Высокотемпературная транзисторная сборка SiC MOSFET 60 А/1200 В CHT-PLUTO от CISSOID (50,00 руб.)

Мы также убедились в том, что nHPD2 имеет на 10% большую плотность мощности по сравнению с последним поколением модулей. <...> Был предложен новый алгоритм, который использует паразитную индуктивность модуля и предназначен для оценки тока коллектора на основе измеренного падения напряжения. <...> Новый метод применяет взаимную индуктивность между соседними терминалами, что обеспечивает высокую точность измерений. <...> Прогнозируемое значение тока коллектора, полученное с помощью предложенного алгоритма, хорошо согласуется с экспериментальными результатами, Силовая элементная база несмотря на чрезвычайно низкую индуктивность модуля. <...> Traction inverter that applied SiC hybrid module. <...> A 50 kW IGBT Power Module for Automotive Applications with Extremely Low DC-Link Inductance. <...> Implementation of low inductive strip line concept for symmetric switching in a new high power module. <...> Breakthrough into third dimension — Sintered multi-layer flex for ultra-low inductance modules. <...> 3.3kV/1800A IGBT module using advanced trench HiGT structure and module design optimization. <...> 3.3kV IGBT module with low power loss and high current ratings. <...> Current measurement and short-circuit protection of an IGBT based on module parasitic. <...> Высокотемпературная транзисторная сборка SiC MOSFET 60 А/1200 В CHTPLUTO от CISSOID Компания CISSOID завершила разработку CHTPLUTO — транзисторной сборки на SiC MOSFET 60 А/1200 В. <...> Модуль представляет собой герметичную сборку двух отдельных SiC-ключей 30 А/1200 В с диапазоном рабочих температур от –55 до +225 °C. <...> Каждый MOSFET снабжен отдельным SiC-диодом Шоттки с малым прямым падением напряжения. <...> Сопротивление канала в открытом состоянии составляет 45 мОм при +25 °C и 100 мОм при +225 °C. <...> PLUTO целесообразно использовать как полумост в преобразователях мощности, инверторах и системах управления электродвигателями. <...> Максимальный ток одной сборки при параллельном подключении транзисторов составляет 60 А и может быть увеличен параллельным подключением нескольких CHT-PLUTO. <...> Для управления сборкой CISSOID рекомендует использовать недавно представленные драйверы транзисторов HADES v2. <...> Совместное применение <...>