Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
1(99)’2013
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Выходит 6 раз в год
Главный редактор
СОДЕРЖАНИЕ <...> Электроника”, 2013
© МИЭТ, 2013
Технология микро- и наноэлектроники
Долгий Л.Н., Ловшенко И.Ю., Нелаев В.В. <...> Технология формирования и электрические характеристики полевого датчика Холла на основе КНИ-структуры .............
3
Микроэлектронные приборы и системы
Штерн Ю.И., Кожевников Я.С., Рыков В.М.,
Миронов Р.Е. <...> Отпечатано
в типографии ИПК МИЭТ
124498, Москва, Зеленоград,
проезд 4806, д. <...> Генерация и проверка тестовых заданий в приложении MS Excel ..............
Краткие сообщения
Антаков М.А., Пьянов И.В. <...> Тактильный датчик для эндоскопии на
основе матрицы чувствительных элементов давления ......
Неустроев С.А. <...> ЭЛЕКТРОНИКА № 1(99) 2013
ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
УДК 621.318
Технология формирования и электрические характеристики
полевого датчика Холла на основе КНИ-структуры <...> Л.Н. Долгий, И.Ю. Ловшенко, В.В. Нелаев
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Представлены результаты исследования зависимости электрических
характеристик полевого датчика Холла, сформированного на основе
КНИ-структуры, от технологических параметров его изготовления. <...> Проведено моделирование технологического маршрута формирования магниточувствительной структуры, представляющей собой полевой датчик
Холла на основе МОП-транзистора в КНИ-структуре (ПДХ-КНИ). <...> Ключевые слова: магниточувствительный элемент, датчик Холла, МОПтранзистор, кремний на изоляторе (КНИ), технология, моделирование. <...> На сегодняшний день датчики Холла – самые распространенные элементы преобразователей магнитного поля в электрический сигнал. <...> .
При изготовлении интегральных датчиков Холла в объемном кремнии возникают
трудности, связанные с их недостаточной чувствительностью, высоким <...>
Известия_высших_учебных_заведений._Электроника._№1_2013.pdf
Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
1(99)’2013
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
В.Д. Вернер
Редакционная коллегия:
Амербаев В.М.
Бархоткин В.А.
Быков Д.В.
Гаврилов С.А.
Грибов Б.Г.
Казённов Г.Г.
Коноплёв Б.Г.
Копаев Ю.В.
Коркишко Ю.Н.
Королёв М.А.
Кубарев Ю.В.
Неволин В.К.
Неволин В.Н.
Петросянц К.О.
Руденко А.А.
Таиров Ю.М.
Телец В.А.
Тихонов А.Н.
Усанов Д.А.
Чаплыгин Ю.А. (зам. главного
редактора)
Адрес редакции: 124498,
Москва, Зеленоград,
проезд 4806, д. 5, МИЭТ
Тел./факс: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
© “Известия вузов.
Электроника”, 2013
© МИЭТ, 2013
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
СОДЕРЖАНИЕ
Технология микро- и наноэлектроники
Долгий Л.Н., Ловшенко И.Ю., Нелаев В.В. Технология
формирования и электрические характеристики полевого
датчика Холла на основе КНИ-структуры ............. 3
Микроэлектронные приборы и системы
Штерн Ю.И., Кожевников Я.С., Рыков В.М.,
Миронов Р.Е. Математические модели и аппаратнопрограммные
средства для высокоточных электронных
измерителей температуры .................................................... 10
Нанотехнология
Булярский С.В., Лакалин А.В., Басаев А.С. Методика
расчета тока автоэмиссии из одиночной углеродной нанотрубки
................................................................................ 18
Схемотехника и проектирование
Лифшиц В.Б., Агрич Ю.В. Методы и средства
отладки динамических параметров быстродействующих
АЦП ........................................................................................ 25
Чураев С.О. Использование эффекта накопления фазовой
ошибки в кольцевых генераторах для оценки временных
параметров цифровых элементов интегральных
схем ........................................................................................ 34
Информационные технологии
Амербаев В.М., Тельпухов Д.В. Обратный преобразователь
модулярной арифметики с использованием неточного
ранга для задач ЦОС .............................................. 41
Рыбаков А.А. Анализ алгоритмов оптимизации расположения
в памяти линейных участков программы ............ 47
Стр.3