УДК 621.382
Модель образования термостабильных дефектных
центров при облучении арсенида галлия нейтронами
© В.Г. Косушкин, А.К. Горбунов
КФ МГТУ им. <...> Н.Э. Баумана, г. Калуга, 248600, Россия
Предложена модель трансформации дефектов в термостабильные дефектные
центры, обладающие донорными свойствами в арсениде галлия, облученном нейтронами. <...> Природа этих центров определяется взаимодействием искусственных радиационных дефектов с примесями и равновесными дефектами кристалла. <...> Показано,
что облучение нейтронами при температуре выше комнатной можно использовать
не только для изучения природы и закономерностей дефектообразования, но и как
способ направленного изменения свойств кристаллов. <...> Ключевые слова: арсенид галлия, облучение тепловыми нейтронами, быстрый термический отжиг. <...> Уровень развития мировой электронной техники выдвигает все более
жесткие требования к качеству полупроводниковых монокристаллов. <...> По
мере уменьшения топологических размеров элементов электронных схем
все большую роль играют точечные дефекты полупроводниковых материалов, управление поведением которых особенно актуально при переходе к нанометровым размерам элементов электронных схем. <...> В производстве и использовании полупроводниковых материалов
лидирующее место, по-прежнему, занимает кремний, мировое потребление которого составляет порядка 15 тыс. т в год (диаметр монокристаллов
100 — 300 мм, в перспективе до 400 мм), на втором месте — арсенид
галлия, мировое потребление которого составляет около ста тонн в год
(диаметр 100…150 мм, в перспективе — до 250 мм). <...> Одним из способов
повышения однородности и радиационной стойкости монокристаллов
является использование ионизирующих излучений, создающих искусственные радиационные дефекты, которые отличаются высокой подвижностью и относительно легко удаляются из объема слитков термическим отжигом. <...> Искусственно введенные радиационные дефекты
взаимодействуют с равновесными дефектами <...>