УДК 51-74 Использование кода Хэмминга для исправления двойных сбоев в смежных разрядах памяти в аппаратуре космического назначения П.М. Еремеев АО «Научно-исследовательский институт «Субмикрон» (г. Москва) Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Use of Hamming Code to Correct Double Errors in Adjacent Memory Bits in Space Equipment P. <...> Eremeev «Scientific research institute «Submicron» JSC, Moscow National Research University of Electronic Technology, Moscow Рассматривается способ исправления двойных сбоев в смежных разрядах памяти на основе подбора специальных синдромов ошибок для кода Хэмминга. <...> С этой целью вводится еще один дополнительный контрольный разряд. <...> Исправление сбоев смежных разрядов особенно актуально при разработке аппаратуры космического назначения, которая должна функционировать без сбоев в условиях воздействия тяжелых заряженных частиц. <...> The method of the double error correction in adjacent memory bits, based on selection of the special Hamming code syndromes, has been proposed. <...> The adjacent memory bits error correction can be especially relevant in development of space equipment, which must operate without failures when exposed to heavy charged particles. <...> Особенность проектирования аппаратуры космического назначения необходимость учета воздействия тяжелых заряженных частиц, которые могут вызывать как катастрофические отказы при возникновении тиристорного эффекта, так и сбои ячеек памяти. <...> Классическим способом защиты элементов памяти от сбоев является применение кодов Хэмминга [1], которые используются в большинстве бортовых компьютеров, но они обеспечивают исправление ошибок только в одном разряде слова. <...> С уменьшением топологических норм элементов памяти растет вероятность того, что зона пространственного заряда от воздействия тяжелых заряженных частиц может захватить два и более соседних разрядов. <...> В работе [2] показано, что для коммерческой технологии 90 нм многократные, преимущественно двойные сбои превалируют над однократными сбоями при воздействии частиц с линейными потерями энергии 7 МэВ·см2/мг и более при углах падения, отличных от нормали к поверхности кристалла. <...> В [3] рассматривается <...>