МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ Часть 4 Определение энергии активации процесса плазмохимического травления Учебно-методическое пособие для вузов Составители: И.В. Коняев, Ю.И. Дикарев, Л.Н. Владимирова Воронеж Издательский дом ВГУ 2014 1 Утверждено научно-методическим советом физического факультета 24 апреля 2014 г., протокол № 4 Рецензент д-р физ.-мат. наук, проф. <...> В.А. Терехов Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. <...> Теоретическая часть: кинетика химических процессов; механизм химической реакции . <...> 19 3 ВВЕДЕНИЕ Закономерности протекания химических процессов являются предметом пристального изучения, поскольку именно знание таких закономерностей позволяет управлять процессом и получать конечный продукт взаимодействия с максимальным коэффициентом полезного действия. <...> Скорость химической реакции зависит от многих факторов, и в первую очередь среди них следует упомянуть природу реагирующих веществ, их концентрацию, а также совокупность таких внешних факторов, как давление, температура, наличие катализаторов или ингибиторов. <...> Природа реагирующих веществ проявляется не только в качественном и количественном составе вещества, но и в его кристаллохимическом строении, характере химической связи и др. <...> Для пленочных структур огромную роль играет наличие границ раздела и фактор поверхности, на которой зачастую протекают гетерогенные процессы, например газ – твердое тело. <...> Именно от состояния поверхности зависит скорость химического превращения, поскольку дефекты поверхности, инородные атомы и их кластеры способствуют изменению энергии активации и, как следствие, скорости <...>
Плазменные_технологии_в_микроэлектронике._Часть_4._Определение_энергии_активации_процесса_плазмохимического_травления.pdf
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ
БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
«ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
УНИВЕРСИТЕТ»
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ
Часть 4
Определение энергии активации
процесса плазмохимического травления
Учебно-методическое пособие для вузов
Составители:
И.В. Коняев,
Ю.И. Дикарев,
Л.Н. Владимирова
Воронеж
Издательский дом ВГУ
2014
1
Стр.1
СОДЕРЖАНИЕ
Введение ................................................................................................................. 4
1. Теоретическая часть: кинетика химических процессов;
механизм химической реакции ............................................................................ 4
1.1. Понятие скорости химической реакции .................................................. 6
1.2. Кинетическое уравнение и порядок реакции .......................................... 8
1.3. Влияние температуры на скорость химической реакции .................... 10
1.4. Экспериментальное определение энергии активации ......................... 13
2. Экспериментальная часть: порядок выполнения работы ........................... 16
Контрольные вопросы ........................................................................................ 19
Литература ........................................................................................................... 19
3
Стр.3
Химическая кинетика оперирует понятиями и определениями, которые
позволяют надлежащим образом описать химическое превращение начальных
веществ в продукты реакции.
1.1. Понятие скорости химической реакции
Скоростью химической реакции называется изменение количества
вещества, вступающего в реакцию или образующегося в результате протекания
реакции, за единицу времени в единице объема системы.
Таким образом, скоростью реакции называют изменение концентрации
какого-нибудь вещества, участвующего в реакции, за единицу времени.
Отсюда другое определение этого понятия: скоростью химической реакции
называется изменение концентрации вступающего в реакцию реагента или
продукта реакции в единицу времени:
v = ±
d .t
dC
i
(1)
Такое определение, однако, не может быть однозначным, так как в реакции
принимают участие в качестве исходных и промежуточных веществ
и в качестве продуктов реакции несколько веществ. Поэтому строго можно
говорить не о скорости химического процесса вообще, а о скорости реакции
по некоторому конкретному компоненту.
Кинетический закон, или кинетическое уравнение реакции, связывает
скорость реакции в любой момент времени с концентрациями всех веществ,
от которых она зависит. Для прямой реакции вида
v = ± [] = –
d A
dt
А + В → P
d B[ ] =
dt
dt
dP
= [][],
k A B
(2)
где коэффициент пропорциональности k – константа скорости, которая зависит
только от давления и температуры и представляет собой скорость реакции
при концентрациях компонентов, равных единице.
Константа скорости реакции не зависит от концентрации и характеризует
влияние природы реагирующих веществ на скорость их взаимодействия
друг с другом. Из этого следует, что она является мерой реакционной
способности молекул.
Для простых (одностадийных) реакций показатели степеней в кинетических
уравнениях равны коэффициентам в стехиометрических уравнениях.
Эта закономерность находит свое отражение в законе действующих масс,
сформулированном в 1867 году норвежскими учеными К. Гульдбергом и
6
Стр.6
П. Вааге: скорость простой реакции в каждый момент времени пропорциональна
произведению концентраций реагирующих веществ, имеющихся
в данный момент времени, возведенных в степени, равные коэффициентам
в стехиометрическом уравнении. Закон действующих масс
является справедливым только для простых реакций.
Таким образом, скорость реакции – это положительная величина, значение
которой в любой момент времени определяется уравнением, устанавливающим
взаимосвязь между скоростью реакции и концентрациями веществ,
от которых она зависит. Скорость реакции можно рассчитать для
любого момента времени, если известна константа скорости.
Молекулярность элементарной реакции (т.е. реакции, протекающей
в одну стадию) определяется числом частиц, вступающих во взаимодействие.
В элементарной реакции может участвовать один ион (молекула) реагента
или более (две или три частицы). В зависимости от этого реакцию называют
мономолекулярной, бимолекулярной или тримолекулярной, при
этом скорость реакции зависит от стехиометрии.
Более всего в природе распространены бимолекулярные элементарные
стадии, т.к. столкновение двух одинаковых или различных частиц происходит
с большей вероятностью.
Напротив, тримолекулярные реакции встречаются гораздо реже, т.к.
одновременное столкновение трех частиц сравнительно маловероятно, а
элементарные стадии более высокого порядка в настоящее время вообще не
известны. Многие реакции являются результатом последовательных элементарных
стадий с низкой молекулярностью.
Самая медленная реакционная стадия определяет общую скорость реакции
и называется лимитирующей.
Гетерогенные реакции, протекающие в системах, состоящих из двух
или более фаз, также весьма трудно описать при помощи простых математических
выражений; такие реакции требуют специальных подходов в зависимости
от характера участвующих в реакции фаз.
Фазой называется гомогенная часть гетерогенной системы, отделенная
от других ее частей поверхностью раздела, при переходе через которую
свойства изменяются скачком.
Особенности гетерогенной реакции обусловлены участием в них конденсированных
фаз. Это затрудняет перемешивание и транспорт реагентов
и продуктов; возможна активация молекул реагентов на поверхности раздела
фаз. Кинетика любой гетерогенной реакции определяется как скоростью
самого химического превращения, так и процессами переноса (диффузией),
необходимыми для восполнения расхода реагирующих веществ и удаления
продуктов из реакционной зоны.
При гетерогенных реакциях с участием одного или нескольких твердых
реагентов часто образуются твердофазные продукты. Такие реакции,
7
Стр.7
как правило, локализованы на поверхности раздела фаз или в поверхностном
слое и обычно протекают нестационарно. Они характеризуются периодом
индукции, в течение которого возникают зародыши (ядра) новой фазы.
Их образование связано с перестройкой атомной структуры твердого реагента
и требует затраты энергии.
Такие реакции чувствительны ко всем нарушениям структуры, облегчающим
образование зародышей, и могут быть активированы термическим,
радиационным, механическим и другими воздействиями, увеличивающими
концентрацию дефектов, в первую очередь – плотность дислокаций.
Кинетическое уравнение реакции в этом случае отражает изменение
во времени не только концентраций реагирующих веществ, но и поверхности
раздела твердых фаз реагента и продукта. По мере роста зародышей поверхность
раздела увеличивается и скорость реакции сначала возрастает,
затем проходит через максимум и снижается вследствие соприкосновения
растущих зародышей и образования сплошного слоя твердого продукта.
Значительно сложнее обстоит дело при изучении особенностей и
формально-кинетическом описании топохимических реакций. Такие реакции
начинаются не во всём объёме сразу, а в отдельных, наиболее реакционноспособных
областях твёрдого тела, т.е. имеет место автолокализация
процесса. Зарождение процесса взаимодействия в некоторых локальных областях
в дальнейшем сопровождается распространением реакции на соседние
области кристалла. Чаще всего локализацию топохимического процесса
обычно связывают с наличием дефектов в кристаллах, а также со сравнительно
малой подвижностью ионов, атомов или молекул, образующих кристаллическую
решётку. Автолокализация процесса обусловлена каталитическим
влиянием твёрдого или газообразного продукта реакции, а также
кристаллохимическими особенностями развития реакции в кристалле.
Межфазовая поверхность, в пределах которой локализованы топохимические
реакции, возникает вследствие образования и роста реакционных ядер;
скорость процесса обычно пропорциональна величине этой поверхности в каждый
данный момент времени. По этой причине кинетический анализ топохимических
реакций включает не только учёт развития процесса во времени,
но и его распространение в пространстве. Следовательно, вполне объяснимо
влияние дефектов в кристаллах на скорость топохимической реакции.
1.2. Кинетическое уравнение и порядок реакции
Молекулярность реакции не следует путать с порядком реакции, о котором
расскажем подробнее. Итак, рассмотрим химическую реакцию
n1А + n2В → m1С + m2D,
для которой можно записать
8
Стр.8