537Электричество. Магнетизм. Электромагнетизм
← назад

Свободный доступ

Ограниченный доступ

Уточняется продление лицензии
Автор: Елизаров Андрей Альбертович
Издательский дом ВШЭ
Монография посвящена исследованию физических и конструктивно-технологических особенностей резонансных отрезков электродинамических замедляющих систем и структур с метаматериалами для создания на их основе многофункциональных элементов, узлов и модулей, обеспечивающих миниатюризацию и улучшение электрических параметров и характеристик микроволновых частотно-селективных устройств. Предложенные и разработанные конструкции перспективны для применения в составе современных средств телекоммуникаций и связи.
Топология МПФ на связанных линиях представлена на рис. 1.1, топология и зависимость комплексного коэффициента <...> отверстием и участком топологии, отходящим от переходного отверстия к краю топологии и образующим один <...> Топология многослойной платы перестраиваемой частотно-селективной метаповерхности: а — топология верхнего <...> Вариант топологии фильтра представлен на рис. 6.12. <...> Конструкция развязывающего фильтра: общий вид (а), топология верхнего слоя (б), топология среднего слоя
Предпросмотр: Микроволновые частотно-селективные устройства на резонансных отрезках электродинамических замедляющих систем и структурах с метаматериалами.pdf (0,3 Мб)
Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций.
В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов.
«Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера
Компьютерное моделирование базовых печатных фрагментов топологии 4-лучевой ФАР В этом разделе описаны <...> Согласно этим размерам на рис. 8 представлена топология этого пересечения. <...> Рис. 8 – Топология пересечения Fig. 8 – Intersection topology На рис. 9 видны затухания в исследуемом <...> Согласно расчетам и программной оптимизации получилась топология, представленная на рис. 10. <...> Рис. 14 – Топология излучателя Fig. 14 – Radiator topology Результаты моделирования представлены на рис
Предпросмотр: Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации №3 2019.pdf (1,2 Мб)
Издается с июля 1880г. Научно-технический журнал в области энергетики и электротехники.
Новая цен трализованная топология фотоэлектрических преобразователей, работающих с сетью, оптими зированная <...> Топология гибридного энерге тического комплекса на базе фотоэлектрической, ветроэнергетической и дизель <...> В статье предлагается новая топология централизованного инвер тора, подключенного к сети, основанная <...> Для проверки работы предложенной топологии выполнено компьютерное моделирование с использованием MATLAB <...> Результаты моделирования показывают, что предложенная топология обеспе чивает хороший отклик в устойчивом
Предпросмотр: Электричество №7 2019.pdf (1,7 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Топология безындуктивных DC/DC преобразователей с гальваническим разделением цепей. <...> Битюков Топология безындуктивных DC/DC преобразователей с гальваническим разделением цепей В таком DC <...> Фактически рассматриваемая топология DC/DC преобразователя реализует повторитель напряжения (рис. 1). <...> Битюков Топология безындуктивных DC/DC преобразователей с гальваническим разделением цепей РЕЗУЛЬТАТЫ <...> В рассмотренной топологии удвоителя гальваническая развязка не выполняется.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №2 2021.pdf (1,0 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
В работе исследуется влияние топологии сети на надежность ССС. Методы. <...> Преимущество радиальной топологии сети возрастает по мере увеличения числа узлов. <...> В ССС используются следующие топологии сети [13]. <...> Поэтому наиболее часто применяют кольцевую и радиальную топологии. <...> ССС С КОЛЬЦЕВОЙ ТОПОЛОГИЕЙ ССС с кольцевой топологией работоспособна, если исправны все узлы, что соответствует
Предпросмотр: Российский технологический журнал №1 2022.pdf (1,0 Мб)
Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
Основные разделы журнала:
общая физика;
физика плазмы и плазменные методы;
электронные, ионные и лазерные пучки;
фотоэлектроника;
физическая аппаратура и её элементы;
научная информация
Топология МФЧЭ первого типа. Данный тип топологии реализован, например, в [10]. <...> Топологией второго типа назовем многосубматричную топологию МФЧЭ (G > 1) с пространственно-разнесенными <...> Топология МФЧЭ второго типа. <...> Топология МФЧЭ третьего типа. <...> ), топологии с пространственно-разнесенными субматрицами (топологии второго типа) и топологии с пространственно-вложенными
Предпросмотр: Успехи прикладной физики №6 2017.pdf (0,9 Мб)
Автор: Паркер Юджин Н.
М.: Институт компьютерных исследований
Эта монография является долгожданным дополнением к уже существующим многочисленным статьям и книгам по электромагнетизму; в ней рассматривается такое явление как космический электромагнетизм - точнее сказать, крупномасштабные магнитные поля, которые переносятся в потоке ионизированных газов звезд и галактик в космическом пространстве. Автор дает свой взгляд на проблемы, описанные в стандартных статьях, и указывает на некоторые часто встречающиеся заблуждения о характере динамики этих крупномасштабных полей. Ю. Паркер вовлекает читателей в ряд диалогов, которые, порой, даже забавны, но на самом деле ведут в самую суть проблемы. Та динамика, о которой он говорит, - это давление магнитного поля, направленное против давления и инерции массивного движения ионизированных газов. Ю. Паркер показывает, что эту динамику удобно описывать не в терминах электрического тока, а в терминах магнитного поля. Диалоги об электрических и магнитных полях в космосе возвращают нас к истокам науки и объясняют, почему обращение к классической и магнитной гидродинамике необходимо даже для изучения самых далеких глубин космоса.
ОБЩИЕ ЗАМЕЧАНИЯ 15 ством топологии силовых линий крупномасштабных полей. <...> Единственное, что сохраняется в процессе релаксации, — топология переплетения линий поля. <...> Таким образом, очевидно, что важная информация содержится в топологии линий поля. <...> Топология вещественных характеристик итогового равновесного решения уравнения (10.4) тождественна топологии <...> Топология же электрического тока в турбулентной плазме не постоянна.
Предпросмотр: Беседы об электрических и магнитных полях в космосе.pdf (0,2 Мб)
Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций.
В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов.
«Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера
Модификация топологии квази-импедансного инвертора для автономных систем электроснабжения ........... <...> Предложенная топология КИИ изображена на рис. 1, б. 1. <...> Данная топология показана на рис. 4, б. <...> Модели силовых схем соответствуют топологиям, представленным на рис. 4. <...> Топология местности и застройка прилегающей территории также играют роль.
Предпросмотр: Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации №4 2015.pdf (1,3 Мб)
Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
Основные разделы журнала:
общая физика;
физика плазмы и плазменные методы;
электронные, ионные и лазерные пучки;
фотоэлектроника;
физическая аппаратура и её элементы;
научная информация
пятна от точечного источника позволяет «сотовая» топология фоточувствительной матрицы, представленная <...> Сотовая топология фотоприемной матрицы. <...> Как показано выше, для ИК ФПУ с «сотовой» топологией ФЧЭ это будет в точке на рис. 1. <...> Сравнение значений уровней сигналов и пороговой чувствительности для «сотовой» топологии с расчетными <...> Топология ИМС № 2016630103, 19.08.2016 г. 7. Triquint TGA2612 [Электронный ресурс].
Предпросмотр: Успехи прикладной физики №6 2018.pdf (0,6 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Приведены примеры практической реализации преобразователей, построенных по топологии SEPIC. <...> Разработка импульсного преобразователя напряжения с топологией SEPIC. <...> Улучшенная топология для формирования биполярного питания из одного входного напряжения. <...> Преимущества DC/DC-преобразователей топологии SEPIC со связанными индуктивностями. <...> Топология сети зависит от силы, с которой она реагирует на входные данные.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №4 2021.pdf (0,9 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
Вся остальная топология структуры остается без изменений. <...> Однорезонаторная структура МПФ с совмещенными полосами пропускания; а – топология структуры, б – частотные <...> Двухрезонаторный МПФ с расширенной полосой пропускания; а – топология структуры, б – частотные зависимости <...> ТОПОЛОГИЯ И АНАЛИЗ РЕЗОНАТОРА Акустоэлектронный резонатор на поверхностных акустических волнах (ПАВ) <...> Параметры эквивалентной схемы зависят от топологии преобразователя и используемого материала подложки
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №8 2017.pdf (0,1 Мб)
Издается с июля 1880г. Научно-технический журнал в области энергетики и электротехники.
В одной топологии расположение статоров по отношению к ротору двухстороннее, в другой – одностороннее <...> Авторами [15, 16] выполнено сравнение этой топологии (намагничивание по ширине магнита, длина магнита <...> равна длине ротора, зубец статора расположен со сдвигом на полюсное деление) с топологией [17, 18] ( <...> c двухсторонним расположением статоров и топологии с односторонним расположением статоров (рис. 3 и <...> Для топологии с двухсторонним расположением статоров (рис. 3) параметры фазного модуля генератора (P
Предпросмотр: Электричество №3 (0) 2024.pdf (0,3 Мб)
В сборнике «Труды РФЯЦ-ВНИИЭФ» опубликованы результаты научных
исследований, а также методических и проектно-конструкторских разработок в области прикладных задач теоретической физики, математического моделирования физических процессов, ядерной физики, физики ядерных реакторов, исследований по термоядерному синтезу, электрофизики, физики ускорителей, приборов и техники эксперимента, физики лазеров, гидродинамики, реологии, физики горения и взрыва, физической химии, экологии, материаловедения, безопасности, средств защиты от несанкционированных действий, электроники, радиотехники, оптоэлектроники.
Гибридная топология KNS на основе архитектуры СМПО-10G Топологии КС принято разделять на две группы: <...> К прямым топологиям относятся широко известные топологии Mesh, Tor, Hypercub и TOFU. <...> участке топологии. <...> ВМ в этой топологии располагаются (номеруются) ортогонально по измерениям, аналогично прямым топологиям <...> Гибридная топология 1D KNS (20*1*2) на основе архитектуры СМПО-10G Для топологии KNS были разработаны
Предпросмотр: Труды РФЯЦ-ВНИИЭФ №1 2019.pdf (0,1 Мб)
Теоретический и научно-практический журнал "Вестник МЭИ" как источник информации о достижениях научной школы Московского энергетического института. Выходит с января 1994 г. В издании публикуются материалы фундаментальных и прикладных исследований, современные инженерные решения, гипотезы и научная полемика.
Дана топология базового элемента, обеспечивающая замыкание цепи вывода заряда из ТЭУ. <...> Выбор топологии базового элемента мощного высоковольтного ключа Для повышения максимально допустимого <...> Благодаря замене разрядного диода на форсирующий конденсатор предлагаемая топология базового элемента <...> Применение базового элемента в преобразовательных схемах Выбранная топология базового элемента может <...> Коновалов рассматривает топологию интегральной схемы Рис. 4.
Предпросмотр: Вестник Московского энергетического института №5 2018.pdf (1,3 Мб)
В сборнике «Труды РФЯЦ-ВНИИЭФ» опубликованы результаты научных
исследований, а также методических и проектно-конструкторских разработок в области прикладных задач теоретической физики, математического моделирования физических процессов, ядерной физики, физики ядерных реакторов, исследований по термоядерному синтезу, электрофизики, физики ускорителей, приборов и техники эксперимента, физики лазеров, гидродинамики, реологии, физики горения и взрыва, физической химии, экологии, материаловедения, безопасности, средств защиты от несанкционированных действий, электроники, радиотехники, оптоэлектроники.
топология мультитор. <...> Характеристики КС с топологией «мультитор» Количество процессорных узлов в МВК, использующем КС с топологией <...> Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» ТОПОЛОГИЯ «МУЛЬТИТОР»… 69 Поскольку топология <...> Из рисунка видно, что средняя задержка для топологии 4D-тор меньше, чем для топологии мультитор с одной <...> Расширение сеточной топологии.
Предпросмотр: Труды РФЯЦ-ВНИИЭФ №1 2018.pdf (1,7 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
Для этого были проведены эксперименты по передаче данных в топологии “точка-точка”. <...> Топология сети в этих экспериментах представляла собой цепочку из последовательно соединенных базовой <...> Топология сети при тестировании алгоритма инициализации. <...> Представлено схемное решение и топология восьмиразрядного параллельного аналого-цифрового преобразователя <...> Результаты моделирования экстрактированной схемы АЦП с учетом паразитных элементов топологии кристалла
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №4 2017.pdf (0,1 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
Это означает, что АБС могут обеспечить эмуляцию нейронных сетей с любой топологией связей. <...> На рис. 1 показана топология полосковых полуволновых резонаторов и построена зависимость коэффициента <...> Топология центральных проводников четырехрезонаторного полоскового фильтра (5.3 × 4.2 × × 1.016 мм) с <...> Топология фильтра такая же, как и фильтра на рис. 6а. <...> Топология и промоделированные частотные характеристики фильтра № 3 представлены на рис. 9а.
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №10 2017.pdf (0,1 Мб)
Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций.
В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов.
«Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера
Методы быстрой зарядки состоят из трех различных топологий: топология с преобразователями переменного <...> Общая многоточечная топология с подключением переменного тока и бестрансформаторная топология представлены <...> Кузнецов Был сделан вывод, что метод V2G, который является подветвью топологии станции быстрой зарядки
Предпросмотр: Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации №4 2021.pdf (1,2 Мб)
Автор: Изюмов Ю. А.
М.: Институт компьютерных исследований
Анализируются физические свойства и электронные модели нового класса высокотемпературных сверхпроводников в слоистых соединениях на основе железа. Несмотря на различный химический состав и различие в кристаллической структуре, они имеют похожие физические свойства, обусловленные электронными носителями в FeAs-слоях и их взаимодействием с флуктуациями магнитного порядка. Исключительный интерес к ним объясняется перспективами практического применения. В монографии дается полная картина формирования их физических свойств на основе теоретических моделей и электронной структуры.
Топология поверхности Ферми не показывает нестинга между дырочными и электронными листами, как во многих <...> Неожиданное уточнение топологии Ферми-поверхности сделано для соединения Ba1−xKxSrFe2As2 [151]. <...> Выявленная топология поверхности Ферми существенно отличается от CaFe2As2, будучи трехмерной. <...> В зависимости от величины hAs топология поверхности Ферми соединения меняется. <...> Магнитное упорядочение возникает не за счет особенностей топологии поверхности Ферми, а за счет выигрыша
Предпросмотр: Высокотемпературные сверхпроводники на основе FeAs-соединений (2-ое изд., испр. и доп. ).pdf (0,3 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
Структурный синтез промышленной сети выполняется путем выбора топологии среди множества базовых. <...> При этом базовая топология представляет собой правило, по которому строится топология реальной сети. <...> Для каждой базовой топологии будет решена задача выбора оборудования и соединительных линий. <...> Для каждой топологии из множества базовых топологий выполнить шаги 2–4. Шаг 2. <...> Создать реальную топологию на основании базовой. Шаг 3. Рассчитать максимальную загрузку сети.
Предпросмотр: Российский технологический журнал №2 2018.pdf (0,9 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
В частности, для топологии сети «звезда» член, учитывающий убыль (заражение) уязвимых объектов, умножался <...> В частности, указывается на необходимость разработки стратегий защиты, не уязвимых к изменениям в топологии <...> SI-модель, независимая каскадная модель, динамическая модель распространения и модель, учитывающая топологию <...> Во втором случае топология развития вирусной эпидемии имеет вид дерева (сети) Кэйли со случайным числом <...> Если реализовывать топологии, в которых среднее число связей на один узел будет составлять около 2.5–
Предпросмотр: Российский технологический журнал №3 2019.pdf (1,4 Мб)
Публикуются результаты методических, научных исследований и разработок по направлениям: "Электроэнергетика", "Теплоэнергетика", "Электромеханика и электропривод", "Преобразовательная техника".
С. 22–29 25 Расчет установившихся режимов по заданной топологии, параметрам схемы замещения электрической <...> Топологии источников бесперебойного питания переменного тока / В.П. Климов, А.А. Портнов, В.В. <...> Предложена усовершенствованная топология блока синхронизации, которая позволила улучшить стабильность <...> Топология синтезированного фильтра и его коэффициенты представлены на рис. 4 и в табл. 2 соответственно <...> Топология цифрового БИХ фильтра второго порядка Коэффициенты синтезированного фильтра Коэффициент B(1
Предпросмотр: Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия Энергетика №4 2018.pdf (0,8 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
Дополнительные линейные резисторы и управляемые источники в произвольной топологии не повышают порядка <...> Топологии трехрезонаторных фильтров со средним резонатором, включенным как двухполюсник: а – все резонаторы <...> Топологии трехрезонаторных фильтров со средним резонатором, включенным как четырехполюсник: а – все резонаторы <...> На рис. 11а показана топология шестирезонаторного фильтра, полученного каскадным соедиРис. 11. <...> полосковый фильтр, полученный соединением двух трехрезонаторных фильтров с перекрестной связью: а – топология
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №2 2017.pdf (0,1 Мб)
Издается с июля 1880г. Научно-технический журнал в области энергетики и электротехники.
На рис. 4 представлена топология разработан ного кремниевого элемента фототиристора для работы в импульсных <...> Характерной осо бенностью топологии фототиристора является вы сокая степень разветвления управляющего <...> Топология полупроводниково го элемента фототиристора для им пульсных применений Copyright ОАО «ЦКБ <...> При расчете учитывались реальная топология полупроводниковой структуры фототи ристора и зависимость <...> Топология кремниевых кристаллов GCT и GTO тиристоров практически одинакова, но кри сталлы GCT имеют
Предпросмотр: Электричество №10 2011.pdf (0,1 Мб)
Основан в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом.
Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам.
В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.
Дирочка Предложена топология фотодиода, обеспечивающая малые времена восстановления чувствительности. <...> В предложенной топологии фоточувствительная площадка окружена "карманом", устраняющим медленные диффузионные <...> Топология p–i–n-ФД на основе InGaAs/InP гетероструктруры: а — стандартный; б — с «карманом» Фотодиоды <...> Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2014630154. <...> Модифицированная топология индиевых микроконтактов 1 51 Номер выпуска Стр. Андреев Д.
Предпросмотр: Прикладная физика №6 2015.pdf (0,9 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
Топологии интегральных микросхем”. 2011. № 2. С. 547. Рис. 5. <...> ТОПОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ ЦИФРОАНАЛОГОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ При разработке топологий логических элементов <...> Это приводит к топологиям ЦАП, напоминающим литеры “Г” и “Т” (рис. 4). <...> Топологии разработанного ЦАП и всей микросхемы с кольцом электростатической защиты представлены на рис <...> Размер топологии ЦАП (см. рис. 7) составляет 49 × 36 мкм, площадь равна 1764 мкм2.
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №1 2017.pdf (0,1 Мб)
Публикуются результаты методических, научных исследований и разработок по направлениям: "Электроэнергетика", "Теплоэнергетика", "Электромеханика и электропривод", "Преобразовательная техника".
Следует заметить, что скорость протекания описанного процесса зависит от топологии сети и расстояния <...> Показано, что модель поведения СУ ППТН зависит от топологии схемы сети и расчетных режимов КЗ. <...> Данная топология оказалась весьма удачной в техническом и коммерческом отношении, и в 2005 году фирма <...> Представлена типовая топология подмодуля, состоящая из конденсатора, шунтируемого встречно-параллельным <...> Топология (а) и рабочие положения (б) подмодуля Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис
Предпросмотр: Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия Энергетика №3 2015.pdf (0,7 Мб)
Основан в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом.
Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам.
В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.
Модифицированная топология индиевых микроконтактов .................................................. <...> Aгентство Kнига-Cервис» Прикладная физика, 2015, № 1 51 УДК 621.315.5:621.3.049.77 Модифицированная топология <...> В статье рассмотрена модифицированная топология индиевых микроконтактов, позволяющая повысить надежность <...> Проверка топологии Проведены стыковки кристаллов формата 384×288 элементов с шагом 28 мкм. <...> Методы редактирования топологии БИС считывания 2 37 Андреев Д. С., Гришина Т. Н., Мищенкова Т.
Предпросмотр: Прикладная физика №1 2015.pdf (0,9 Мб)
Издается с июля 1880г. Научно-технический журнал в области энергетики и электротехники.
Трехфазный транзисторный матричный преобразователь частоты с ультраразреженной топологией: свойства и <...> Основы топологии схемы замещения электрических сетей были заложены в классических работах Кирхгофа и <...> Методы определения 2 деревьев графа в топологии электрических сетей. – Известия АН СССР. <...> Под классической топологией транзисторных трехфазных МПЧ понимается топология рис.1 (conventional matrix <...> Однако число транзисторов при этом максимально, как и в традиционной топологии рис. 1.
Предпросмотр: Электричество №2 2024.pdf (0,3 Мб)
Основан в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом.
Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам.
В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.
Развитие колебаний потенциала и пространственного заряда в винтовых электронных пучках с разной топологией <...> Анализ скоростных распределений в разные моменты времени и переходных процессов в ВЭП разной топологии <...> На рис. 1 представлена топология МФЧЭ формата 6×576 элементов с шагом вдоль направления сканирования <...> Преимуществами данной топологии являются: уменьшенные размеры фоточувствительной линейки и уменьшенные <...> Топология МФЧЭ — вариант с уменьшенным шагом Кристалл матрицы формата 6×576 для представленной топологии
Предпросмотр: Прикладная физика №3 2012.pdf (0,7 Мб)
Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.
на распределение доменов в единице объема оказывают существенное влияние дефекты различной природы, топология <...> информационных моделей, визуальные информационные модели должны иметь три характеристики: морфологию, топологию <...> Semantics of visual models in space research Russian Technological Journal. 2022;10(2):51–58 топология <...> Топология и пространственная логика чаще всего присутствуют в визуальных моделях первого типа. <...> составление технического задания (ТЗ); (2) проработка архитектуры; (3) разработка логики ИС; (4) разработка топологии
Предпросмотр: Российский технологический журнал №2 2022.pdf (1,0 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
Структурная схема модуля приведена на рис. 3, внутреннее устройство и топология модуля – на рис. 4. <...> Топология ВЛМ диапазона 12…18 ГГц. <...> Резонаторы на симметричной полосковой линии передачи: а – общий вид; б – топология; в – частоты связи <...> Пара ступенчато-импедансных резонаторов на симметричной полосковой линии передачи: а – топология; б – <...> Четырехрезонаторный полосковый фильтр, слабо связанный с нагрузками: а – топология; б – частоты связи
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №3 2018.pdf (0,1 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
Топологии миниатюрных мостов показаны на рис. 1а, 1б. <...> Топология компактных пятишлейфного (а) и двухшлейфного (б) мостов. (а) (б) Рис. 2. <...> Топология тестового кристалла с элементами энергонезависимой многократно программируемой резистивной <...> Свидетельство РФ № 2017630029 о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы // Опубл <...> Топологии интегральных микросхем” № 2 от 20.02.2017. 21.
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №8 2018.pdf (0,1 Мб)
Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
Основные разделы журнала:
общая физика;
физика плазмы и плазменные методы;
электронные, ионные и лазерные пучки;
фотоэлектроника;
физическая аппаратура и её элементы;
научная информация
результаты разработки фоторезисторов с термоэлектрическим охлаждением фоточувствительных элементов в топологии <...> Топология фоточувствительных площадок в виде кода Грея обеспечивает создание двоичного кодового сигнала <...> И., 2015 Постановка задачи Схематически топология многоэлементного пятиразрядного ФЧЭ с кодом Грея показана <...> Топология ФЧЭ с кодом Грея: 1 — проекция излучения на ФЧЭ в виде полосы; 2 — 1-я площадка 1-го разряда <...> На рис. 3 представлена принципиальная схема конструкции фоторезистора, обеспечивающая работу ФЧЭ в топологии
Предпросмотр: Успехи прикладной физики №2 2015.pdf (0,8 Мб)
Издается с июля 1880г. Научно-технический журнал в области энергетики и электротехники.
серии переходных процессов с изменением типа возмущения и параметров электрического режима, описывающих топологию <...> метода приняты допущения: полная наблюдаемость ЭЭС; узлы с источниками генерации снабжены УСВИ; известны топология <...> Предложенный метод не предполагает автоматического переобучения при изменении топологии электрической <...> Подход позволяет учесть топологию электрической сети с помощью целевой функции: N T , L f G , <...> В качестве входных данных используются топология электрической сети, напряжение узлов и токовая загрузка
Предпросмотр: Электричество №2 (0) 2025.pdf (0,3 Мб)
АГРУС
Рассмотрены общие вопросы электромагнитной обстановки на объектах электроэнергетики, источники и каналы передачи помех, методы и технические средства борьбы с радиопомехами, помехоустойчивость, а также методы испытаний и сертификации элементов вторичных цепей на помехоустойчивость, нормы по допустимым напряженностям электрических и магнитных полей промышленной частоты для персонала и населения.
степенью электромагнитного влияния объектов друг на друга, они определяются геометрическими размерами и топологией <...> Топология фильтра существенно зависит от природы помехи.
Предпросмотр: Электромагнитная совместимость в электроэнергетике.pdf (0,4 Мб)
Издается с июля 1880г. Научно-технический журнал в области энергетики и электротехники.
При этом определение степени зависимости частоты отказов от топологии схемы РУ не проводилось. <...> Оценка надежности выключателей в зависимости от топологии РУ. <...> схемы РУ (10) и частот отказов выключателей ωВ НЕ ТОП без учета топологии схемы РУ (11). <...> Самое слабое влияние топология РУ оказывает на выключатели кольцевых схем. 2. <...> Для такой топологии созданы модели и исследованы режимы работы тягового РРП троллейбуса.
Предпросмотр: Электричество №2 2022.pdf (0,8 Мб)
Данный журнал является единственным, охватывающим все актуальные
вопросы преподавания физики в вузе, и, как мы надеемся, он станет главным
средством общения кафедр физики вузов стран СНГ. Главный редактор журнала − академик Российской академии наук, профессор
МИФИ, научный руководитель Высшей школы им. Н.Г. Басова НИЯУ МИФИ
О.Н. Крохин. Основные разделы журнала
1. Концептуальные и методические вопросы преподавания общего курса физики в
вузе, техникуме, колледже.
2. Вопросы преподавания курса общей физики в технических университетах.
3. Современный лабораторный практикум по физике.
4. Демонстрационный лекционный эксперимент.
5. Информационные технологии в физическом образовании.
6. Вопросы преподавания общего курса физики в педвузах и специальных средних
учебных заведениях.
7. Текущая практика маломасштабного физического эксперимента.
8. Связь общего курса физики с другими дисциплинами.
9. Интеграция Высшей школы и Российской Академии наук.
области неустойчивого фокуса, в область устойчивого фокуса совершается смена типа устойчивости, меняется топология <...> Сам сигнал выглядит как многоструйное адронное событие с определенной топологией. <...> физических полей, локализованных на 4мерной гиперповерхности многомерного суперпространства, определяется топологией <...> заменяется на вопрос «Чем обусловлена топология дополнительных пространственных измерений?» <...> Исключая божественную волю и оставаясь в рамках физики, можно предположить, что топология реального многомерного
Предпросмотр: Физическое образование в вузах №2 2012 (1).pdf (0,1 Мб)
Публикуются результаты методических, научных исследований и разработок по направлениям: "Электроэнергетика", "Теплоэнергетика", "Электромеханика и электропривод", "Преобразовательная техника".
Ключевые слова: импульсный источник питания, топология преобразователя, повышающийпонижающий преобразователь <...> Также преимуществом SEPIC является возможность обеспечения изоляции входа / Топология модели преобразователя <...> Топология модели преобразователя SEPIC роен с использованием топологии повыпреобразователя путем вставки <...> Это также может отразиться на топологии преобразователя [40]. <...> Моделирование преобразователя SEPIC Для проверки полученных уравнений реализована блок-схема типовой топологии
Предпросмотр: Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия Энергетика №4 2020.pdf (0,8 Мб)
Публикуются результаты методических, научных исследований и разработок по направлениям: "Электроэнергетика", "Теплоэнергетика", "Электромеханика и электропривод", "Преобразовательная техника".
В таком случае для анализа нетехнических потерь необходимо иметь информацию о фактической топологии [ <...> Многоуровневые топологии можно разделить на три основные категории: с фиксированной нейтральной точкой <...> Гибридная топология заключается в том, что в гибридном каскадном инверторе несколько ячеек инвертора <...> Иными словами, гибридные топологии – это топологии многоуровневых инверторов, основанные на применении <...> Предложенная топология гибридного инвертора позволяет получить 9 значений фазного напряжения нагрузки
Предпросмотр: Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия Энергетика №2 2021.pdf (1,1 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
Разработана и оптимизирована топология высокосимметричных тонкопленочных сверхпроводниковых квантовых <...> РАЗРАБОТКА ТОПОЛОГИИ СКВИДа В настоящее время в Институте радиотехники и электроники им. В.А. <...> Важным преимуществом разработанной топологии СКВИДа является симметричный способ задания в нем токов <...> Топология высокосимметричного СКВИДа постоянного тока. <...> ЗАКЛЮЧЕНИЕ Была оптимизирована топология высокосимметричного СКВИДа для избавления от резонансов и, как
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №11 2017.pdf (0,1 Мб)
Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
Основные разделы журнала:
общая физика;
физика плазмы и плазменные методы;
электронные, ионные и лазерные пучки;
фотоэлектроника;
физическая аппаратура и её элементы;
научная информация
Фрагмент топологии 4-рядной линейки ФЧЭ. <...> Пример структуры топологии ФЧЭ с перекрытием. Стрелками показаны направления сканирования. <...> С. 113] приводят следующие топологии ВЗН ФПУ (рис. 19). <...> Варианты топологии чувствительных элементов ВЗН-матрицы. <...> Структура топологии ФЧЭ аппаратуры ETM+. Стрелками обозначены направления сканирования. Рис. 21.
Предпросмотр: Успехи прикладной физики №1 2017.pdf (0,7 Мб)
Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
Основные разделы журнала:
общая физика;
физика плазмы и плазменные методы;
электронные, ионные и лазерные пучки;
фотоэлектроника;
физическая аппаратура и её элементы;
научная информация
Топология ячейки модернизированного БА с реверсивной адресацией по вертикали при проектировании КМ, например <...> Использование полученных экспериментальных (в плане разработки топологии) результатов по построению схем <...> Для улучшения пеленгационной характеристики в ФПМ применяется специальная беззазорная топология фоточувствительных <...> Для получения корректных результатов, необходимо учитывать ряд важных аспектов, в т. ч. таких как топология
Предпросмотр: Успехи прикладной физики №2 2014.pdf (0,8 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
Было обнаружено, что на фотосопротивление решающим образом влияет топология пленок, а именно, существует <...> Регулировать топологию возможно при помощи различной по продолжительности термообработки. <...> тока носителей, находящихся в поверхностных состояниях, через зазоры между гранулами при определенной топологии <...> Оптимальная топология характеризуется таким взаимным расположением гранул, что две соприкасающиеся друг <...> Для выяснения возможного механизма высокой фоточувствительности при такой топологии мы рассмотрим одномерную
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №12 2018.pdf (0,0 Мб)
Издается с июля 1880г. Научно-технический журнал в области энергетики и электротехники.
Топология и структура управления традиционного ВСГ Fig. 1. <...> При этом за счёт модернизации топологии фильтра можно улучшить данные показатели. <...> Основными преимуществами такой топологии преобразователя являются низкие гармонические искажения синусоиды <...> Данная топология имеет ряд преимуществ: хороший гармонический состав выходных напряжений и токов, относительно <...> содержит активный выпрямитель напряжения (АВН), звено постоянного тока (ЗПТ), инвертор, построенный по топологии
Предпросмотр: Электричество №3 2023.pdf (0,9 Мб)
Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций.
В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов.
«Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера
Тензорезисторы в обоих случаях имели одинаковую толщину и топологию, а их легирование проводилось методом <...> Топология тензорезисторов и латеральные размеры были одинаковы. <...> Предложена упрощенная топология регулятора, с одним ключом в фазе. <...> Наиболее известные топологии регуляторов переменного напряжения: − с двунаправленными ключами [1]; − <...> Топологии регуляторов переменного напряжения модернизируются исходя из следующих требований: повышение
Предпросмотр: Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации №2 2018.pdf (1,3 Мб)
Издается с июля 1880г. Научно-технический журнал в области энергетики и электротехники.
Исключить этот не достаток можно за счёт видоизменения топологии схемы, как показано на рис. 3. <...> Такая топология РВДК обеспечивает необходимую здесь одностороннюю проводимость двух выпря мительных <...> За основу при ИКМ была принята топология схемы (рис. 3) со следующими параметрами: CC 12 ==20 мкФ; C3
Предпросмотр: Электричество №3 2020.pdf (2,4 Мб)
Основан в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом.
Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам.
В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.
-q Ключевые слова: матрицы, p–i–n-фотодиод, гетероэпитаксиальные структуры, InGaAs/InP, топология, коротковолновый <...> Необходимо также было дать теоретическое обоснование топологии матрицы p–i–n-фотодиодов с p–n-переходами <...> Необходимо также отметить, что для рассматриваемой топологии матрицы на краях фоточувствительных площадок <...> Заключение Рассмотрена топология планарной матрицы p–i–n-фотодиодов, в которой поперечные размеры p–n-переходов <...> физика, 2015, № 4 79 единения InGaAs, выращенного на подложке InP, была предложена совершенно иная топология
Предпросмотр: Прикладная физика №4 2015.pdf (0,9 Мб)
Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
Основные разделы журнала:
общая физика;
физика плазмы и плазменные методы;
электронные, ионные и лазерные пучки;
фотоэлектроника;
физическая аппаратура и её элементы;
научная информация
матрицы pin-фотодиодов формата 322х258 на основе гетероструктур InGaAs/InP // Заявка на госрегистрацию топологии <...> разрешения в направлении, перпендикулярном сканированию, является создание некоторой «избыточности» в топологии <...> На рис/ 3 представлена топология чувствительных элементов рассматриваемого в работе ФПУ. <...> Топология фоточувствительных элементов ФПУ. Рис. 4. Электрическая схема входной ячейки. <...> варианта АЦП в ячейке, имеющего оптимальное сочетание высокой линейности, малых шумов и компактной топологии
Предпросмотр: Успехи прикладной физики №1 2014.pdf (0,8 Мб)
Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
Основные разделы журнала:
общая физика;
физика плазмы и плазменные методы;
электронные, ионные и лазерные пучки;
фотоэлектроника;
физическая аппаратура и её элементы;
научная информация
преобразования входного распределения сигналов Nвх1(s,x,y) [квант/см2] ВЗН-ФПУ в случае однородной топологии <...> Однородная топология ФЧЭ ВЗН-ФПУ. <...> Четырехсубматричная (а) и двухсубматричная топологии ФЧЭ (б). <...> 2017, том 5, № 2 163 На рис. 6 представлена импульсная характеристика ИК ФПУ с четырехсубматричной топологией <...> Для примера предположим, что сигналы с каждой из четырех субматриц топологии, представленной на рис.
Предпросмотр: Успехи прикладной физики №2 2017.pdf (0,7 Мб)