621.38Электроника. Микроэлектроника. Полупроводниковая электроника. Оптоэлектроника. Фотоэлектроника. Рентгенотехника. Ускорители частиц. Вакуумная электроника
← назад

Свободный доступ

Ограниченный доступ

Уточняется продление лицензии
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
построения активной части — двухсторонне металлизированную конденсаторную бумагу, пропитку минеральным маслом
Предпросмотр: Силовая электроника №3 2005.pdf (0,2 Мб)
Автор: Шишкин Г. Г.
М.: Лаборатория знаний
В учебном пособии излагаются физические и технологические основы наноэлектроники, в том числе принципы функционирования и характеристики наноэлектронных устройств на базе квантово-размерных структур: резонансно-туннельных, одноэлектронных и спинтронных приборов. Рассматриваются особенности квантовых компьютеров, электронных устройств на сверхпроводниках, а также приборов нанобиоэлектроники. Каждая глава снабжена контрольными вопросами и заданиями для самоподготовки.
Несмотря на очевидные успе хи хроматографической технологии сепарации и очистки фул леренов, проблема <...> Несмотря на очевидные успе хи хроматографической технологии сепарации и очистки фул леренов, проблема <...> Несмотря на очевидные успе хи хроматографической технологии сепарации и очистки фул леренов, проблема
Предпросмотр: Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства (1).pdf (0,2 Мб)
Автор: Дьяконов Владимир Павлович
М.: ДМК Пресс
В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен — от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Особое внимание уделено измерительным приборам для их исследования: широкодиапазонным генераторам синусоидальных, импульсных и произвольных сигналов, скоростным аналоговым, цифровым и стробоскопическим электронным осциллографам, а также их аксессуарам и опциям. Детально описаны характеристики новейших приборов ведущих фирм мира.
Как и в других примерах, для очистки сигнала от шумов как генератора, так и цифрового осциллографа используется
Предпросмотр: Сверхскоростная твердотельная электроника.pdf (0,3 Мб)
Автор: Коловская А. Ю.
Сиб. федер. ун-т
Рассмотрены вопросы истории, теории и практики педагогики, педагогические инновации и примеры их реализации; психологический образ педагога высшей школы, личность студента как психологическая реальность; приводятся данные социально-педагогических исследований студентов; анализируются современные зарубежные образовательные процессы. Значительное место отводится педагогическим технологиям, методам и видам современной лекции, стилям и приемам преподавания учебных дисциплин. В учебнике имеются глоссарий, именной и предметный указатели.
Что представляют собою те полуфабрикаты, из которых приготовляется пища (масла, крупы, кофе, чай и пр
Предпросмотр: Образовательные процессы и ресурсы высшей школы в области радиоэлектроники учебное пособие.pdf (2,6 Мб)
Автор: Харрисон Линден Т.
М.: Додэка-XXI
Источники тока (ИТ) и источники опорного напряжения (ИОН) являются неотъемлемыми элементами многих аналоговых схем, поскольку обеспечивают фиксированные и высокостабильные уровни токов или напряжений. Настоящая книга представляет собой исчерпывающее руководство по разработке источников тока и опорного напряжения. В ней рассматриваются теоретические основы работы, схемотехника и методика применения этих устройств, реализованных как в виде монолитных ИС, так и на дискретных компонентах, а также показано, как ИОН и ИТ дополняют друг друга при проектировании аналоговых схем. Особое внимание уделено таким компонентам, как полевые транзисторы и стабилитроны, которые широко используются при построении дискретных схем ИОН и ИТ. Параметры этих приборов во многом определяют качество работы схемы, именно поэтому в книге приводится большое количество информации, необходимой для правильного их выбора с учетом требований конкретного применения. Книга содержит большое количество примеров, типовых схем включения тех или иных компонентов, так и различных схемотехнических решений, рекомендуемых при построении ИОН и ИТ. Благодаря этому, читатель имеет возможность реализовать полученные теоретические знания на практике; не исключено, что многие из этих примеров послужат читателю хорошей «отправной точкой» при разработке его собственных схем источников тока и опорного напряжения.
Путём очистки необработанного кремния можно выделить 99.99% чистого кремния.
Предпросмотр: Источники опорного напряжения и тока.pdf (0,3 Мб)
Автор: Харрисон Линден Т.
ДМК Пресс, Додэка-XXI
Источники тока (ИТ) и источники опорного напряжения (ИОН) являются неотъемлемыми элементами многих аналоговых схем, поскольку обеспечивают фиксированные и высокостабильные уровни токов или напряжений. Настоящая книга представляет собой исчерпывающее руководство по разработке источников тока и опорного напряжения. В ней рассматриваются теоретические основы работы, схемотехника и методика применения этих устройств, реализованных как в виде монолитных ИС, так и на дискретных компонентах, а также показано, как ИОН и ИТ дополняют друг друга при проектировании аналоговых схем. Особое внимание уделено таким компонентам, как полевые транзисторы и стабилитроны, которые широко используются при построении дискретных схем ИОН и ИТ. Параметры этих приборов во многом определяют качество работы схемы, именно поэтому в книге приводится большое количество информации, необходимой для правильного их выбора с учетом требований конкретного применения. Книга содержит большое количество примеров, типовых схем включения тех или иных компонентов, так и различных схемотехнических решений, рекомендуемых при построении ИОН и ИТ. Благодаря этому, читатель имеет возможность реализовать полученные теоретические знания на практике, не исключено, что многие из этих примеров послужат читателю хорошей «отправной точкой» при разработке его собственных схем источников тока и опорного напряжения.
Путём очистки необработанного кремния можно выделить 99.99% чистого кремния.
Предпросмотр: Источники опорного напряжения и тока.pdf (0,2 Мб)
Автор: Титце Ульрих
М.: ДМК Пресс
Книга Ульриха Титце и Кристофа Шенка «Полупроводниковая схемотехника» представляет собой фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания из этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т.д.). Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй — применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материала широко используются эквивалентные схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники и научным работникам.
коррекция зажигания и впрыска) 2 бара Автотранспорт (давление в шинах) 10 бар Автотранспорт (давление масла
Предпросмотр: Полупроводниковая схемотехника.pdf (1,6 Мб)