№ 4 ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ВЕЩЕСТВА Особенности туннельных вольт-амперных характеристик в системе совмещенного атомно-силового/сканирующего туннельного микроскопа с квантовыми точками из коллоидного золота В. <...> В работе получены туннельные вольт-амперные характеристики для растущих квантовых точек из коллоидного золота в системе совмещенного атомно-силового и сканирующего туннельного микроскопа. <...> Предполагается, что основной вклад в туннельный ток вносит ионная проводимость. <...> Проведено качественное сравнение туннельных вольт-амперных характеристик с рассчитанной теоретической кривой полевой зависимости вероятности 2D-диссипативного туннелирования с учетом влияния двух локальных фононных мод широкозонной матрицы. <...> Установлено качественное соответствие экспериментальной и теоретической кривых, что свидетельствует о возможном вкладе механизма диссипативного туннелирования в туннельный ток через растущую квантовую точку под иглой кантилевера, который может быть усилен в кластерах размером от 1 до 5 нм в более тонких пленках. <...> Электронная структура и как следствие электронные свойства СМНЧ резко отличаются от таковых для объемных образцов металлов. <...> По своим свойствам СМНЧ занимают промежуточное положение между индивидуальными атомами металлов и объемными образцами. <...> В частности, фундаментальный интерес представляет вопрос о критическом числе атомов в СМНЧ, начиная с которого их свойства становятся неотличимыми от свойств объемных образцов. <...> В системах СМНЧ экспериментально наблюдается ряд фундаментальных физических эффектов, таких как изменение электронной структуры СМНЧ вследствие размерного квантования и связанных с этим изменений теплоемкости, магнитной восприимчивости СМНЧ и др. <...> Для экспериментальных исследований фундаментальных физических эффектов в системах СМНЧ в диэлектрических матрицах, а также для их приборных приложений необходима разработка <...>