Том 56, № 3 УДК 621.315.592 ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ДЕФЕКТНОГО ХАЛЬКОПИРИТА CdGa2Se4 ПО ДАННЫМ ТЕОРЕТИЧЕСКОГО РАСЧЕТА ″ ИЗ ПЕРВЫХ ПРИНЦИПОВ И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ А.А. <...> Хижун3 1Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону, Россия E-mail alavrentyev@dstu.edu.ru Статья поступила 19 января 2014 г. Модифицированным методом присоединенных плоских волн (ППВ) по программе WIEN2k рассчитаны ″из первых принципов″ полные и парциальные плотности электронных состояний всех компонентов CdGa2Se4. <...> Результаты ППВ-расчета свидетельствуют о том, что в соединении CdGa2Se4 наибольший вклад в валентную зону осуществляют Seр-состояния — их вклад максимальный у потолка валентной зоны, а у дна зоны проводимости преобладают вклады Gas*-состояний. <...> В CdGa2Se4, согласно результатам теоретического ППВ-расчета, существенный вклад в валентную зону осуществляют также электронные Cdd- и Gap-состояния (с преимущественным их вкладом у дна и в верхней части зоны соответственно). <...> Совмещение в единой энергетической шкале рентгеновских эмиссионных CdLβ2,15-, GaKβ2- и SeKβ2-полос, а также рентгеновского фотоэлектронного спектра валентных электронов, полученных для монокристаллов CdGa2Se4, свидетельствует о хорошем согласии полученных в нашей работе теоретических и экспериментальных данных относительно особенностей электронного строения соединения CdGa2Se4. <...> DOI: 10.15372/JSC20150315 Ключевые слова: электронная структура, дефектный халькопирит, плотности электронных состояний, рентгеновские спектры. <...> ВВЕДЕНИЕ Полупроводниковое соединение CdGa2Se4 кристаллизуется в структуре дефектного халькопирита и является очень перспективным материалом для применения в разнообразных устройствах нелинейной оптики в качестве гиротропных сред, узкополосных оптических фильтров и т.п. <...> Кристаллическая структура соединения CdGa2Se4 относится к типу дефектного халькопирита (I 4, Z = 2; рис. <...> В элементарной ячейке CdGa2Se4 атомы галлия занимают два неэквивалентных положения (обозначены <...>