличением температуры кристаллической решетки. <...> Такой рост происходит за счет тока, протекающего по направлению <...>