Начало в № 12 ’2014 Проблемы тестирования микропроцессорных реле защиты на устойчивость к преднамеренным электромагнитным деструктивным воздействиям Владимир ГУРЕВИЧ, к. т. н. <...> В данной статье оцениваются результаты проведенных двумя американскими компаниями исследований микропроцессорных реле защиты на устойчивость к преднамеренным деструктивным электромагнитным воздействиям, рассматриваются особенности устройств релейной защиты, уточняется и дополняется методика их тестирования. <...> Введение В предыдущей статье на эту тему [1] автором были подробно проанализированы нормативные документы, относящиеся к проблеме преднамеренных электромагнитных деструктивных воздействий (ПЭДВ) на микропроцессорные реле защиты (МУРЗ), обоснован выбор видов испытаний, сформулированы требования к параметрам испытательных воздействий, сделан обзор технических средств, обеспечивающих проведение этих экспериментов. <...> Анализ результатов выполненных ранее испытаний показал, что применяемые методы, критерии качества функционирования и параметры испытательных воздействий не всегда бывают выбраны корректно, в результате полученные данные не позволяют однозначно судить об устойчивости МУРЗ к ПЭДВ. <...> Все это потребовало дополнительного исследования вопроса и выработки расширенных рекомендаций. <...> Использование критерия качества функционирования при испытаниях электронной аппаратуры на электромагнитную совместимость Реакция испытуемого объекта (ИО) на электромагнитные воздействия (ЭВ) может быть различной. <...> Например, объект может полностью выйти из строя из-за электрического пробоя электронных компонентов или временно потерять работоспособность только на период воздействия импульса или электромагнитного поля. <...> Еще один вариант — кратковременный сбой в работе программного обеспечения под действием приложенного к объекту импульсного напряжения, требующий (или не требующий) последующей перезагрузки <...>