В. Д. Кревчик, А. В. Разумов, Т. А. Губин
ФОТОМАГНИТНЫЙ ЭФФЕКТ В КВАНТОВОЙ
ПРОВОЛОКЕ С ОДНОМЕРНОЙ СВЕРХРЕШЕТКОЙ
ИЗ ПОТЕНЦИАЛОВ НУЛЕВОГО РАДИУСА1
Аннотация. <...> Эффект фотонного увлечения несет ценную информацию о зонной структуре и механизмах релаксации импульса носителей заряда в полупроводниковых низкоразмерных системах. <...> С точки зрения приборных приложений этот эффект может быть использован для создания детекторов лазерного излучения на основе наноструктур, которые представляют широкие возможности управления как зонным спектром, так и примесными состояниями (локализованными и резонансными). <...> Цель данной работы состоит в теоретическом исследовании особенностей эффекта фотонного
увлечения электронов, связанных с наличием примесной зоны, образованной
резонансными состояниями электрона в поле регулярной цепочки D0 -центров
в квантовой проволоке при наличии внешнего продольного магнитного поля. <...> Кривые спектральной зависимости плотности тока фотонного увлечения в квантовой проволоке с регулярной цепочкой D0 -центров
во внешнем магнитном поле построены для случая квантовой проволоки на
основе InSb. <...> Показано, что с уменьшением периода регулярной цепочки D0 -центров в квантовой проволоке порог эффекта фотонного увлечения смещается в длинноволновую область спектра из-за роста эффективной массы электрона в примесной зоне. <...> При этом в спектральной зависимости плотности тока фотонного увлечения возрастает частота и амплитуда
осцилляций интерференционной природы. <...> Найдено, что с ростом внешнего
магнитного поля происходит подавление осцилляций за счет уменьшения ширины примесной зоны. <...> Показано, что параметры диссипативного туннелирования оказывают существенное влияние на порог эффекта фотонного увлечения в квантовой проволоке. <...> В квантовой проволоке с резонансными состояниями электрона и туннельно связанной с объемным полупроводником появляются дополнительные степени свободы для управления <...>