Автор: Данилов В. С.
В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика
процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, приме-
няемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки,
проведено их сравнение по основным характеристикам