Силовая Электроника, № 2’2015 Силовая элементная база Дискретные устройства и модульные компоненты на основе карбида кремния, производимые компанией Microsemi Применение новых широкозонных полупроводников при проектировании и производстве приборов силовой электроники позволяет добиться значительного улучшения их рабочих характеристик с одновременным уменьшением массо габаритных показателей. <...> В данной статье рассматриваются технические параметры дискретных устройств и высоконадежных модулей производства компании Microsemi, изготавливаемых на основе одного из наиболее популярных материалов — карбида кремния (SiC). <...> Константин Верхулевский info@icquest.ru Введение За последние несколько лет в разработке устройств силовой электроники наметилась отчетливая тенденция к применению полупроводниковых материалов с большой шириной запрещенной зоны (карбида кремния, нитрида галлия и др.) <...> . Уникальные свойства этих материалов, в том числе большие коэффициенты теплопроводности, значительные уровни напряженности электрического поля и т. д., обеспечивают создание на их основе приборов с рекордными энергетическими показателями. <...> Одним из наиболее перспективных и распространенных материалов является карбид кремния, широко использующийся для улучшения таких рабочих характеристик дискретных устройств и модульных конструкций, как быстродействие, предельные коммутируемые токи и напряжения, статические и динамические потери. <...> По прогнозам рыночных аналитиков компании Yole Developpement, ежегодный рост производства силовых полупроводников на основе карбида кремния в период с 2015 по 2020 г. составит 39%. <...> Активное развитие отрасли показано на примере увеличения количества выпускаемых SiC-диодов Шоттки (рис. <...> Прогноз роста продаж SiCдиодов Шоттки до 2020 г. 20 www.powere.ru Силовая Электроника, № 2’2015 Основные характеристики SiC, позволяющие добиться существенного улучшения параметров приборов на их основе по сравнению с характеристиками <...>