Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 525275)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 209686 (1,51 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

Спинтроника учеб. пособие

Автор: Борисенко В. Е.
М.: Лаборатория знаний

В данном учебном пособии обобщены теоретические представления и фундаментальные закономерности явлений, лежащих в основе спинтроники. Также рассмотрены принципы функционирования и конструкции спинтронных элементов и систем для обработки информации. Издание подготовлено на основе материала курса лекций и практических занятий, проводимых по дисциплине «Спинтроника» для студентов первой ступени высшего образования и магистрантов, обучающихся по специальностям «Микро- и наноэлектронные технологии и системы», «Квантовые информационные системы», «Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике)» в Белорусском государственном университете информатики и радиоэлектроники.

Спиновые эффекты в твердотельных структурах Таблица 3.1 Магнитосопротивление многослойных структур из <...> Спиновые эффекты в твердотельных структурах носителей заряда. <...> Инжекция спин-поляризованных носителей заряда в твердотельные структуры структурой колодца, обеспечивающей <...> Спиновые эффекты в твердотельных структурах 3.1. Гигантское магнитосопротивление 3.2. <...> Инжекция спин-поляризованных носителей заряда в твердотельные структуры 4.1.

Предпросмотр: Спинтроника учебное пособие.—Эл. изд..pdf (0,4 Мб)
2

КВАНТОВЫЕ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В МЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУРАХ [Электронный ресурс] / Арутюнов // Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации .— 2015 .— №3 .— С. 7-16 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/465508

Автор: Арутюнов

При достижении геометрических размеров некоего объекта определенных характерных масштабов начинают проявляться явления, связанные с пониженной размерностью системы. Современные нанотехнологические методы позволяют воспроизводимо изготовлять твердотельные структуры суб-100 нм размеров, где уже могут давать ощутимый вклад различные квантовые размерные эффекты. В данной работе использовался метод взрывной электроннолучевой литографии и направленного вакуумного напыления для изготовления металлических нанопроводов из висмута (полуметалл) и титана (сверхпроводник). Далее физическим травлением в направленной плазме аргона сечение нанопроводов последовательно уменьшалось. Между актами травления измерялись электрические свойства структур при низких температурах, позволяющие проследить развитие соответствующих квантовых размерных эффектов. В висмутовых наноструктурах с уменьшением их поперечных размеров были обнаружены осцилляции сопротивления и резкое его увеличение при достижении суб-70 нм масштабов. Эффект может быть интерпретирован как квантовый размерный эффект, связанный с квантованием энергетического спектра электронов проводимости. В сверхпроводящих системах с уменьшением сечения нанопровода заметно увеличивалась ширина сверхпроводящего перехода. В самых тонких образцах конечное сопротивление наблюдалось при температурах, существенно меньших, чем критическая температура материала. Феномен может быть также объяснен некоей разновидностью квантового размерного эффекта для квазиодномерного сверхпроводника – эффектом квантового проскальзывания фазы. Оба явления находятся в хорошем согласии с существующими модельными представлениями. Наличие квантовых размерных эффектов накладывает фундаментальные ограничения на использование наноэлектронных элементов сверхмалых размеров.

Современные нанотехнологические методы позволяют воспроизводимо изготовлять твердотельные структуры суб <...> Между актами травления измерялись электрические свойства структур при низких температурах, позволяющие <...> Поверхность Ферми висмута представляет из себя сложную многосвязную структуру, состоящую из трех электронных <...> Для однозначной интерпретации необходимо изготовить монокристаллическую структуру с известной ориентацией

3

№3 [Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации, 2015]

Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций. В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов. «Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера

Современные нанотехнологические методы позволяют воспроизводимо изготовлять твердотельные структуры суб <...> Между актами травления измерялись электрические свойства структур при низких температурах, позволяющие <...> статье рассматривается метод соединения деталей при компьютерной сборке изделий из ткани на поверхности твердотельного <...> В подтверждение результативности метода соединения деталей изделия при сборке на поверхности твердотельного <...> Pn n Arg I P n (7) Рассмотрим структуру информационной матрицы Фишера более детально [9].

Предпросмотр: Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации №3 2015.pdf (1,2 Мб)
4

Наноэлектроника: теория и практика учебник

М.: Лаборатория знаний

Подробно рассмотрены фундаментальные физические эффекты и электронные процессы, характерные для наноразмерных структур. Описаны принципы функционирования и типы наноэлектронных приборов для обработки информации. Приведены нанотехнологические подходы, позволяющие формировать приборные структуры наноэлектроники и спинтроники. Наряду с обновленным и расширенным теоретическим материалом предыдущего издания в данное издание включены практические задачи и контрольные вопросы для самопроверки, призванные закрепить изучаемый теоретический материал.

В твердотельных структурах это размеры порядка нанометра. <...> Какими параметрами характеризуют транспорт носителей заряда в твердотельных структурах? <...> Процесс туннелирования электронов в твердотельных структурах характеризуется временами порядка 10 –13 <...> Туннелирование электронов является достаточно общим явлением для твердотельных структур. <...> Электрический ток в твердотельных структурах, составленных из материалов с различной спиновой поляризацией

Предпросмотр: Наноэлектроника теория и практика учебник. — 4-е изд. (эл.).pdf (0,2 Мб)
5

ОТЕЧЕСТВЕННАЯ НАУКА КАК ДВИГАТЕЛЬ СВЕТОДИОДНОЙ ОТРАСЛИ [Электронный ресурс] / Полупроводниковая светотехника .— 2016 .— №6 .— С. 28-29 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/530616

В последнее время существенно увеличилось число светотехнических производств, которые стараются создать в своем хозяйстве участки по разработке различных узлов, составляющих конечный продукт. Однако не всегда им удается решать задачи в должном объеме и на соответствующем уровне. В таком случае приходит на помощь компания, профессионально занимающаяся именно инжиниринговыми услугами: разработкой, исследованиями, проектированием, расчетом и пр. Рассказать об особенностях функционирования такой компании в нашей стране мы попросили генерального директора ООО «Интех Инжиниринг» к. т. н. Алексея Панкрашкина.

За последние годы эффективность твердотельных структур для Аи В-диапазонов УФ-излучения существенно возросла <...> реализовать многокристальные сборки, то начали активно развиваться такие практические применения УФ твердотельных <...> структур, как сушка и полимеризация, УФ-печать, УФ-полимеризация для стоматологии, светодиодное освещение <...> еще с университетских времен, когда необходимо было качественно снять измерения с помощью ПЗСили КМОП-структур

6

Моделирование теплового поражения СВЧ-диода мощным импульсом электромагнитного излучения [Электронный ресурс] / Сергеев, Ходаков, Молгачев // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №3 .— С. 93-96 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376643

Автор: Сергеев

Представлена модель теплового поражения полупроводникового СВЧ-диода мощным СВЧ-импульсом с температурозависимой плотностью мощности. Найдено распределение максимальной температуры по полупроводниковой структуре в зависимости от длительности импульса излучения.

Предполагается, что рассеиваемая в структуре тепловая энергия равна энергии внешнего воздействующего <...> Температурное поле в структуре определяется из решения неоднородного уравнения теплопроводности: )),, <...> Геометрия моделируемой структуры: 1 − активная область; 2 − кристалл (D, h – характерные размеры структуры <...> Область научных интересов: токораспределение и теплофизические процессы в твердотельных структурах полупроводниковых <...> Область научных интересов: токораспределение и теплофизические процессы в твердотельных структурах.

7

Физико-технические основы устройств микроэлектроники [учеб.-метод. пособие]

Автор: Еремина
Издательство СГАУ

Физико-технические основы устройств микроэлектроники. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)

структур, на основании которых реализуются устройства твердотельной электроники. <...> Введены в рассмотрение энтропийные показатели качества технологических процессов и твердотельных структур <...> КОНТАКТНЫЕ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ 2.1. <...> структур. <...> Образование структур при необратимых процессах: Введение в теорию диссипативных структур / В.

Предпросмотр: Физико-технические основы устройств микроэлектроники.pdf (0,2 Мб)
8

№8 [Физика и техника полупроводников, 2017]

Распространение потока носителей заряда в тонком слое плоскопараллельной твердотельной структуры c учетом <...> Введение Многие современные твердотельные структуры, в том числе структуры солнечных элементов и фотодетекторов <...> структуры Для твердотельных слоев структуры с простым строением зон стационарное кинетическое уравнение <...> ... 1101 твердотельной структуры нетрудно найти, например, методом вариации постоянной. <...> В случае исследования твердотельной структуры, состоящей из нескольких слоев, необходимо учитывать, что

Предпросмотр: Физика и техника полупроводников №8 2017.pdf (0,1 Мб)
9

Электролюминесцентные дисплеи c LVDS-интерфейсом от Beneq [Электронный ресурс] / Компоненты и технологии .— 2016 .— №10(183) .— С. 60-60 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/480450

Для обеспечения встраивания дисплеев в информационные системы с интегрированными последовательными интерфейсами компания Beneq (LUMINEQ) начала выпуск TFEL-дисплеев с форматом изображения VGA (разрешение 640×480 пикселей) с встроенным LVDS-интерфейсом. Предлагаются две модели: EL640.480-AG LVDS (размер экрана 8,1″ — 20,5 см) и EL640.480-AM LVDS (размер экрана 10,4″ — 26,4 см)

Твердотельная структура и электроника TFEL-дисплеев обеспечивает рабочую температуру от –60 до +75 °C

10

Энтропийные модели микро- и наноструктур [учеб. пособие]

Автор: Волков
Издательство СГАУ

Энтропийные модели микро- и наноструктур. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)

Приведены результаты количественных оценок энтропийных показателей качества микрои нанотехнологий и твердотельных <...> структур. <...> уместно отметить, что при Wc > 1 эВ (это значение характерно для современных устройств современной твердотельной <...> выше, чем больше сложность изделия (в части уровня требований к атомно-молекулярной упорядоченности твердотельных <...> структур).

Предпросмотр: Энтропийные модели микро- и наноструктур.pdf (0,8 Мб)
11

Сравнительный анализ погрешности аппроксимации спектров излучения светодиодов различными функциями [Электронный ресурс] / Сергеев, Ульянов // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №3 .— С. 97-100 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376578

Автор: Сергеев

Рассмотрены варианты аппроксимации спектров излучения светоизлучающих диодов (СИД) различными математическими функциями. На примере СИД красного свечения показано, что при аппроксимации спектров СИД симметричными функциями – гауссианой и параболой – возникает значительная погрешность смещения центральной длины волны, обусловленная асимметрией реальных спектров СИД. Общая среднеквадратическая погрешность аппроксимации и погрешность определения центральной длины волны и ширины спектра излучения СИД может быть снижена в несколько раз при аппроксимации спектра СИД суммой двух гауссиан.

Использование функций Гаусса для аппроксимации передаточных функций многокомпонентных оптронных структур <...> Твердотельная электроника : учебник для студентов вузов. – М.: Высшая школа, 1986. – 304 с. <...> Область научных интересов: токораспределение и теплофизические процессы в твердотельных структурах, полупроводниковых

12

Оценка качества гетеропереходных светодиодов по уровню порогового тока [Электронный ресурс] / Сергеев [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2017 .— №1 .— С. 91-94 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/588830

Автор: Сергеев

Рассмотрена возможность оценки качества гетеропереходных светодиодов по уровню порогового тока (тока начала свечения). Представлена структурная схема экспериментальной установки для измерения порогового тока светодиодов. Принцип работы установки заключается в задании прецизионным источником линейно нарастающего тока через светодиод, регистрации сигнала, пропорционального мощности излучения светодиода, высокочувствительным фотоприемником на основе быстродействующего фотодиода и малошумящего трансимпедансного усилителя, а также в вычислении значения порогового тока в программной среде Mathcad. Приведены результаты выборочных измерений порогового тока коммерческих светодиодов различных типов, иллюстрирующие широкий разброс параметров распределений светодиодов по уровню порогового тока

Область научных интересов: токораспределение и теплофизические процессы в твердотельных структурах, полупроводниковых

14

НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ СИСТЕМНОЙ САМООРГАНИЗАЦИИ СЫВОРОТКИ КРОВИ У БОЛЬНЫХ С ОПУХОЛЯМИ МЯГКИХ ТКАНЕЙ И МОЛОЧНОЙ ЖЕЛЕЗЫ С ОТДАЛЕННЫМИ МЕТАСТАЗАМИ [Электронный ресурс] / Машурова [и др.] // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Естественные науки .— 2011 .— №4 .— С. 153-157 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/426495

Автор: Машурова

Проведено исследование морфологической структуры сыворотки крови у больных с опухолями мягких тканей и молочной железы в зависимости от развития отдаленных метастазов. Показано, что выявление метастазов коррелирует с частотой формирования патологических типов твердотельных фаций и аномалиями системных и подсистемных признаков самоорганизации биожидкости.

Показано, что выявление метастазов коррелирует с частотой формирования патологических типов твердотельных <...> ликвор, моча, синовиальная и слезная жидкость, панкреатический сок и т.д.) при переходе из жидкого в твердотельное <...> Технические требования к формированию твердотельной пленки включали подготовку предметных стекол с лецитиновой <...> информации, подчиняющей процессы самоорганизации на молекулярном уровне при переходе жидкой среды в твердотельную <...> распространением чужеродной организму антигенной и волновой информации, искажает структурный рисунок твердотельной

15

МОДЕЛИРОВАНИЕ СЕЧЕНИЯ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ СПЕКТРОВ ПЛЁНКИ И ПОДЛОЖКИ [Электронный ресурс] / Паршин [и др.] // Автометрия .— 2015 .— №4 .— С. 114-120 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/354920

Автор: Паршин

Представлена методика моделирования сечения неупругого рассеяния электронов в слоистых структурах из экспериментальных спектров сечения неупругого рассеяния отражённых электронов компонентов структур на основе теоретической модели Юберо — Тоугаарда сечения неупругого рассеяния в однородной среде и её обобщения на случай слоистых структур. Методика апробирована на примере исследования спектров сечения неупругого рассеяния в двухслойной структуре SiO2/Si.

Спектроскопия сечения неупругого рассеяния является перспективным методом исследования свойств поверхности твердотельных <...> структур. <...> Модель Юберо— Тоугаарда сечения неупругого рассеяния, её расширение для двухслойной структуры. <...> Модифицированная модель сечения неупругого рассеяния в двухслойной структуре. <...> Моделирование сечения неупругого рассеяния в двухслойной структуре SiO2/Si.

16

ГАММА-ЛАЗЕР – ЗАЩИТА ОТ АСТЕРОИДНО-КОСМИЧЕСКОЙ ОПАСНОСТИ [Электронный ресурс] / Жириновский, Лисичкин // Проблемы машиностроения и автоматизации .— 2010 .— №4 .— С. 13-16 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/427664

Автор: Жириновский

В статье поставлена проблема защиты Земли от столкновения с опасными космическими объектами. Показано, что единственное теоретически возможное средство защиты – это космический гамма-лазер. Рассмотрены теоретические и практически аспекты создания гамма-лазера, а также социальноэкономические и политические последствия его применения в России.

своим расчетным параметрам способен стать фундаментом, для реального создания в России международной структуры <...> При этом условии было установлено, что время взрыва реактора с твердотельной структурой (так называемый <...> Прохоровым программы управляемого термоядерного синтеза (УТС) с твердотельной средой. <...> Моторина в 1989 г.; 2001 г. – научный семинар на тему «Цепные ядерные реакции синтеза в твердотельной <...> Прохорова о создании термоядерного реактора с твердотельной средой в России впервые в мире теоретически

17

Применение двухволновой рентгенооптической схемы совместных измерений зеркального отражения и диффузного рассеяния рентгеновского излучения для исследования многослойных тонкопленочных структур [Электронный ресурс] / Смирнов, Герасименко, Овчинников // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №1 .— С. 75-81 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376627

Автор: Смирнов

Представлены результаты комплексного исследования параметров диффузионно-барьерных структур TiN/Ti с помощью методов относительной рентгеновской рефлектометрии и диффузного рассеяния рентгеновского излучения, реализованных на базе двухволновой рентгенооптической схемы измерений. Показано, что данная схема в рамках одного измерения обеспечивает исследование двух различных областей диффузного рассеяния, что повышает корректность и однозначность проведенного анализа. Рассмотренный комплекс методов позволяет разрешить неоднозначность типа плотность/шероховатость при решении обратной задачи рефлектометрии и рассчитать параметры скрытых слоев в исследованных структурах.

отражения и диффузного рассеяния рентгеновского излучения для исследования многослойных тонкопленочных структур <...> В таблице представлены итоговые результаты анализа параметров диффузионнобарьерных структур TiN/Ti. <...> структур TiN/Ti / Д.И. <...> научных интересов: рентгеновские методы анализа многослойных наноструктур, радиационные процессы в твердотельных <...> структурах.

18

ТЕПЛО- И МАССОПЕРЕНОС В ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ ГРАДИЕНТНОЙ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЛИНЕЙНЫХ ЗОН [Электронный ресурс] / Благин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки .— 2015 .— №2 .— С. 99-103 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/520210

Автор: Благин

Построена двумерная модель перекристаллизации твердой фазы ансамблем жидких линейных зон. Модель основана на уравнениях теплопроводности, описывающих распределение теплового поля в кристалле и жидком включении, и уравнении массопереноса, описывающего непрерывный диффузионный поток вещества жидкого включения, смешанного с веществом кристалла. Приведены результаты моделирования движения ансамбля линейных зон. Обсуждается их экспериментальная проверка. Соответствие некоторых особенностей реального процесса, в частности, слияние линейных зон на финише их перемещения, говорит об адекватности построенной модели. Указанные особенности интерпретированы как следствие траекторной нестабильности зон. Геометрия зоны и температурный режим химико-технологического процесса выступают факторами, определяющими структуру растущих слоев

Геометрия зоны и температурный режим химико-технологического процесса выступают факторами, определяющими структуру <...> Качество получаемых структур зависит от стабильности формы мигрирующего жидкого включения, определяющего <...> Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых структур. <...> Морфология поверхности и свойства пленочных полупроводниковых структур на основе сложных соединений индия <...> Физика кристаллизации и дефектов твердотельных структур на микрои наноуровнях.

19

ШКОЛА ГИНЗБУРГА [Электронный ресурс] / Любченко, Арсеев // Вестник Российской академии наук .— 2017 .— №3 .— С. 91-95 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/589931

Автор: Любченко

4 октября 2016 г. исполнилось 100 лет со дня рождения академика Виталия Лазаревича Гинзбурга, одного из ярчайших представителей отечественной физики. Он из плеяды немногих физиков-универсалов, чьи интересы всегда выходили за рамки какого-либо отдельного направления исследований. Оценить широту научных взглядов Гинзбурга можно хотя бы по его известному “Физическому минимуму”, который затрагивает вопросы квантовой электродинамики, физики элементарных частиц, физики твёрдого тела, физики плазмы, астрофизики, космологии и многие другие [1]. Причём по каждому из пунктов “минимума” даны обстоятельные пояснения, свидетельствующие не просто о знакомстве автора с темой, но и о глубоком её понимании

И только в 1980-х годах появились первые сообщения о существовании данного явления в твердотельных структурах <...> температуры, при которой возникает сверхпроводимость, пока не 3 Интеркалированными кристаллическими структурами <...> Фактически такие структуры можно сравнить с сэндвичами, где между слоями основного кристалла (в рассматриваемом <...> представляют интеркалированные системы на основе FeSe, обратившие на себя внимание необычной электронной структурой <...> В сообщении были представлены модели, объясняющие некоторые из особенностей рассматриваемых структур.

20

ПРЕОБРАЗОВАНИЯ АКУСТИЧЕСКИХ ИМПУЛЬСОВ В ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ ОТКЛИК СЛОИСТЫХ И ДЕФЕКТНЫХ СТРУКТУР [Электронный ресурс] / Беспалько, Исаев, Яворович // Физико-технические проблемы разработки полезных ископаемых .— 2016 .— №2 .— С. 64-71 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/368622

Автор: Беспалько

Приведены результаты математических расчетов изменения параметров электромагнитных сигналов в модельной слоистой и дефектной диэлектрической твердотельной структуре при импульсном акустическом возбуждении. Показано, что в результате акустоэлектрических преобразований в таких структурах на двойных электрических слоях происходит передача энергии воздействующих акустических импульсов в энергию электромагнитных откликов. При этом амплитудно-частотные параметры излучаемых электромагнитных сигналов находятся в непосредственной связи с характеристиками детерминированных акустических воздействий и зарядовым состоянием слоистых и дефектных структур

УДК 622.02:537.8 ПРЕОБРАЗОВАНИЯ АКУСТИЧЕСКИХ ИМПУЛЬСОВ В ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ ОТКЛИК СЛОИСТЫХ И ДЕФЕКТНЫХ СТРУКТУР <...> расчетов изменения параметров электромагнитных сигналов в модельной слоистой и дефектной диэлектрической твердотельной <...> структуре при импульсном акустическом возбуждении. <...> Показано, что в результате акустоэлектрических преобразований в таких структурах на двойных электрических <...> Детерминированный акустический сигнал, электромагнитный сигнал, слоистая структура, заряженный дефект

21

КИНЕТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ТЕХНОЛОГИИ ГРАДИЕНТНОЙ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ НА ПРИМЕРЕ ДВУХ СИСТЕМ [Электронный ресурс] / Благина [и др.] // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки .— 2012 .— №6 .— С. 140-144 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/519404

Автор: Благина

Обсуждается возможность применения динамической модели кинетики градиентной жидкофазной эпитаксии для описания кинетики роста высокотемпературных соединений А3В5. Выявлены факторы, влияющие на характер зависимость скорости роста от толщины зоны раствора – расплава

Физика кристаллизации и дефектов твердотельных структур на микрои наноуровне.

22

Физические основы флуктуационного неразрушающего контроля твердых материалов и электронных приборов [Электронный ресурс] / Якубович // Прикладная физика .— 2016 .— №1 .— С. 2-7 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/370524

Автор: Якубович

Рассмотрены вопросы применения флуктуационных явлений в твердых телах в прикладных целях. Наиболее значительным явлением в этом отношении является избыточный низкочастотный шум. Проанализированы теоретические исследования избыточного шума. Рассмотрены теоретические основания связи шума с дефектами структуры твердых тел. Рассмотрено влияние деградационных процессов на шум. Проанализированы экспериментальные исследования избыточного шума. Рассмотрена связь характеристик шума с дефектами структуры твердых тел. Рассмотрена корреляция шума с качеством твердых материалов и электронных приборов. Установлена связь спектральных свойств избыточного шума с характеристиками деградационных процессов. Обоснована возможность широкого применения избыточного низкочастотного шума для неразрушающего контроля твердых материалов и электронных приборов. Отмечена эффективность флуктуационного неразрушающего контроля.

Рассмотрены теоретические основания связи шума с дефектами структуры твердых тел. <...> Рассмотрена связь характеристик шума с дефектами структуры твердых тел. <...> сделать вывод: спектр избыточного шума содержит информацию как о степени, так и о скорости деградации твердотельных <...> структур. <...> , спектральные характеристики шума могут быть использованы для оценки степени и скорости деградации твердотельных

23

ЛАЗЕРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИНТЕНСИФИКАЦИИ ГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПОКРЫТИЙ [Электронный ресурс] / А. Купо, Ланин, Хмыль // Технологии в электронной промышленности .— 2016 .— №8(92) .— С. 38-42 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/544705

Автор: Купо Александр

Предложена лазерная технология активации процесса электрохимического осаждения в режиме импульсного тока и определены режимы, позволяющие увеличить скорость осаждения покрытий и формировать локальные структуры с улучшенными физикомеханическими свойствами. Применение лазерного излучения в период действия импульса тока активирует процесс кристаллизации металла, а в период паузы — ускоряет процессы диффузии ионов за счет микроперемешивания Александр Купо Владимир Ланин Александр Хмыль

Мощность ЛИ измерялась с помощью твердотельного калориметра ИКТ-1М с использованием нейтральных светофильтров <...> За границами ЗТВ поверхность всех осадков имеет мелкокристаллическую структуру. <...> с каплями застывшего металла (зона 3) и участки поверхности крупнокристаллической структуры (зона 4) <...> Наибольшее разнообразие структуры поверхности наблюдается при максимальных значениях энергетического <...> Технология и техника прецизионного лазерного модифицирования твердотельных структур / Под ред. А.

24

ПОЛУЧЕНИЕ НАНОЧАСТИЦ КРЕМНИЯ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ [Электронный ресурс] / Грибов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №4 .— С. 20-28 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/541722

Автор: Грибов

Разработаны технологический процесс получения наночастиц кремния из монооксида кремния, позволяющий управлять размерами частиц в диапазоне 2–10 нм, а также методы нанесения покрытий из нанокремния на солнечные элементы. Исследовано влияние таких покрытий на эффективность солнечных элементов. Показано, что пленки из нанокремния характеризуются хорошими просветляющими и пассивирующими свойствами и могут успешно использоваться в технологии изготовления солнечных элементов

Осадок SiO представляет собой однородную стекловидную массу темно-коричневого цвета с аморфной структурой <...> Пленки, полученные в результате высоковольтного электрораспыления, обнаруживают существенно лучшую структуру <...> Структура и фазовый состав монооксида кремния/ Б.Г. Грибов, К.В. Зиновьев, О.Н. <...> научных интересов: рентгеновские методы анализа многослойных наноструктур, радиационные процессы в твердотельных <...> структурах.

25

Двухсекционная низкочастотная эквивалентная схема зеленых InGaN-светодиодов для описания шумовых характеристик [Электронный ресурс] / Сергеев, Фролов, Широков // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №6 .— С. 38-46 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376610

Автор: Сергеев

Для объяснения токовых зависимостей среднего квадрата низкочастотного шумового тока зеленых InGaN-светодиодов предложена двухсекционная низкочастотная шумовая эквивалентная схема светодиода. Показано, что немонотонный характер зависимостей низкочастотного шума светодиодов от тока инжекции можно объяснить действием двух генераторов низкочастотного шума: генератора шумового тока, локализованного вблизи гетерограницы и определяемого туннельно-рекомбинационными процессами на интерфейсе, и генератора, определяемого рекомбинационными процессами в объеме активной области структуры.

повышены на основе анализа шумовых эквивалентных схем, содержащих источники шума и пассивные элементы структуры <...> Больцмана; Т – абсолютная температура; m – коэффициент неидеальности ВАХ; rs – активное сопротивление структуры <...> Флуктуации и шумы в электронных твердотельных приборах. – М. : Физматлит, 2012. – 512 с. 3. <...> Низкочастотные шумы светодиодов InGaN/SiC // Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы: <...> Область научных интересов: токораспределение и теплофизические процессы в твердотельных структурах, полупроводниковых

26

Обучение чтению научной литературы по нанотехнологиям на английском языке для студентов специальности «Проектирование и технология РЭС» (РЛ-6) учеб.-метод. пособие

Автор: Стасенко И. В.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Учебно-методическое пособие состоит из трех уроков и содержит современные неадаптированные тексты, отражающие базовые сведения о нанотехнологиях. Текстовый материал соответствует лекционному курсу «Основы нанотехнологий», читаемому студентам старших курсов специальности «Проектирование и технология РЭС» (РЛ-6). Тексты предваряются терминологическим словарем, помогающим преодолеть лексические трудности. В конце пособия приводится обобщенный словарь для удобства перевода представленных в пособии дополнительных текстов. Каждый урок содержит упражнения на контроль понимания текстов, грамматические упражнения по наиболее трудным разделам грамматики и упражнения, подготавливающие студентов к аннотированию и реферированию научной литературы.

Структура и содержание пособия обеспечивают эффективность как самостоятельной работы студентов, так и <...> Распространение этой волны в наноразмерных твердотельных структурах контролируется эффектами, связанными <...> Ситуация кардинально меняется, когда электрон попадает в твердотельную структуру, размер которой L, по <...> Классическим аналогом такой структуры является струна с жестко закрепленными концами. <...> С ее помощью можно создавать на поверхности различные структуры с 10-нанометровым разрешением.

Предпросмотр: Обучение чтению научной литературы по нанотехнологиям на английском языке .pdf (0,1 Мб)
27

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРИОГЕННОГО МАЛОШУМЯЩЕГО SiGe УСИЛИТЕЛЯ ПРИ СУБКЕЛЬВИНОВЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ [Электронный ресурс] / Иванов [и др.] // Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации .— 2016 .— №1 .— С. 62-72 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/610360

Автор: Иванов

В данной работе представлен результат экспериментального исследования малошумящего криогенного двухкаскадного усилителя на основе гетероструктурных биполярных SiGe транзисторов. Показаны амплитудно-частотные характеристики усилителя при различных температурных режимах работы и различных режимах питания усилителя при фиксированных температурах. Приведены основные характеристики такого типа усилителя при температурах от 4,2 К до 300 мК. Приводятся характеристики коэффициента усиления при температуре менее 300 мК. Экспериментально показано, что разработанный усилитель обеспечивает |S21|, соответствующий 15 дБ в диапазоне частот от 100 МГц до 4 ГГц при температуре эксперимента 350 мК.

DOI: 10.17212/1727-2769-2016-1-62-72 Введение Современный уровень производства устройств твердотельной <...> электроники позволяет разрабатывать структуры с предельно низкими шумовыми характеристиками. <...> Они особо актуальны при измерении твердотельных структур с квантовой чувствительностью. <...> Примером таких структур являются сверхпроводниковые квантовые биты [1–3], которые явно демонстрируют <...> Уровень мощности сигнала на выходе таких структур не детектируется современными комнатными измерительными

28

ЭНТРОПИЙНЫЙ АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ С РАЗНОУРОВНЕВОЙ ОРГАНИЗАЦИЕЙ [Электронный ресурс] / Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки .— 2013 .— №4 .— С. 29-35 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/519646

Развиты подходы, позволяющие производить измерения структурной организации систем. Понятие энтропии расширяется и выступает в качестве асимметричного критерия сложности систем. Показана необходимость неравновесного подхода к описанию взаимодействия физических структур и возможность трактовки энтропии как меры структурного разнообразия систем

Так, в [3] утверждается, что интуитивно понятие упорядоченности структуры противопоставляется понятию <...> хаоса, как состояния, полностью лишенного всякой структуры. <...> Диапазон до первого экстремума соответствует недиссипативным структурамструктурам, для которых внешние <...> Структура газожидкостной системы в режимах: А – барботажный режим. <...> Физика кристаллизации и дефектов твердотельных структур на микрои наноуровнях.

29

Инновационные технологии. Введение в нанотехнологии учеб. пособие

Автор: Верещагина Я. А.
КГТУ

Пособие соответствует авторскому курсу дисциплины «Со- временный инжиниринг химико-технологических процессов» на- правления подготовки инженеров по специальности 240802.65 «Ос- новные процессы химических производств и химическая кибернети- ка». Рассмотрены основные направления развития нанотехноло- гий; методы получения и изучения наночастиц и наноматериалов, свойства наноструктур и возможности их применения в различных сферах.

Методы синтеза твердотельных структур 48 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 5.2 <...> Информация о поверхности может быть получена и с помощью сканирующего твердотельного зонда, траектория <...> Некоторые структуры углеродных нанотрубок: (а) кресельная структура; (б) зигзагообразная структура; ( <...> Методы синтеза твердотельных структур Компактирование. <...> Супрамолекулярные структуры Супрамолекулярные структуры – это большие молекулы, образованные группировкой

Предпросмотр: Инновационные технологии. Введение в нанотехнологии. Учебное пособие.pdf (0,2 Мб)
30

АЛГОРИТМ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ НА АТОМНОМ УРОВНЕ ВАКАНСИОННОЙ ПОРЫ И ОПИСАНИЯ ЕЕ ФОРМЫ [Электронный ресурс] / Кульментьев // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Теоретическая и прикладная физика. .— 2011 .— №3 .— С. 23-37 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/559551

Автор: Кульментьев

Предложен метод, позволяющий при последовательном многоуровневом моделировании реакторных материалов на атомном уровне детектировать появление компактных кластеров атомов с нарушенной кристалличностью, определять внешнюю границу такого дефектного кластера и измерять его коэффициент компактности. Это дает возможность производить разделение радиационных структурных дефектов по признаку вакансионного или межузельного типа. Предложен также эффективный алгоритм для измерения формы произвольного атомного образования. Выполнен компьютерный эксперимент, в котором имитируется процесс схлопывания изначально сферической поры. Получены зависимости параметров формы поры от коэффициента сжатия и проведено их сравнение с вычисленными аналитическими выражениями. Показано, что метод позволяет определять фазу схлопывания поры и направление ее наиболее вероятной дальнейшей эволюции

используемых при разработке радиационно-стойких материалов, из которых предполагается изготовление структур <...> Анализ общих ближайших соседей Традиционно анализ структуры конфигураций, формирующихся при моделировании <...> Для твердотельных структур функция g(r) обладает ярко выраженными максимумами и минимумами. <...> Ясно, что для заданной пары атомов a и b тип связи a − b определяется структурой ее окружения. <...> Этого можно достичь за счет использования соответствующих структур данных для представления и хранения

31

Оптическое материаловедение. Материалы и технологии оптических элементов учеб. пособие

Изд-во ПГУТИ

Учебное пособие «Оптическое материаловедение. Материалы и технологии оптических элементов». Учебное пособие разработано в соответствии с ФГОС ВО по направлению подготовки бакалавров и магистров 12.03.03 - Фотоника и оптоинформатика. Предназначено для студентов 3 курса ФБТО для самостоятельной подготовки и выполнения лабораторных работ.

Квантовые структуры. <...> Каждый твердотельный материал может быть выращен послойно при фиксированной скорости роста. <...> Распространение этой волны в наноразмерных твердотельных структурах контролируется эффектами, связанными <...> Ситуация кардинально меняется, когда электрон попадает в твердотельную структуру, размер которой L, по <...> Аналогичные закономерности поведения характерны и для свободного электрона, находящегося в твердотельной

Предпросмотр: Материалы и технологии оптических элементов учебное пособие.pdf (0,9 Мб)
32

Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии учеб. пособие

Автор: Светличный А. М.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

В пособии рассмотрены взаимодействие световых потоков с полупроводниковой структурой, режимы обработки, процессы отжига и рекристаллизации поликремниевых и аморфных слоев, отжига и легирования полупроводниковых структур, формирование контактно-металлизационной системы, планаризация, а также получение диэлектрических пленок.

Оптические свойства полупроводниковой структуры ......................... 10 1.2. <...> В структурах, выращенных при 410 оС, она равна в среднем 0,3 мкм. <...> Интенсификация процессов формирования твердотельных структур концентрированными потоками энергии [Текст <...> Локальный лазерный нагрев кремниевых структур [Текст] / А. М. <...> » & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Список литературы 102 технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной

Предпросмотр: Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии..pdf (0,6 Мб)
33

№3 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2016]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

соответствующие требованиям современной твердотельной микроэлектроники. <...> «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА» (1–3 декабря 2010 г., Звенигород). – 2010 <...> «Твердотельная электроника. сложные функциональные блоки РЭА» (1–3 декабря 2010 г., Звенигород). – 2010 <...> Область научных интересов: токораспределение и теплофизические процессы в твердотельных структурах полупроводниковых <...> Область научных интересов: токораспределение и теплофизические процессы в твердотельных структурах.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №3 2016.pdf (1,0 Мб)
34

№7 [Компоненты и технологии, 2007]

На сегодняшний день журнал Компоненты и технологии занимает лидирующие позиции на рынке изданий, ориентированных на специалистов в области электроники, в России и по всей территории бывшего СССР. Постоянными являются следующие рубрики: Рынок Компоненты: Пассивные элементы; ВЧ/СВЧ элементы; Датчики; Оптоэлектроника; Элементы защиты; Усилители; Источники питания; АЦП/ЦАП; ПАИС; Интерфейсы; Память; ПЛИС; ЦСП (цифровые сигнальные процессоры); Микроконтроллеры; Системы на кристалле; Микросхемы для телекоммуникаций Блоки питания Силовая электроника Интерфейс пользователя Цифровая обработка сигнала Беспроводные технологии Системы идентификации Схемотехника, проектирование, моделирование

Технология тонкопленочных электролюминесцентных дисплеев Planar EL-дисплей представляет собой твердотельную <...> Твердотельная структура люминофора позволяет эффективно эксплуатировать EL-дисплеи при температурах, <...> Твердотельная структура и электроника EL-дисплеев позволяет достичь рабочей температуры от –50 до +85 <...> Как сама твердотельная структура, так и электроника EL-дисплеев имеет документированную отказоустойчивость <...> Особенностью технологии является использование вместо твердотельной инерционной массы нагретого воздушного

Предпросмотр: Компоненты и технологии №7 2007.pdf (0,9 Мб)
35

№6 [Полупроводниковая светотехника, 2016]

Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.

За последние годы эффективность твердотельных структур для Аи В-диапазонов УФ-излучения существенно возросла <...> реализовать многокристальные сборки, то начали активно развиваться такие практические применения УФ твердотельных <...> Структура микросхемы TPS92511 Рис. 7. Типовое включение микросхемы TPS92511 Рис. 8. <...> Со ссылкой на IEC/PAS 62612 Ed.1 [5] Руководство по определению качества для систем твердотельного освещения <...> Этот метод испытаний включает в себя самые строгие требования для большинства методов испытаний твердотельных

Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №6 2016.pdf (0,1 Мб)
36

Введение в нанотехнологию (общие сведения, понятия и определения) [учеб. пособие]

Автор: Жабрев
Издательство СГАУ

Введение в нанотехнологию (общие сведения, понятия и определения). Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)

наноструктур базируется на новейших технологических достижениях в области конструирования на атомном уровне твердотельных <...> иерархического ряда диссипативных нанофаз со свойствами «нанореактора» при интенсивных пластических деформациях твердотельных <...> межатомного взаимодействия и анализироваться на основе рассмотрения вещества в процессе формирования твердотельной <...> Что такое диссипативная структура? 16. Приведите примеры самоорганизации структур. 17. <...> Сверхрешетки С использованием размерных ограничений квантовых ям можно создавать твердотельные структуры

Предпросмотр: Введение в нанотехнологию (общие сведения, понятия и определения.pdf (0,2 Мб)
37

№23 (142) Выпуск 29 [Научные ведомости Белгородского государственного университета. Серия Математика. Физика, 2012]

Журнал входит в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, выпускаемых в Российской Федерации, в которых рекомендуется публикация основных результатов диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук. Серия "Математика. Физика" включает статьи по физико-математическим наукам

При теоретическом исследовании твердотельных структур статистиче­ скими методами, вероятностные модели <...> Это связано с тем, что реальные физические твердотельные состояния, создаваемые природными или технологическими <...> приходится вводить математические ограничения, которые модельным образом фиксируют ту долгоживущую твердотельную <...> При этом фазовое пространство системы большого числа частиц, составляющих твердотельную структуру, должно <...> Гайзенберга [1], описывающей, как считается в физике твердого тела, обширные классы магнитоупорядоченных твердотельных

Предпросмотр: Научные ведомости Белгородского государственного университета. Серия Математика. Физика №23 (142) Выпуск 29 2012.pdf (0,4 Мб)
38

№1 [Физическое образование в вузах, 1999]

Данный журнал является единственным, охватывающим все актуальные вопросы преподавания физики в вузе, и, как мы надеемся, он станет главным средством общения кафедр физики вузов стран СНГ. Главный редактор журнала − академик Российской академии наук, профессор МИФИ, научный руководитель Высшей школы им. Н.Г. Басова НИЯУ МИФИ О.Н. Крохин. Основные разделы журнала 1. Концептуальные и методические вопросы преподавания общего курса физики в вузе, техникуме, колледже. 2. Вопросы преподавания курса общей физики в технических университетах. 3. Современный лабораторный практикум по физике. 4. Демонстрационный лекционный эксперимент. 5. Информационные технологии в физическом образовании. 6. Вопросы преподавания общего курса физики в педвузах и специальных средних учебных заведениях. 7. Текущая практика маломасштабного физического эксперимента. 8. Связь общего курса физики с другими дисциплинами. 9. Интеграция Высшей школы и Российской Академии наук.

Твердотельный лазер на неодимовом стекле 2. Газовый лазер на смеси гелия и неона 3. <...> Ворчик Д.Б. сотрудник ФИАН, Шабалин Ю.В. аспирант МФТИ "Генерация стабильных ультракоротких импульсов твердотельными <...> Твердотельный лазер на неодимовом стекле. 2. Газовый лазер на смеси гелия и неона. 3. <...> Стационарные сверхкороткие импульсы при пассивной синхронизации мод твердотельного лазера с активной <...> Самосинхронизация мод лазера на неодимовом стекле при быстрой отрицательной обратной связи с помощью твердотельной

Предпросмотр: Физическое образование в вузах №1 1999.pdf (0,1 Мб)
39

Конспект лекций по учебной дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики» по направлению подготовки 200700

Автор: Головкина М. В.
Изд-во ПГУТИ

Книга представляет собой курс лекций по учебной дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования.

Ситуация кардинально меняется, когда электрон попадает в твердотельную структуру, размер которой l, по <...> Ситуация кардинально меняется, когда электрон попадает в твердотельную структуру, размер которой l, по <...> Среди низкоразмерных структур можно выделить три элементарные структуры. <...> Среди низкоразмерных структур можно выделить три элементарные структуры. <...> Ситуация кардинально меняется, когда электрон попадает в твердотельную структуру, размер которой l, по

Предпросмотр: Конспект лекций по учебной дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики» по направлению подготовки 200700.pdf (0,6 Мб)
40

Наноэлектроника учеб. пособие

Автор: Щука А. А.
М.: Лаборатория знаний

Рассмотрены основные направления развития современной электроники, использующей физические эффекты, имеющие место в наноструктурах. Проанализированы пути перехода от микро- к наноэлектронным приборам, приведены описания нанотехнологических процессов, элементов и приборов наноэлектроники и новых материалов, с которыми тесно связано развитие приоритетной области нанонауки и нанотехнологии.

По мере приближения характерного размера твердотельной структуры электронного прибора к нанометровой <...> По мере приближения размеров твердотельных структур к нанометровой области (а это образования из единиц <...> Движение электрона и связанной с ним волны де Бройля в наноразмерных твердотельных структурах определяется <...> Сверхрешетки представляют собой твердотельную периодическую структуру, в которой на носители заряда наряду <...> Для создания твердотельного оптического ограничителя существенна возможность введения фуллеренов в твердотельную

Предпросмотр: Наноэлектроника  учебное пособие. — 3-е изд. (эл.).pdf (0,3 Мб)
41

Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики учеб. пособие

Автор: Головкина М. В.
Изд-во ПГУТИ

Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования. Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014.

Электроны в периодических структурах. Теорема Блоха. <...> Ситуация кардинально меняется, когда электрон попадает в твердотельную структуру, размер которой l, по <...> Среди низкоразмерных структур можно выделить три элементарные структуры. <...> Электроны в периодических структурах. Теорема Блоха. <...> Спектр пропускания структуры, изображенной на рис. 9.4.

Предпросмотр: Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики учебное пособие.pdf (0,8 Мб)
42

Основы физики твердого тела [учеб. пособие для заоч. формы обучения]

Автор: Колпаков
Издательство СГАУ

Основы физики твердого тела. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)

поколения сверхминиатюрных супербыстродействующих систем наноэлектроники, т.к. по мере приближения размеров твердотельных <...> Решение а) Структура типа алмаза подобна кубической гранецентрированной структуре, каждой вершине которой <...> Какова зонная структура изолятора, проводника и полупроводника? 6. <...> Полученная структура проходит термический отжиг, который полностью активирует все примеси. <...> Полученная структура проходит термический отжиг, который полностью активирует все примеси.

Предпросмотр: Основы физики твердого тела.pdf (0,3 Мб)
43

Нанотехнологии в энергетике "учеб. пособие для бакалавров высш. учеб. заведений, обучающихся по направлению подгот.: 110800.62 - Агроинженерия"" (Профиль ""Электрооборудование и электротехнологии в сельском хозяйстве"")"""

Автор: Беззубцева
СПбГАУ

"В учебном пособии представлены базовые определения и классификация нанотехнологий. Изложены физиологические основы нанотехнологии, приведены наиболее важные для энергетики виды наноматериалов, рассмотрены все свойства, принцыпы и методы моделирования нанообъектов. Проанализированы достижения и перспективы внедрения в энергетику технологий и производств с атомарной точностью. Учебное пособие составлено в соответствии с рабочей программой дисциплины Нанотехнологии в энергетике"" и предназначена для бакалавров, обучающихся по направлению "" Агроинженерия"" профилю "" электрооборудование и электротехнологии в сельском хозяйсве"". Предстовляет интерес для инжннеров и специалистов теплоэнергетиков и электроэнергетиков агропромышленного комплекса.Учебное пособие нанотехнологии в энергетике может быть рекомнтовано для заочноо и дистанционного обучения."""

электромагнитного излучения, наноструктурированные оптические волокна и устройства на их основе, светодиоды, твердотельные <...> Квантовая плоскость это многослойная твердотельная структура, состоящая из тонких пленок различных веществ <...> Нанотрубки с подобной структурой должны обладать чисто металлической структурой. <...> Радикальное повышение эффективности искусственного освещении может быть достигнуто с использованием твердотельных <...> многократно повысит КПД флуоресцентных OLED и традиционных LED. что повлечет улучшение характеристик твердотельных

Предпросмотр: Нанотехнологии в энергетике.pdf (0,7 Мб)
44

№6 [Дефектоскопия, 2018]

Основан в 1965 г. Публикуются оригинальные работы в области физических основ современных методов и средств неразрушающего контроля и технической диагностики, новых методик и технических средств контроля изделий и объектов различного назначения, а также результаты их практического применения. Журнал является рецензируемым и входит в Перечень ВАК для опубликования работ соискателей ученых степеней.

Внутреннее трение и структура металлов. М.: Металлургия, 1976. 376 с. 13. <...> Он формируется за счет взаимодействия зондирующего сигнала со структурой материала, несет информацию <...> об изменении структуры и является шумоподобным. <...> Наиболее перспективными для построения газоаналитических ячеек являются твердотельные газоаналитические <...> Диагностика твердотельных структур по параметрам низкочастотного шума.

Предпросмотр: Дефектоскопия №6 2018.pdf (0,2 Мб)
45

№5 [Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия, 2017]

Основан в 1946г. Авторитетное научное издание, статьи и материалы журнала отражают тематику важнейших направлений теоретических и экспериментальных исследований по всему кругу научных вопросов, изучаемых на физическом факультете МГУ

Кластеры занимают промежуточное положение между атомарным состоянием вещества и твердотельным и, таким <...> Атомная структура кластера Ar13 : а — ГЦК; б — икосаэдрическая структура Как показали расчеты, икосаэдрическая <...> актуальным становится исследование одноэлектронного транспорта [2, 3] через одиночные примесные атомы в твердотельных <...> структурах. <...> Предложено использовать твердотельные наноструктуры на одиночных примесных атомах как основу элементной

Предпросмотр: Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия №5 2017.pdf (0,2 Мб)
46

Математический анализ и математическое моделирование Труды VII региональной шк.-конф. молодых учен. "Владикавказская молодежная математическая школа", (Владикавказ, 25-30 июля 2011 г.)

ЮМИ ВНЦ РАН и РСО-А

В сборник вошли обзорные лекции и тезисы секционных докладов VII региональной школы-конференции молодых ученых "Владикавказская молодежная математическая школа", состоявшейся в г.Владикавказе с 25 по 30 июля 2011г.

В этих задачах дополнительная связность возникает из-за граничных условий контакта между твердотельной <...> структурой и акустической средой. <...> О некоторых банаховых структурах // Сиб. мат. журн.—1969.—Т. 10, № 3. <...> Твердотельные модели конструкции «кость и пластина» были построены методом снизу-вверх путем последовательного <...> КЭ модели были получены из твердотельных с помощью специальных алгоритмов ANSYS при заданных параметрах

Предпросмотр: Математический анализ и математическое моделирование.pdf (0,1 Мб)
47

Проектирование микросистем. Программные средства обеспечения САПР учеб. пособие

Автор: Левицкий А. А.
Сиб. федер. ун-т

В пособии рассматриваются вопросы применения программных средств, используемых при проектировании устройств микросистемной техники. Приводятся сведения о специализированных системах проектирования, об универсальных CAE- и других пакетах программ, обеспечивающих решение задач моделирования и разработки элементов микросистемной техники.

После того как построена твердотельная модель, создается ее конечно-элементный аналог (то есть сетка <...> Создание трехмерной твердотельной модели Построение трехмерной модели выполняется в окне L-Edit (рис. <...> Твердотельная модель; область слева – панель использованных слоев материалов; область вверху – панель <...> Моделирование вида структуры: а – нереализованные области; б – реализованная гребенчатая структура Моделирование <...> Пьезоэлектрический твердотельный волновой гироскоп / А. А. Левицкий, П. С.

Предпросмотр: Проектирование микросистем. Программные средства обеспечения САПР учебное пособие (гриф УМО).pdf (1,2 Мб)
48

№2 [Физическое образование в вузах, 2006]

Данный журнал является единственным, охватывающим все актуальные вопросы преподавания физики в вузе, и, как мы надеемся, он станет главным средством общения кафедр физики вузов стран СНГ. Главный редактор журнала − академик Российской академии наук, профессор МИФИ, научный руководитель Высшей школы им. Н.Г. Басова НИЯУ МИФИ О.Н. Крохин. Основные разделы журнала 1. Концептуальные и методические вопросы преподавания общего курса физики в вузе, техникуме, колледже. 2. Вопросы преподавания курса общей физики в технических университетах. 3. Современный лабораторный практикум по физике. 4. Демонстрационный лекционный эксперимент. 5. Информационные технологии в физическом образовании. 6. Вопросы преподавания общего курса физики в педвузах и специальных средних учебных заведениях. 7. Текущая практика маломасштабного физического эксперимента. 8. Связь общего курса физики с другими дисциплинами. 9. Интеграция Высшей школы и Российской Академии наук.

Достижения твердотельной электроники базируются, в основном, на представлениях одночастичной зонной теории <...> Осуществление спинового токопереноса между элементами микросхемы открывает новые возможности твердотельной <...> Речь идет о создании нового поколения узкополосных устройств твердотельной спиновой электроники миллиметрового <...> Конечно, проблема спинового транспорта в твердотельных структурах более многогранна. <...> Структура традиционных курсов общей физики всегда соответствовала структуре самой физической науки и

Предпросмотр: Физическое образование в вузах №2 2006.pdf (0,4 Мб)
49

Основы нанотехнологии учебник

М.: Лаборатория знаний

В учебнике изложены общие представления о нанотехнологии, ее концептуальные проблемы. Затронуты вопросы самоорганизации и синергетики в наномире, проанализированы возможности нанометрологии. Рассмотрены специфические особенности и проблемы наномира.

Поскольку большинство твердотельных структур в той или иной степени обладает фрактальными свойствами, <...> Мандельброт, то практически любую наночастицу, твердотельную структуру и вообще любой нанообъект можно <...> При этом твердотельную фрактальную структуру можно рассматривать как максимально емкую информационную <...> Поскольку большинство твердотельных структур в той или иной степени обладает фрактальными свойствами, <...> При этом твердотельную фрактальную структуру можно рассматривать как максимально емкую информационную

Предпросмотр: Основы нанотехнологии (1).pdf (0,4 Мб)
50

Физико-химия наночастиц, наноматериалов и наноструктур учеб. пособие

Сиб. федер. ун-т

Основной задачей учебного пособия является ознакомление студентов с основными классами наночастиц и наноматериалов, их физико-химическими свойствами, а также со сложившимися и перспективными областями применения наноматериалов.

Учеб пособие 30 На основании сказанного, к объектам наноэлектроники будем относить любые твердотельные <...> – для ОЦК-структуры и z = 4 – для структуры алмаза. <...> формирования и роста пленок в конечном счете определяют все практически значимые характеристики синтезируемых твердотельных <...> этом формирование геля не заканчивается: продолжается присоединение оставшихся в жидкой фазе мелких твердотельных <...> поверхности с пространственным разрешением до долей нанометров и определения ее локальных свойств с помощью твердотельных

Предпросмотр: Физико-химия наночастиц, наноматериалов и наноструктур.pdf (0,6 Мб)
Страницы: 1 2 3 ... 4194