При этом если транзистор закрыт, в подзатворной области возникает заряд неосновных носителей определенной величины, вызывающий проскакивание соответствующего импульса тока, а на выходе вентиля, в схему которого входит транзистор, появляется кратковременный импульс напряжения (ложный сигнал). <...> Длительность импульса зависит от величины заряда неосновных носителей, а он — от энергии частицы и технологических параметров вентиля. <...> Обычно длительность импульса находится в диапазоне до 1–2 нс. <...> Воздействие таких импульсов на цифровую схему зависит от задержек переключения вентиля и задержек в связях. <...> В свою очередь эти параметры зависят от проектной нормы изготовления интегральных схем (ИС). <...> При микронной и субмикронной технологии производства ИС эти импульсы были неопасны вследствие инерционности элементов. <...> 26 ИНФОРМАЦИОННОУПРАВЛЯЮЩИЕ СИСТЕМЫ При современной нанотехнологии производства ИС с проектной нормой меньше 0,1 мкм такие наведенные ложные импульсы сравнимы с полезными импульсными сигналами и приводят к искажению информации в СБИС. <...> Наиболее опасны рассматриваемые эффекты для транзисторов и вентилей, входящих в состав бистабильной ячейки триггера либо в запоминающий элемент блока памяти. <...> Тогда эффект воздействия частицы приводит к искажению бита информации, которое принято называть «мягким отказом» (soft error). <...> Если вентиль, подвергшийся воздействию, входит в состав логического элемента комбинационной схемы, то возникший ложный сигнал будет распространяться по цепи элементов и может достигнуть триггера и изменить его состояние. <...> Особенности распространения ложных сигналов по сети элементов требуют отдельного рассмотрения. <...> Группой сотрудников Санкт-Петербургского политехнического университета, в которую входят авторы, выполнен ряд исследований по проблеме повышения № 1, 2016 ИНФОРМАЦИОННО-УПРАВЛЯЮЩИЕ СИСТЕМЫ радиационной стойкости информационно-управляющих систем (ИУС). <...>