МЕТОДЫ И ТЕХНИКА ИЗМЕРЕНИЙ MEASUREMENT METHODS AND TECHNOLOGY УДК 621.315.592 Влияние размера области засветки образца высокоомного арсенида галлия на его проводимость А. <...> Строганкова1 1Московский институт электроники и математики Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики» 2ОАО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ» (г. Москва) Influence of High-Ohmic Semiconductor Sample Location Illumination upon Sample Conductivity A.P. <...> Strogankova1 1 Moscow Institute of Electronics and Mathematics of National Research University Higher School of Economics 2State Scientific Center of Russian Federation Joint Stock Company State Scientific Research and Design Institute of Rare Metal Industry «GIREDMET», Moscow Исследовано влияние засветки центральной части образца полуизолирующего арсенида галлия п-типа на его проводимость. <...> Показано, что люкс-амперная характеристика, начиная с некоторого значения интенсивности света, выходит на линейную зависимость, угловой коэффициент которой растет с увеличением диаметра освещаемой области. <...> Зависимость носит степенной характер и находится между квадратичной и линейной. <...> Ток отсечки значение тока, полученное при экстраполяции линейного участка люкс-амперной характеристики до пересечения с осью токов при нулевой интенсивности освещения, суперлинейно зависит от диаметра освещаемой области. <...> Ключевые слова: полуизолирующий полупроводник; омические контакты; локальная засветка образца; концентрация свободных носителей заряда; фотопроводимость. <...> The luxe-ampere dependence beginning from some light intensity has been А.П. Лысенко, А.Г.Белов, В.А. Голубятников, Н.И. Строганкова, 2015 174 Известия вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 2 2015 Влияние размера области засветки образца. shown to become linear, and its angular coefficient increased with illuminated area diameter increasing. <...> Измерение электрофизических параметров полупроводников, например удельного сопротивления, концентрации свободных носителей заряда и их подвижности, связано в первую очередь с созданием омических контактов к образцам. <...> Обычно для снижения влияния контактов <...>