621.38Электроника. Микроэлектроника. Полупроводниковая электроника. Оптоэлектроника. Фотоэлектроника. Рентгенотехника. Ускорители частиц. Вакуумная электроника
← назад
Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
Журнал является официальным журналом Российской Ассоциации Радиологов (РАР). История старейшего в России медицинского журнала начинается с 1920 года. Журнал, посвященный в настоящее время вопросам лучевой диагностики и лучевой терапии, стоит у истоков развития Российской рентгенологии и радиологии. В журнале находят отражение такие методы медицинской визуализации как традиционная рентгенодиагностика, рентгеновская компьютерная и магнитно-резонансная томография, ультразвуковая и радионуклидная диагностика, ангиография и рентгенохирургия.
В журнале освещаются наиболее актуальные вопросы медицинской визуализации в кардиологии, неврологии, онкологии, лучевой диагностики заболеваний скелетно-мышечной системы, органов дыхания, желудочно-кишечного тракта, малого таза. Большое место занимают научные статьи и обзоры по вопросам радиобиологии, дозиметрии и радиационной защиты. Традиционно широко освящаются проблемы рентгенохирургии и рентгеноэндоваскулярных методов диагностики и лечения в различных областях медицины.
Byulleten' sibirskoy meditsiny. 2012; 5: 80–2 (in Russian). <...> У 80% больных диагноз ГВ был морфологически верифицирован. <...> Prakticheskaya meditsina. 2008; 31: 74–80 (in Russian). 3. <...> Acta Radiol. 1948; 29: 178–80. 2. Campeau L. <...> Radiol. 2010; 65: 474–80. 6.
Предпросмотр: Вестник рентгенологии и радиологии №1 2014.pdf (0,1 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
35 72 10 25 1700 TO-220 TK35A08N1 80 35 30 10 25 1700 TO-220SIS TK46E08N1 80 46 103 6,9 37 2500 TO-220 <...> TK46A08N1 80 46 35 6,9 37 2500 TO-220SIS TK72E08N1 80 72 192 3,6 81 5500 TO-220 TK72A08N1 80 72 45 3,7 <...> 81 5500 TO-220SIS TK100E08N1 80 100 255 2,6 139 9000 TO-220 TK100A08N1 80 100 45 2,6 130 9000 TO-220SIS <...> 24 48 10,1 22 1490 2012 TPH8R008NH 80 34 61 6,6 35 2300 TPH4R008NH 80 60 78 3,3 59 4100 январь 2013 <...> помехи 80–1000 МГц; 10 В/м; 80% AM 1 кГц EN61000-4-4 Вибрация Синусоидальная, 5g, 2 ч по каждой оси
Предпросмотр: Силовая электроника №2 2013.pdf (0,4 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 <...> 100 k 0,2 0 0,8 20 40 60 0,6 0,4 1,0 1,2 1,4 0,2 0 0,8 0,6 0,4 1,0 1,2 1,4 20 40 60 80 100 k X, y1 ab <...> . %" 80 100 k 0,2 0 0,8 20 40 60 0,6 0,4 1,0 1,2 1,4 0,2 0 0,8 0,6 0,4 1,0 1,2 1,4 20 40 60 80 <...> 100 120 k 20 40 60 80 100 120 0,8 0,9 1,0 0,5 0,6 0,7 1,2 1,1 1,3 ab Pr(k), P2(k) cd Pr(k) P2(k) Pr( <...> L, ìì L, ìì Fïð, ïèêñåëü-1 0 2 10 12 14 4 6 8 5 10 15 20 25 35 30 20 40 60 80 100 Eñð, îòí. åä.
Предпросмотр: Автометрия №1 2013.pdf (0,3 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
80 80 Угол излучения, град. 134 115 115 Рис. 5. <...> При температуре p-n-перехода Tj = +85 °C световой поток Oslon Signal равен 80 лм вместо типичных для <...> 4000 80 2350 700 3000 80 2300 PABE-35FxL-n00N (silver pod); PABA-24FxL-n00N (gold pod) 25,6×22,6×3,4 <...> 4000 82 3900 3000 80 3750 1000 3000 95 2700 Рис. 1. <...> Таким образом, сертификация IES LM-80 подтвердила высокое качество и надежность продуктов ProLight.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №6 2013.pdf (0,3 Мб)
Журнал «Электросвязь» — ежемесячный научно-технический журнал по проводной и радиосвязи, телевидению и радиовещанию, предназначенный для широкого круга специалистов в области связи и информатизации. Основан в 1933 г.
Журнал «Электросвязь» — это:
- результаты новейших научных исследований, обеспечивающих повышение эффективности сетей связи, методы их проектирования с использованием перспективных технологий как отечественных, так и зарубежных;
- вопросы создания экономически эффективных служб связи, внедрения новых услуг, управления сетями, их технического обслуживания на основе современных решений;
- оперативная информация о деятельности и технической политике Министерства информационных технологий и связи РФ, администраций связи других стран СНГ, Регионального содружества в области связи, Международного союза электросвязи.
Публикации в «Электросвязи» учитываются Высшей Аттестационной Комиссией при Министерстве Образования РФ при защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата и доктора наук.
зависимости от частотной отстройки ∆f для различных сочетаний видов полезного 1 1 0 100 0 20 40 60 80 <...> как направленные, так и ненаправленные антенны, секторы обзора направленных антенн составляют 15—80 <...> ≤ R< 90 — хорошее (high); 70 ≤ R < 80 — посредственное (medium); 60 ≤ R < 70 — низкое (low); R < 60 <...> мс Idte, 300 мс Idle, 300 мс Рис. 4 0 10 20 30 40 WEPL, дБ Idte, Idle 0 20 40 60 80 100 Idte, 25 мс <...> Idle, 25 мс Idte, 300 мс Idle, 300 мс Рис. 5 0 10 20 30 40 WEPL, дБ Idte, Idle 0 20 40 60 80 100 Idte
Предпросмотр: Электросвязь №9 2008.pdf (0,6 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
ГОСТ 24179-80. <...> 18W/840 L 18 W/840 80 89 холодный, белый 1350 Люминесцентные трубчатые лампы (Т5) диаметром 16 мм 14 <...> Вт Master TL5 НЕ Super 80 14W/840 FH 14W/840 HE 80 89 холодный, белый t = 35 °C t = 25 °С 1350 1200 <...> Эти лампы расходуют более 80% энергии на собственный нагрев. <...> Уже через три года они должны появиться у 80% потребителей.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №2 2009.pdf (1,5 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
стробированием, устойчива к воздействию УФ излучения, класс защиты IP55 3 XPERT SL E100-42882-48-C 80 <...> –30 27 15 4 СД-модуля × 6 Вт + 2 СД-модуля х 1,5 Вт 16 44 LED 10-30V 52 см 8 модулей, 44 СД 520×140×80 <...> LED 10-30V 122 см 80 СД 1000×120×80 10–30 120 21 6 СД × 6 Вт секций сбоку и 1 × 1 Вт секций × 4 СД Примечания <...> /– 10–30 14,4 2 режима IP65 Ж, Δt = –40…+50 °С для ТС 10 Auer Signal Люстра 4-опорная 72 СД 310×170×80 <...> СД Ø224×285/0,5 50–265 и 30–350 80 IP54 33-45/12,5 Корпус из поликарбоната с УФ стабилизацией 20 СД
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №4 (0) 2024.pdf (0,1 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
ч 30 65 Твердость (шор А) 71 74 Прочность на растяжение, МПа 11,1 11,2 Удлинение при разрыве, % 96 80 <...> 15 20 25 30 35 40 0час ов 3000 часов 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 -100 -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 Ω,deg. 100 <...> Бильярд, снукер 4.1 I Пол — Г-0,0 750 0,8 35 5* 80* – – – – 4.2 II Пол — Г-0,0 500 0,8 40 10* 80* – – <...> Бокс 6.1 I Ринг — Г-0,0 2000 0,8 35 5* 80*–––– Ев. ср. <...> Прыжки в воду 22.1 I Поверхность воды — Г-0,0 500 0,7 35 5* 80* 4,0 1,5 2,4 0,9 Ег. ср.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №3 2023.pdf (0,1 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
В 80-х гг. работ по GaN в Европе и США практически не было. <...> В конце 80-х гг. работы были продолжены в Японии. В 1989 г. <...> мA) Световой поток, лм (при токе 150 мА/80 мА) 54 42 28 22 CRI (тип.) 75 80 75 80 Рис. 8. <...> Номинальные выходные мощности — 40, 60, 80 Вт. <...> Номинальные выходные мощности — 40, 60, 80 Вт.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №5 2011.pdf (0,3 Мб)
М.: Издательство Прометей
Целью работы явилось исследование характеристик однофотонных сверхпроводниковых детекторов, созданных на базе тонких пленок NbN, увеличение быстродействия детектора и исследование возможностей практического применения однофотонных сверхпроводниковых детекторов вместо традиционно используемых полупроводниковых однофотонных детекторов. Практическим результатом работы явилось создание быстродействующего детектора одиночных фотонов на основе эффекта однофотонного детектирования оптического и ИК излучений тонкопленочными сверхпроводящими наноструктурами. Детектор обладает рекордными характеристиками по быстродействию и чувствительности в широком спектральном диапазоне от УФ до ИК. Показана перспективность применения детекторов в корелляционной инфракрасной микроскопии живых биологических образцов с высоким временным разрешением.
данный лазер (Spectra Physics Tsunami) имеет неперестраиваемую частоту следования импульсов равную 80 <...> Столбец 1: 10 МГц с лазера, 10 МГц с SSPD; Столбец 2: 80 МГц с лазера, 80 МГц с SSPD; Столбец 3: 80 МГц <...> с лазера, 40 МГц с SSPD; Столбец 4: 80 МГц с лазера, 10 МГц с SSPD 88 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & <...> Несомненно, SSPD может работать на скоростях счета импульсов 80 МГц, но мы видим, что в зависимости от <...> Данная система позволяет работать со скоростями счета до 80 МГц и обладает временным разрешением в 4
Предпросмотр: Быстродействующий однофотонный детектор на основе тонкой сверхпроводниковой пленки NbN Монография.pdf (0,4 Мб)
Автор: Лубенцова Елена Валерьевна
изд-во СКФУ
В книге рассмотрены вопросы структурно-параметрического синтеза систем автоматического управления (САУ) интервальными объектами, математическую основу которых составляет метод гарантирующего управления и максимальная степень устойчивости, а также алгоритмы аппроксимирующего управления для широкого спектра нелинейных характеристик и алгоритмы, полученные на базе нечеткой логики и нейронных сетей. Адресована научным работникам и инженерам при проектировании САУ сложными динамическими объектами и технологическими процессами, а также аспирантам специальностей 05.13.06 – Автоматизация и управление технологическими процессами и производствами и 05.13.01 – Системный анализ, управление и обработка информации.
объектов с «быстрыми» процессами, алгоритм функционирования которых представлен в словесной форме [80 <...> сочетанием параметров, представлены на рис. 2 4 1 5 3 -0,1 0,4 0,9 1,4 1,9 0 5 10 20 30 40 50 60 70 80 <...> 90 100 t,мин t, мин Тmax ε, о С Θ, оС 26,5 26,0 25,5 25, 0 -0,5 0 0,5 1 1,5 2 0 20 40 60 80 100 120 <...> 0 20 40 60 80 100t, мин б) 2 5 4 1 3 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 67 2.4 <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 147 2 4 8 6 X(t), Y(t). ед. 0 20 40 60 80
Предпросмотр: Системы управления с динамическим выбором структуры, нечеткой логикой и нейросетевыми моделями .pdf (0,4 Мб)
Журнал является официальным журналом Российской Ассоциации Радиологов (РАР). История старейшего в России медицинского журнала начинается с 1920 года. Журнал, посвященный в настоящее время вопросам лучевой диагностики и лучевой терапии, стоит у истоков развития Российской рентгенологии и радиологии. В журнале находят отражение такие методы медицинской визуализации как традиционная рентгенодиагностика, рентгеновская компьютерная и магнитно-резонансная томография, ультразвуковая и радионуклидная диагностика, ангиография и рентгенохирургия.
В журнале освещаются наиболее актуальные вопросы медицинской визуализации в кардиологии, неврологии, онкологии, лучевой диагностики заболеваний скелетно-мышечной системы, органов дыхания, желудочно-кишечного тракта, малого таза. Большое место занимают научные статьи и обзоры по вопросам радиобиологии, дозиметрии и радиационной защиты. Традиционно широко освящаются проблемы рентгенохирургии и рентгеноэндоваскулярных методов диагностики и лечения в различных областях медицины.
Tomogr. 2007; 31: 272–80. 19. Bae K.T., Seeck B.A., Hildeboldt C.F. et al. <...> Tomogr. 2007; 31: 272–80. 19. Bae K.T., Seeck B.A., Hildeboldt C.F. et al. <...> Gastroenterology. 2010; 139: 1172–80. 8. Giovannini M., Botelberge T., Bories E. et al. <...> Gastroenterology. 2010; 139: 1172–80. 8. Giovannini M., Botelberge T., Bories E. et al. <...> Hematol. 2001; 80 (Suppl. 3): B1-B2. 2. Coiffier B.
Предпросмотр: Вестник рентгенологии и радиологии №4 2014.pdf (0,2 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
75 80 Световой поток, лм 82 65 90 70 Угол излучения 120 55 Таблица 3. <...> При выборе радиатора cтоит помнить, что производителем рекомендуется температура подложки не более 80 <...> Параллельное включение обеспечивает стабилизацию тока 40, 60, 80 мА и т. д. • CL25 — версия CL2 на ток <...> °C, то в светильнике, где светодиод может нагреваться до 100 °C, светодиод будет излучать уже около 80 <...> Например, у светодиода XLamp XR-E это 80 °С, а у Luxeon K2 — 155 °С.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №1 2009.pdf (1,5 Мб)
Автор: Ситникова С. В.
Изд-во ПГУТИ
Учебно-методическое пособие предназначено для организации самостоятельной работы и практических занятий студентов. К дисциплинам цикла «Электроника» относятся дисциплины: «Электротехника и электроника», «Электроника», «Электроника и схемотехника», «Электротехника, электроника и схемотехника». Для организации практических аудиторных занятий учебно-методическое пособие представляет собой сборник типовых задач, часть из которых содержит несколько вариантов исходных данных. Краткие теоретические сведения включают в себя расчетные соотношения, необходимые для выполнения заданий.
обратный ток насыщения диода, если температура увеличивается: а) для германиевого диода от 20 0C до 80 <...> Iпр, мА Uпр, В 60 40 20 100 80 0,2 0,4 0,6 0,8 200С –600С Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство <...> Uкэ min 4,5=Uкэ0 2Imб 2Umбэ t 2Umкэ t t Uбэ min=0,6 0,7=Uбэ max Iб0=160 2Imк Iк, мА Uбэ0=0,65 РТ РТ 80 <...> Кроме этого, известны дифференциальные h–параметры: h11э = 800 Ом, h21э = 47, h12э = 0,0005, h22э = 80 <...> U, В Рис. 4.7 I, мкА 600 400 200 1200 1000 800 40 60 80 100 ζ =10000 лк лк ζ =6000 лк ζ =2000лк ζ=500
Предпросмотр: Сборник задач по дисциплине Электроника Учебно-методическое пособие.pdf (0,1 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
AW3220 260 6300 65 220/230 20 AN3220 180 3000 80 AX42XX 50 3000 85 55 1,4 134 AW2200 80 6300 70 100/ <...> 110/120 1,7 120 AN2200 65 3000 80 1,7 AW2204, AW2214 80 6300 70 100/110 2 110 AN2204, AN2214 65 3000 <...> 80 2 AW3201,AW3211, AW3241 260 6300 65 100/110/120 4 130 40 AN3201, AN3211, AN3241 180 3000 80 AW3221 <...> 17,9–19,1 0,5 115 SAW8P42A 26,4–32,6 3700–7000 80–90 11,8–14,2 0,43 SAW8WA2A 99–140,3 2600–7000 80–90 <...> 30–34,5 1,55 120 40 SAWW8F1A 700 3000 80 120 13 120 SAWW8D1A 700 3000 80 220 60 SAW04A0A 70 5600 70
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №6 2012.pdf (0,7 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
85 90 85 95 80 Êîëè÷åñòâî ïðèçíàêîâ Òî÷íîñòü, % 0 50 100 150 200 Êîëè÷åñòâî ïðèçíàêîâ 0 50 100 150 200 <...> 100 0 c d Êîëè÷åñòâî ïðèçíàêîâ 00 30 40 50 60 100 90 80 70 Òî÷íîñòü, % 20 40 60 80 100 Êîëè÷åñòâî ïðèçíàêîâ <...> 30 40 50 60 100 90 80 70 Òî÷íîñòü, % 20 40 60 80 100 Êîëè÷åñòâî ïðèçíàêîâ 30 40 50 60 100 90 80 70 Òî <...> ÷íîñòü, % 20 40 60 80 100 Êîëè÷åñòâî ïðèçíàêîâ 30 40 50 60 100 90 80 70 1 1 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 rIS. <...> 100 120 140 160 180 10 20 30 40 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 t, c 10 20 30 40 1 2 1 2 3 40 rIS.
Предпросмотр: Автометрия №1 2016.pdf (0,2 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
Но обычно даже визуально белые материалы отражают лишь 70–80% излучения. <...> В 80-е годы я был разработчиком приборов на арсениде галлия. <...> В 80-е годы мы от мирового уровня не отставали, но затем потеряли 15 лет. <...> 55–80/50–65 100 +25 Rebel 60 100–150 350 4000–6500 +25 Общего назначения Rebel Plus 80 80–120 350 2700 <...> K3 80 270–340 87,5 36 2700–5000 3 SCDM K4 80/90 360–440/300–370 87,5/350 36/12 K6 80 530–725 175 36
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №1 2014 (1).pdf (0,6 Мб)
Автор: Томилин В. И.
Сиб. федер. ун-т
Пособие состоит из разделов, посвященных вопросам курсового проектирования технологических процессов изготовления, сборки и монтажа электронных устройств различного назначения. Особое внимание уделено технологии изготовления печатных плат в зависимости от конструктивных требований, класса точности, условий эксплуатации и других факторов. Разработаны рекомендации по выбору современного оборудования, обеспечивающего выпуск конкурентоспособной продукции. Подробно проанализированы вопросы разработки технологической документации в соответствии со стандартами ЕСТД.
Приведены 50 вариантов заданий на курсовое проектирование по основным технологическим этапам изготовления ЭС.
12 Т Примем, что на каждой плате устанавливаются два лепестка заземления, два провода-перемычки, 80 <...> ИМС, 80 конденсаторов типа К53 и 160 диэлектрических прокладок под каждый корпус навесного элемента. <...> Максимальное число видов компонентов 80. <...> ОПП 5 22 2000 2 Фотоспособ Химический позитивный Электрохимическое осаждение сплава Sn–Pb ОПП 6 25 80 <...> 130 200 45 75 140 140 150 80 90 90 200 50 60 120 150 150 80 150 170 100 170 180 150 100 120 200 60 60
Предпросмотр: Организационно-методическое обеспечение курсового проектирования по дисциплине Технология производства электронных средств.pdf (0,6 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
. . . .76 Олег Сергеев Источники питания Delta Elektronika BV: перезагрузка . . . . . . . . . . . .80 <...> В ходе данного эксперимента целые пластины серийных транзисторов Z-FET (1200 В, 80 мОм) были доведены <...> График отбора дефектных SiC(MOSFET для транзисторов Z(FET (1200 В, 80 мОм) Рис. 5. <...> Рабочий температурный диапазон реле –40…+85 °C, относительная влажность окружающего воздуха до 80%. <...> Данный вид используется в цепях с большими пусковыми токами до 80 А.
Предпросмотр: Силовая электроника №6 2012.pdf (0,7 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
Возрастное ограничение 12+ № 1 (80)’2023 ЭКОЛОГИЯ Биосфероцентричное освещение парков ............... <...> вариантом является применение светильников мощностью более 25 Вт, с цветовой температурой 4000 К, CRI 80 <...> 80 ≤ Ra < 90 90 ≤ Ra < 100 менее 4500K не менее 4500K менее 4500K не менее 4500K менее 4500K не менее <...> 4500K Светильники для общественных помещений диффузный рассеиватель ≤ 25 – – 90 100 80 85 > 25 – – 100 <...> – – 105 110 95 100 > 25 – – 125 130 110 115 малогабаритный встраиваемый (даунлайт) ≤ 25 – – 95 100 80
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №1 2023.pdf (0,2 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
. –080 –60 –40 –20 0 20 40 60 80 0.2 0.6 0.4 0.8 1.0 |Eny| x, мм (а) –080 –60 –40 –20 0 20 40 60 80 0.2 <...> (а) 0 10 20 30 40 50 60 70 10 20 30 40 50 60 70 80 90 600 км 700 км hспут = 800 км θа, град β, град ( <...> (θa, ϕa)', град 0° 45° 90° 135° 180° 225° 270° 315° 60 70 80 90 30 40 50 10 20 (а) (θз, ϕз)', град 0° <...> 100 0.05 0.10 0.15 0.20 1 3 4 K, м–1 f, ГГц (a) 0.7 020 40 60 80 100 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 1 3 4 α <...> , м–1 f, ГГц (в) 0.7 020 40 60 80 100 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 1 3 4 S, м–1 f, ГГц (б) 1.2 020 40 60 80
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №9 2017.pdf (0,1 Мб)
Автор: Тюнин Н. А.
М.: ДМК Пресс
Справочник по интегральным микросхемам — контроллерам балластов люминесцентных ламп различного типа (диммируемые и недиммируемые балласты EL, CFL, CCFL, EEFL). По каждой ИМС приводятся ее особенности, варианты исполнения (корпус), основные электрические характеристики, области применения, назначение выводов, блок-схема и схема включения.
.....76 Двухканальный драйвер верхнего ключа FAN7385 ...............................................80 <...> RT = 80 кОм) 85 кГц Применение Балласт CCFL. <...> 80 кОм) 85 кГц Применение Балласт компактных CCFL. <...> RT = 80 кОм) 85 кГц * при RT 20 кОм, FOSC = 100 кГц Применение Балласт компактных FL. <...> Электрические характеристики VCC 4,75…5,25 В ICC 5…10 мА FOPERAT 40…80 кГц FPWM 80…300 Гц VOL (IOL =
Предпросмотр: Интегральные контроллеры балластов люминесцентных ламп.pdf (0,2 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
Cabex . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .80 <...> PA08 300 0,15 30 8,5 17,5 PA09 80 2 200 85 78 Высокоскоростной PA09M 80 3 200 85 78 PA10 90 5 3 30 67 <...> Высокоскоростной PA91 450 0,2 300 14 30 PA92 400 4 50 14 80 PA93 400 8 50 14 125 PA94 900 0,1 700 24 <...> SA160 10 80 45 800 POWER SIP (12 выв.) SA160A 14 80 45 1200 POWER SIP (12 выв.) <...> Параметры супермодулей и блока ИВЭ — 400 Вт (5 В, 80 А) Сетевой ИВЭ – 400 Вт (5 В, 80 А): модули, узлы
Предпросмотр: Силовая электроника №1 (52) 2015.pdf (0,1 Мб)
«Технологии в электронной промышленности» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка печатных плат, о фирмах, работающих на рынке производства электроники. Тематически журнал охватывает все сферы производства печатных плат и ориентирован прежде всего на технологов и конструкторов, работающих в электронной промышленности.
Сегодня программными средствами, созданными компанией Altium, пользуются более 80 000 специалистов по <...> 15 80 20 М1, М2 80 22 85 22 уХлТС5, уХлТС5а 90 15 90 20 уХл1.1, у1.1 98 25 70 15 70 20 уХл3, у3, уХл3а <...> , у3а 80 15 80 20 М3.1, М4 80 22 75 22 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Обеспечение <...> Дмитрий Ублинский . № 3, стр . 80 Программное решение вопросов запуска продукции в производство . <...> Илья Нотин . № 7, стр . 80 12.
Предпросмотр: Технологии в электронной промышленности №8 2015.pdf (0,5 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
Un = 80 кВ, номинальная емкость Cn = 30,2 нФ), их пиковый разрядный ток не менее 2,2 кА. <...> Размеры печатной платы универсальной системы управления (МУ) — 60×80 мм. <...> Для диода D2 следует взять из табл. 4 ток нагрузки, равный 80 А. <...> . = 172 + 191 + 159 + 303 + 103 + 80 = 1008 Вт при Pн = 12 кВт (150 В, 80 А); КПД — ηзв. пост. = Pн / <...> Относительная влажность воздуха при +20 °С должна быть не более 80%.
Предпросмотр: Силовая электроника №6 2014.pdf (0,5 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
2,8 700 258 132 Genesis Photonics СА18-3Х 4000 80 3 700 250 119 * При температуре p-n-перехода чипа <...> 5000, 5700, 6500 Световой поток, лм 380…653 (в зависимости от группы) Индекс цветопередачи (CRI) 70, 80 <...> Результаты тестов светодиодов MHB по стандарту LM-80 Параметр TS, °C Iпр, мА Цветовая температура, К <...> Число образцов Продолжительность теста, ч Срок службы по ТМ-21, ч MHBA-2 105 320 (9 В) 160 (18 В) 80 <...> 2,8 700 258 132 Genesis Photonics СА18-3Х 4000 80 3 700 250 119 * При температуре p-n-перехода чипа
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №6(50) 2017 (1).pdf (0,1 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
Т. 80. №1. С. 130. 44. www.r-sensors.ru. 45. <...> V. 80. № 3. P. 479. 76. Lee W.H.K., Evans J.R., Huang B.-S. et al. <...> град 40 (б) 60 80 α, град λ=520 Рис. 2. <...> α, град l = 80 Рис. 4. <...> α, град 100 120 140 160 180 0 20 40 (б) 60 80 α, град ϕ, град λ=633 Λ=56 l = 80 d = 70 θ= 12 ° , Рис
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №12 2018.pdf (0,0 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
км было установлено 46 светодиодных светильников для наружного освещения последнего поколения «Стрит-80 <...> 150 360 640 350 Падение напряжения (I = Iн), В 3,0 25,0 10,2 10,5 3,2 Световой поток (I = Iн, CRI = 80 <...> Широкий диапазон входных напряжений 4,5–80 В, а также максимальный выходной ток 2 А позволяют запитать <...> — Ведущие производители в характеристиках указывают сроки службы светодиодов около 80 000 ч (девять с <...> более 80 Более 80 Применение на рынке освещения – – – Слабое освещение Замена ламп накаливания Замена
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №1 2011.pdf (0,7 Мб)
«Инженерный журнал: наука и инновации» – научно-практическое издание, в котором публикуются оригинальные (т. е. не опубликованные в других изданиях) статьи, содержащие результаты научных исследований по всем разделам, заявленным в рубрикаторе. Выбор электронной формы издания был обусловлен необходимостью оперативного введения в научный оборот результатов научных исследований, что соответствует тенденции сделать оплаченные государством результаты научного труда общественным достоянием. Это же предполагает выбор редакцией журнала свободного доступа к его контенту.
Автор более 80 публикаций. <...> Автор более 80 публикаций. <...> Author of more than 80 works. <...> Турмамбеков 12 more than 80 works. <...> , М4 (б), М5 (в) со скоростью vс = 5 м/с истечения водяной струи в моменты времени t = 10 (слева) и 80
Предпросмотр: Инженерный журнал наука и инновации №4 2015.pdf (0,6 Мб)
Журнал является официальным журналом Российской Ассоциации Радиологов (РАР). История старейшего в России медицинского журнала начинается с 1920 года. Журнал, посвященный в настоящее время вопросам лучевой диагностики и лучевой терапии, стоит у истоков развития Российской рентгенологии и радиологии. В журнале находят отражение такие методы медицинской визуализации как традиционная рентгенодиагностика, рентгеновская компьютерная и магнитно-резонансная томография, ультразвуковая и радионуклидная диагностика, ангиография и рентгенохирургия.
В журнале освещаются наиболее актуальные вопросы медицинской визуализации в кардиологии, неврологии, онкологии, лучевой диагностики заболеваний скелетно-мышечной системы, органов дыхания, желудочно-кишечного тракта, малого таза. Большое место занимают научные статьи и обзоры по вопросам радиобиологии, дозиметрии и радиационной защиты. Традиционно широко освящаются проблемы рентгенохирургии и рентгеноэндоваскулярных методов диагностики и лечения в различных областях медицины.
.: Прима Принт; 2019: 80 c. 4. Невзорова М.С., Чепкасова Н.И., Ботало Н.С. <...> На КТ-изображениях у пациентки визуализировалось овальной формы одно100 100 100 80 80 80 60 60 60 40 <...> 40 40 20 20 20 0 0 0 0 0 0 20 20 20 40 40 40 60 60 60 80 80 80 100 100 100 Чувствительность, % / Sensitivity <...> Смертность от РЦМ колеблется от 25% до 80% [5]. <...> М.; 2013. та – 90% (80%).
Предпросмотр: Вестник рентгенологии и радиологии №1 2023.pdf (0,4 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
Журавлева Светлое будущее: инновационные технологии в дорожном и транспортном сегментах .............80 <...> При CRI 80–95 и ССТ Рис. 3. <...> Вся линейка устройств по мощности и цветовой температуре выпускается с CRI 80+. <...> Типичные характеристики светодиодов СОВ серии D от Samsung при CRI 80+, СCT 3000 K. <...> Правила эко-дизайна требуют минимального значения CRI, равного 80.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №6 2016.pdf (0,1 Мб)
Основан в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость.
(а) 560 T, K 123 4 0 20 40 60 80 600 640 680 720 760 DTGA, a.u. <...> V. 80. № 5. P. 1042–1045. 22. Rege S.U., Yang R.T. <...> рассчитанные по формуле (1): 1 – для УНТ с закрытым концом: 2 – для УНТ с открытым концом. 10–16 60 80 <...> η, % Q Q/Qmax H-3 1.2 43 5.8 58 0.22 0.53 795 0.48 1.8 64 9.6 69 0.44 0.70 877 0.54 Ni-63 2 214 30 80 <...> простой конфигурационный файл, пример которого дан ниже: Name rf1r1w80x128 PortsRd 1 PortsWr 1 Regs 80
Предпросмотр: Микроэлектроника №1 2017.pdf (0,0 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
Äëèíà âîëíû, íì ÂÀÖ-Si ÂÀÖ-P ÂÀÖ-Al ÂÀÖ-Ge 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 Ìàêñèìàëüíûé ÊÏÄ, % 80 <...> 80 MKM2 (RIS. 8, b). uSTANOWLENO, ^TO POGLO]ENIE PO OBOLO^KE WBLIZI DLINY WOLNY 810 NM U SWETOWODA <...> Generated idler Amplified signal Combined Pump average power, W Pump conversion, % 016 4812 0 60 20 80 <...> 60 Signal Idler 40 2,8 2,9 3,0 3,1 40 60 80 100 120 0 0 0,5 1,0 Power, mW 200 100 300 400 1,5 2,0 2,5 <...> Podivilov, et al. 63 RMSE d c a b hni hmi 80 0,02 0 0,2 0,4 0,6 0,8 0 0,2 0,4 0,6 0,8 0,04 0,06 60 40
Предпросмотр: Автометрия №1 2023.pdf (0,2 Мб)
ФГБОУ ВО Ижевская ГСХА
Учебное пособие содержит теоретические материалы и примеры расчета и задания по расчету схем электронной техники. Приведены задания
для выполнения расчетно-графической и самостоятельной работы
студентов. Предназначены для студентов баклавриата, изучающих дисциплины «Электроника», «Электронная техника» и «Электроника и микропроцессорная техника», обучающихся по направлениям «Агроинженерия» и «Теплоэнергетика и теплотехника».
Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 21 𝐼дел = 20𝐼б2 = 20 𝐼к2 𝛽2 = 20 10 80 <...> удовлетворяет транзистор типа КТ908А с параметрами: 𝐼к𝑚𝑎𝑥доп = 10 А, 𝑃к𝑚𝑎𝑥доп = 50 Вт, 𝛽 = 80 <...> Расчет компенсирующего резистора на втором входе ОУ: 80 , 120 240 120 240 || || || 1 2 1 2 3 1 2 4 1 <...> 200 1,6 1000 50 1,4 77 0,4 50 1,8 1250 20 1,5 78 0,45 75 2,0 1500 30 1,6 79 0,5 100 1,0 500 40 1,4 80 <...> 50 30 76 4.1,б 20 30 30 24 77 4.2,а 25 40 5 30 40 26 78 4.2,б 30 10 50 28 30 1,5 79 4.3 20 15 30 26 80
Предпросмотр: Электроника. Расчет электронных схем.pdf (0,7 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
10 5 5 10 5 10 5 10 5 10 5 10 5 10 5 10 5 5 10 5 10 5 10 5 10 5 10 5 10 5 10 5 @ Vgs, В 150 150 150 80 <...> , мОм Корпус BUK2M6050SYEB BUK2M3850SYEB BUK2M3050SYEB BUK22150DY 6 9 12 3 50 50 50 50 60 38 30 80 <...> 80 40 80 80 200 100 100 50 28 280 180 140 130 108 90 50 40 50 BUK3G9050SBDA 28 40 50 BUK3G6850SBDA <...> ГОСТ 24461 — 80 (СТ. СЭВ 1656 — 79). Приборы полупроводниковые силовые. <...> При имитации аварийного режима амплитуда напряжения источника питания выбирается 80 В.
Предпросмотр: Силовая электроника №1 2004.pdf (0,4 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
80 43 43 30 26 5 «Световые технологии» 120°, Т = 4000 K – Demino Leg 40 Demino Leg 80 Demino Leg 2×40 <...> Demino Leg 2×80 LED ECO 35 LED ECO 70 40 80 80 160 35 70 38 75 75 150 38 73 129 123 131 123 118 129 <...> 22400 27000 33600 38000 80 160 200 240 280 140 140 135 140 135 63 50 48 48 41 9 «СВТехникс» 120°, Т <...> В настоящее время набор линейных драйверов Mean Well состоит из серий SLD-50/80 (50/80 Вт) и LDC-35/55 <...> /80 (35/55/ 80 Вт).
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №5 2019.pdf (0,1 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
100 120 140 160 180 Bunny Armadillo Airplane Face 0 20 40 60 80 100 120 0 rIS. 2. <...> 100 120 140 160 180 Bunny Armadillo Airplane Face 0 20 40 60 80 100 120 0 rIS. 5. <...> 100 120 140 160 180 Bunny Armadillo Airplane Face 0 20 40 60 80 100 120 0 rIS. 8. <...> 100 120 140 160 180 Bunny Armadillo Airplane Face 0 20 40 60 80 100 120 0 rIS. 11. <...> {WARC2 71 1000 1500 2000 2500 3000 Èòåðàöèè 0 500 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 1000 1500 2000 2500
Предпросмотр: Автометрия №5 2022.pdf (0,2 Мб)
КГТУ
В предлагаемой книге рассмотрены физические основы радиографического метода контроля, его достоинства и недостатки, источники рентгеновского и гамма-излучений и свойства этих излучений. Даны основные определения и единицы измерений ионизирующих излучений. Большое внимание уделено радиографическим фотоматериалам: их свойствам, способам испытаний, особенностям химико-фотографической обработки. Рассмотрены критерии пригодности радиографических материалов для неразрушающего контроля и методы оценки качества радиографического изображения. Обсуждены особенности формирования и визуализации изображения в
радиографии, а также факторы, определяющие качество изображения. Представлен теоретический анализ выявляемости деталей изображения и описаны экспериментальные методы её определения. Значительное внимание уделено усиливающим экранам – рассмотрены механизмы их влияния на сенситометрические показатели и чувствительность к выявляемости дефектов. Сформулированы принципы выбора источников ионизирующего излучения, усиливающих экранов, радиографических фотоматериалов, способов их химико-фотографической обработки и оценки качества изображения. Рассмотрены вопросы защиты от облучения ионизирующими излучениями.
авиастроении, промышленная радиография среди применяемых средств контроля качества составляет свыше 80 <...> Относительно низкая энергия фотонов позволяет осуществить защиту из свинца массой до 80 кг. <...> к оптической плотности при экспонировании без экрана (DБЭ), DЭ/DБЭ 45 1,06 50 1,10 60 1,15 70 1,19 80 <...> 80 59,0 9,13 0,47 150 50.0 6,96 0,29 100 43,0 5,09 0,19 100 40,0 4,40 0,15 80 35,5 3,32 0,11 Следует <...> При экспонировании более жестким излучением (80 кВ), наоборот, образуется много ступеней, но при этом
Предпросмотр: Основы промышленной радиографии. Монография.pdf (0,3 Мб)
Изд-во НГТУ
Настоящее учебно-методическое пособие охватывает полный цикл
практических работ, выполняемых студентами IV курса по «Основам
силовой электроники». В пособии содержится описание аппаратного
комплекса, включающего разного рода типы преобразователей и
нагрузок. Студенты выполнят работы по мостовому инвертору тока,
однофазному и трехфазному инвертору напряжения. Приводятся порядок выполнения экспериментов и необходимые формулы для обработки результатов. Кроме того студенты ознакомятся теоретически с
матричными преобразователями частоты.
постоянным отношение r н / L н , равное 200 ( rL нн 20 0.1 ; rL нн 40 0.2 ; rL нн 60 0.3 ; rL нн 80 <...> коммутирующих конденсаторов, равные 40 мкФ. Установите сопротивление r н нагрузочного резистора А2, равное 80 <...> Таблица 9 М Rн Ом 30 40 50 60 70 80 90 100 200 300 0.98 Uвых В Iвых А 0.7 Uвых В Iвых А 0.3 Uвых В Iвых <...> Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 65 Таблица 14 М Rн. от. ед. 10 20 30 40 50 60 70 80 <...> Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 Рис. 21.
Предпросмотр: Основы силовой электроники.pdf (0,3 Мб)
Журнал «Электросвязь» — ежемесячный научно-технический журнал по проводной и радиосвязи, телевидению и радиовещанию, предназначенный для широкого круга специалистов в области связи и информатизации. Основан в 1933 г.
Журнал «Электросвязь» — это:
- результаты новейших научных исследований, обеспечивающих повышение эффективности сетей связи, методы их проектирования с использованием перспективных технологий как отечественных, так и зарубежных;
- вопросы создания экономически эффективных служб связи, внедрения новых услуг, управления сетями, их технического обслуживания на основе современных решений;
- оперативная информация о деятельности и технической политике Министерства информационных технологий и связи РФ, администраций связи других стран СНГ, Регионального содружества в области связи, Международного союза электросвязи.
Публикации в «Электросвязи» учитываются Высшей Аттестационной Комиссией при Министерстве Образования РФ при защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата и доктора наук.
Даже с учетом перспективы их потребуется не более 80 (т. е. на трех спутниках должно быть размещено в <...> общей сложности всего 80 аппаратурных модулей). <...> Тигин, ранее директор ЛОНИИР (конец 70-х — начало 80-х гг.), В. В. <...> Павлюк (конец 70-х — середина 80-х гг.), А. Б. Налбандян (с середины 80-х по 2002 г.), А. В. <...> Крупин (80-е — 90-е гг.).
Предпросмотр: Электросвязь №10 2009.pdf (0,7 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
. kWAZIGETERODINNYJ METOD INTERFERENCIONNYH IZMERENIJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 <...> IZ REPOZITORIQ KEEL [13]: balance, pima, bupa, iris. w \TOJ SHEME NABOR RAZBIWALSQ NA PQTX FAJLOW, 80 <...> 60 40 40 95 110 95 110 125 125 140 140 60 80 100 120 100 80 60 60 80 100 120 -0,25 0 0 3,6 1,8 1 3 0,25 <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 awtometriq. 2015. t. 51, 3 opti~eskie <...> P. 70{80. 4. MacDonald C. A.
Предпросмотр: Автометрия №3 2015.pdf (0,2 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
Доступны варианты с входным напряжением +5, +12 и +24 В с диапазоном ±10%, КПД превышает 80%. <...> Диапазон рабочих температур –40…+85 °C без деградации (+80 °C для версий с выходом 1, 8 и 9 В). <...> В соответствии с ней сертифицируются блоки питания с энергоэффективностью не менее 80% при нагрузке в <...> Емкость конденсатора С7 — 80 нФ. <...> Z) 20,5–32,5 80 В/100 мс ±600 В/2 мкс DO-160E (кат.
Предпросмотр: Силовая электроника №1 2022.pdf (0,1 Мб)
Изд-во НГТУ
В пособии изложены подходы и методы анализа электрических цепей, физические основы, принципы действия и характеристики полупроводниковых приборов; описаны типовые выпрямительные и усилительные устройства, выполненные на базе полупроводниковых приборов; разобраны примеры расчета электрических цепей постоянного и переменного тока; приводится задание на типовую расчетно-графическую работу. Предназначено для студентов, изучающих дисциплину «Электротехника и электроника», а также всех желающих получить навыки исследования и расчета электрических цепей.
При R = 10 Ом напряжение на вольтметре равно 80 В, соотвественно ток через резистор R равен I = 80 / <...> Решение * SU IUI cos jUI sin PjQ 10 e jjj 80 10 e 20 100 e 60 (50 j 86,6) ВА. <...> ui 80 20 60 . <...> 24,4 je 10,8 26,7 j 23 55 Ом. Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 80 <...> Таблица 4.5 Номер стенда 1 2 3 4 5 6 7 8 I 0 ном , мА 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 R н , Ом 100 80
Предпросмотр: Электротехника и промышленная электроника.pdf (0,6 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
Одновременно с тем, что Current строго следует стандартам, таким как стандарт LM-80 на характеристики <...> мм, ширина 80 мм, высота 21 мм). <...> Р, Вт Ток, мА Масса, кг Габариты, мм Цвет 1 2LA355163-00 13 10 2 2,6 80 120 0,11 Ø64×60 Б, С, Р, М 2 <...> 2LA4559450-XX ~28 80 2 0,026 – 0,315 5600 6 СД багажного отделения 2LA455637-XX ~28 9,8 0,275 6000 7 <...> Сергей Никифоров, Александр Архипов. № 4, стр. 80.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №6 2019.pdf (0,1 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
–10/+22 145 –55…+150 80 4,8 1590 63 72 58 20,5 35 17,8 TO-247 AMG30N1200MT4 1200 32 80 –10/+22 175 – <...> 55…+175 80 3,9 1465 78 72 42 15 36 11 TO-247–4 AMG30N1200MT7 1200 32 80 –10/+25 145 –55…+150 80 4,8 1590 <...> 5 DC–30 (–3 дБ) –40…+105 RTO15LSR508 15 ±40 RTO20LSR508 20 ±50 RTO25LSR508 25 ±62,5 RTO32LSR508 32 ±80 <...> Сетевой коэффициент мощности для VSI и LCI LCI 1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 70% 80% 90% 100% 100% 150% 200% <...> Инвертор VSI способен обеспечить частичный крутящий момент при уровне сетевого напряжения 70–80%.
Предпросмотр: Силовая электроника №1 (0) 2024.pdf (0,1 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
Силовая Электроника, ООО . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .80 Симметрон <...> Отдадим должное: такой подход был реализован в СССР еще в 80-х годах прошлого столетия уже не существующим <...> Общая площадь кристаллов MOSFET составляет 80 мм2, сопротивление открытого канала при RT — 16 мОм. <...> Все фильтры GAIA Converter способны выдерживать скачки напряжений до 80 В/100 мс (по стандарту MIL-STD <...> STSPIN233 имеет малый ток (менее 80 нА) в режиме ожидания, помимо этого, драйвер может быть переведен
Предпросмотр: Силовая электроника №3 2018.pdf (0,1 Мб)
Журнал «Электросвязь» — ежемесячный научно-технический журнал по проводной и радиосвязи, телевидению и радиовещанию, предназначенный для широкого круга специалистов в области связи и информатизации. Основан в 1933 г.
Журнал «Электросвязь» — это:
- результаты новейших научных исследований, обеспечивающих повышение эффективности сетей связи, методы их проектирования с использованием перспективных технологий как отечественных, так и зарубежных;
- вопросы создания экономически эффективных служб связи, внедрения новых услуг, управления сетями, их технического обслуживания на основе современных решений;
- оперативная информация о деятельности и технической политике Министерства информационных технологий и связи РФ, администраций связи других стран СНГ, Регионального содружества в области связи, Международного союза электросвязи.
Публикации в «Электросвязи» учитываются Высшей Аттестационной Комиссией при Министерстве Образования РФ при защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата и доктора наук.
Draft resolution IMO MSC.199 (80) (adopted on 16 May 2005). <...> ://wwwcdn. imo.org/localresources/en/KnowledgeCentre/ IndexofIMOResolutions/MSCResolutions/ MSC.199(80 <...> 53,33 26,67 72 0,35 53,33 160 106,67 53,33 8PSK 3/4 36 0,35 26,67 80 60 20 72 0,35 53,33 160 120 40 <...> 8PSK 5/6 36 0,35 26,67 80 66,67 13,33 72 0,35 53,33 160 133,33 26,67 8PSK 8/9 36 0,35 26,67 80 71,11 <...> 8,89 72 0,35 53,33 160 142,22 17,78 8PSK 9/10 36 0,35 26,67 80 72 8 72 0,35 53,33 160 144 16 Таблица
Предпросмотр: Электросвязь №11 2022.pdf (0,6 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
Сафина 19 0 20 40 60 80 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 ÀÊÔ Ðàññòîÿíèå a b Рис. 1. <...> Имитированное изображение (a) и его АКФ (b) 1 1 2 2 3 3 80 120 160 200 0 2 4 6 8 10 0 40 80 120 0 100 <...> С. 80–89. 4. Светлаков А. А. <...> 100 120 140 160 40 60 80 100 120 140 160 40 60 80 100 120 140 160 40 60 80 100 120 140 160 0,0 0,8 1,6 <...> Т. 60, № 2 0 20 40 60 80 100 T, oC 0 1k 2k 3k 4k 5k 6k 7k 8k 9k 10k t i Рис. 1.
Предпросмотр: Автометрия №2 (0) 2024.pdf (0,0 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
OBESPE^IWAETSQ WYIGRY[ osp 48 Db. 0 10 20304050 Óãîë ïðèõîäà ïîìåõè, ãðàä Âûèãðûø ïî ÎÑÏ, äÁ 60 70 80 <...> 90 60 70 80 90 100 110 120 130 1 2 rIS. 2. zAWISIMOSTI WYIGRY[A PO osp{ q OT UGLA PRIHODA POMEHI n <...> 90 50 60 70 80 90 100 110 1 2 rIS. 3. zAWISIMOSTI WYIGRY[A PO osp{ q OT UGLA PRIHODA POMEHI n DLQ <...> : 1 | op{ 60 Db; 2 | op{ 20 Db 45 10 20 30 40 50 Êîëè÷åñòâî àêòèâíûõ ïîìåõ Âûèãðûø ïî ÎÑÏ, äÁ 60 70 80 <...> «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 18 awtometriq. 2021. t. 57, 2 10 20 30 40 50 60 70 90 100 80
Предпросмотр: Автометрия №2 2021.pdf (0,2 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
стойкость к воздействию влаги, что обеспечивает их соответствие новым требованиям по надежности ТНВ-80 <...> SB120 20 30 30 SB125 80 SB130 30 45 30 SB135 80 SB150 50 75 30 SB155 80 SB160 60 90 30 SB165 80 SB1100 <...> 100 150 30 SB1105 80 Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Силовая электроника, <...> 30 А (максимальное значение 40 А), вторая — образована электрическими соединителями с повышенным до 80 <...> Преобразователь мощностью 5 Вт работает при температуре –40…+80 °C Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО
Предпросмотр: Силовая электроника №4 2019.pdf (0,1 Мб)