Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 559186)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 194814 (1,12 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

Полные решения изолированных интерфейсов средств управления и автоматизации на примере предложений компании Maxim [Электронный ресурс] / В. Рентюк // Компоненты и технологии .— 2015 .— №4 (165) .— С. 27-32 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/381476

Автор: Рентюк Владимир

В статье рассматриваются предлагаемые компанией Maxim Integrated Products (США) семейство ИМС цифровых интерфейсов широкого применения и драйверы импульсных трансформаторов для комплексных решений в части гальванически развязанных интерфейсов, а также основные решения и рекомендации по их применению.

Преимущества Недостатки • Всего три внешних компонента • Низкий уровень пульсаций выходного напряжения • Одно прямое <...> падение напряжения на диоде • Большое количество витков вторичной обмотки • Сложная конструкция трансформатора <...> уровень пульсаций выходного напряжения • Пять внешних компонентов • Высокая себестоимость • Удвоенное прямое <...> падение напряжения на диоде • Наименьшее число витков в обмотке трансформатора • Четыре внешних компонента <...> • Высокий уровень пульсаций выходного напряжения • Удвоенное прямое падение напряжения на диоде Таблица

2

№6 [Полупроводниковая светотехника, 2011]

Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.

Прямое падение напряжения зависит от типа светодиодов. <...> Например, для мощных прямое падение напряжения при номинальном токе находится в диапазоне 2,2–6,4 В в <...> Также, в случае включения светодиодов разных цветов, прямое падение напряжения на каждом из них будет <...> (красный цвет); прямое падение напряжения 2,2 В AMEPR3-0470KZ, AMER3-0470KZ 2,9 2–4 1 1 AMER4-1230KZ <...> Фонарь выдерживает падение с высоты 2 м, защищен от прямого попадания воды, а стекло фары некритично

Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №6 2011.pdf (0,5 Мб)
3

ПОВЫШЕНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ СВАРОЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ТОКА С ПРЯМОУГОЛЬНОЙ ФОРМОЙ ИМПУЛЬСА ДЛЯ СВАРКИ АЛЮМИНИЯ И ЕГО СПЛАВОВ НЕПЛАВЯЩИМСЯ ЭЛЕКТРОДОМ [Электронный ресурс] / Шигин // Сварка и Диагностика .— 2013 .— №1 .— С. 59-63 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/613323

Автор: Шигин

Приведены результаты испытаний прототипа сварочного источника тока инверторного типа для сварки алюминия переменным током прямоугольной формы с улучшенными энергетическими характеристиками, в котором уменьшение внутренних потерь в источнике тока достигается подключением нагрузки (дугового промежутка) непосредственно к выходным зажимам согласующего трансформатора, а также показаны некоторые технологические возможности для сварки других видов

линейно с входным током Iвх коэффициентом трансформации Kт согласующего трансформатора: Iд = IвхKт. (1) Прямое <...> падение напряжения на диодах ΔUVD и открытых транзисторах ΔUVT принимаем равными для входных и выход <...> Прямое падение напряжения на диодах ΔUVD = 1 В, на транзисторах в открытом состоянии ΔUVT = 1,3 В. <...> газе явля� ется то, что напряжение дуги обратной полярности примерно в 2 раза больше напряжения дуги прямой <...> Экспериментально доказана возможность повышения энергетической эффективности (кпд) источника тока с прямо

4

Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors — технология, продукты, перспективы [Электронный ресурс] / А. Туркин // Полупроводниковая светотехника .— 2016 .— №2 .— С. 44-48 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/411632

Автор: Туркин Андрей

В статье рассматривается технология выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия и его твердых растворов на кремниевых подложках, отрабатываемая в последнее время компанией Plessey Semiconductor Ltd. Приведен краткий обзор светодиодных кристаллов на основе указанных гетероструктур, недавно представленных компанией на рынок, а также описывается новое направлениt работы, которое уже в ближайшем будущем может вывести ее в лидеры среди производителей компонентов на основе гетроструктур нитрида галлия и его твердых растворов.

В спектрах и на вольт-амперных характеристиках синих СД при низких значениях прямого тока наблюдались <...> падение напряжения на кристалле при номинальном токе на 20% ниже, чем у других производителей [2, 8] <...> При номинальном токе, значение которого составляет 350 мА, прямое Рис. 3. <...> R U 45 падение напряжения соответствует диапазону 2,8–3,1 В [10]. <...> При номинальном токе, значение которого составляет 350 мА, прямое падение напряжения находится в диапазоне

5

ИМПУЛЬСНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОДУЛЯТОР С ЧАСТИЧНЫМ РАЗРЯДОМ ЕМКОСТНОГО НАКОПИТЕЛЯ [Электронный ресурс] / А.В. Щербаков // Вестник Московского энергетического института .— 2017 .— №1 .— С. 51-58 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/572110

Автор: Щербаков Александр Владимирович

Для стационарных импульсных высоковольтных устройств, когда нет жестких требований по массогабаритным показателям, модулятор с частичным разрядом емкостного накопителя может быть конкурентоспособным модулятору с полным разрядом емкостного накопителя. Коммутатор должен быть «жестким» по управлению, иметь малое прямое падение напряжения на открытом приборе, термокатод, работающий в режиме пространственного заряда, должен обеспечивать заданную длительность импульса и частоту повторения. Использование в качестве «жесткого» коммутатора новых высоковольтных модуляторных ламп, электроннолучевых вентилей с малыми потерями мощности на аноде и высокопервеансными электронно-оптическими системами, например типа ЭЛВ 50/100, позволяют создавать последовательные или параллельные схемы модуляторов мощностью более 1 МВт вполне конкурентоспособные схемам, созданным на основе соединенных последовательно большого количества сравнительно низковольтных полупроводниковых коммутаторов Параметры импульсов, сформированных таким модулятором, при правильном расчете, согласно общеизвестным методикам, в широких пределах практически не зависят от изменения величины активного сопротивления нагрузки, а сами силовые схемы не боятся воздействия любого вида внешнего электромагнитного или рентгеновского излучения. Рассматриваются две основные схемы построения модуляторов: параллельная, формирующая импульс отрицательной полярности, и последовательная, формирующая импульсы как положительной, так и отрицательной полярности. Нагрузка модуляторов должна иметь активное сопротивление, не менее чем в 10 раз превышающее сопротивление анод-катод открытого коммутатора. Для возможности оперативного и наглядного определения предельных значений режимов работы коммутаторов, сопротивления нагрузки и оптимизации номиналов электротехнических элементов модулятора проводится компьютерное моделирование электрической схемы в программе EWB.

Коммутатор должен быть «жестким» по управлению, иметь малое прямое падение напряжения на открытом приборе <...> В результате были разработаны высоковольтные вентили, у которых прямое падение напряжение насыщения ( <...> Падение напряжения коллектор-эмиттер множества соединенных последовательно высоковольтных транзисторов <...> транзистор КТ8192А имеет напряжение на коллекторе до 1500 В при токе 30…50 А, времени спада 0,5 мкс, прямом <...> Определяется падение напряжения на открытом коммутаторе.

6

№4 [Силовая электроника, 2013]

«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.

Поскольку кристаллы имеют позитивный температурный коэффициент прямого падения напряжения, они могут <...> Основные преимущества XPT IGBT 650 В: • низкое прямое падение напряжения; • работа на частоте до 60 кГц <...> Применение XPT-технологии обеспечило также малое тепловое сопротивление Rthjc и низкое прямое падение <...> Современная технология производства данных IGBT-кристаллов обеспечивает низкое прямое падение напряжения <...> Статическое распределение токов: влияние выходных характеристик Прямое падение напряжения одинаково для

Предпросмотр: Силовая электроника №4 2013.pdf (0,6 Мб)
7

Элементы оптоэлектроники

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

Учебное пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского государственного университета.

Следует обратить внимание, что ВАХ нагрузочного резистора строится не в координатах «падение напряжения <...> Согласно закону Ома, падение напряжения на резисторе равно. UР = I · R. <...> Чем меньше длина волны излучения, тем больше ширина запрещенной зоны и больше прямое падение напряжения <...> ток через светодиод и прямое падение напряжения на нем, R – сопротивление токоограничивающего резистора <...> Измерить падение напряжения на светодиоде при данных значениях тока. 6.

Предпросмотр: Элементы оптоэлектроники.pdf (0,7 Мб)
8

Элементы и устройства электроники метод. указания

Автор: Дегтярев Г. И.
ОГУ

Методические указания разработаны в соответствии с содержанием курса «Электротехника и электроника», определяемым Федеральным государственным образовательным стандартом по направлениям подготовки специалистов 151000.62 Технологические машины и оборудование. Методические указания могут быть использованы в учебном процессе студентами других технических специальностей, изучающих дисциплины: «Электротехника и промышленная электроника», «Электротехника, электроника и схемотехника». Методические указания содержат краткие теоретические сведения по теме лабораторной работы, рабочее задание, порядок обработки результатов измерений, содержание отчета и тестовые задания для защиты лабораторных работ.

ток maxnpI ; – прямое падение напряжения на диоде при максимальном прямом токе maxnpU ; – максимально <...> падение напряжения 0,4 В, а при обратном напряжении 400 В обратный ток составляет 100 μА . <...> Сумма падений напряжений на резисторе и стабилитроне равна входному напряжению. <...> вклU тиристора, характеризуется небольшими значениями тока, протекающего через тиристор, и большим падением <...> Германиевые диоды лучше кремниевых тем, что имеют меньшее прямое падение напряжения.

Предпросмотр: Элементы и устройства электроники.pdf (0,3 Мб)
9

№1 [Силовая электроника, 2014]

«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.

На рис. 3 [2] представлена эволюция размеров кристаллов и величины прямого падения напряжения для различных <...> Минимальное прямое падение напряжения демонстрируют кремниевые выпрямители, VF у SiC-диодов Шоттки несколько <...> Прямой ток и прямое падение напряжения для различных типов 10�А диодов при температуре +25 °С и +150 <...> Соотношение плотности тока (отношение прямого тока к площади чипа) и прямого падения напряжения для различных <...> Прямое падение напряжения таких IGBT уменьшается с температурой, что благоприятно сказывается на тепловом

Предпросмотр: Силовая электроника №1 2014.pdf (0,5 Мб)
10

Электроника и микроэлектроника в сервисе бытовых машин и приборов учеб. пособие

УГАЭС

Учебное пособие способствует лучшему усвоению теоретического материала и получению практических навыков при изучении электроники и микроэлектроники. Основная задача данного учебного пособия – предоставить студентам возможность практически изучить полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы, а также простейшие устройства на их основе. Студенты должны приобрести навыки работы с электрическими схемами и закрепить материал, изученный теоретически.

падение напряжение Ua max при максимальном анодном токе Ua max; г) собрать схему для исследования выпрямительного <...> падение напряжение Ua max при максимальном анодном токе Ia max. <...> падение напряжение Ua max при максимальном анодном токе Ia max Сравнить с параметрами выпрямительного <...> Снимать только прямую ветвь ВАХ светодиода. <...> Что такое статическая характеристика прямой передачи по току? Как ее построить?

Предпросмотр: Электроника и микроэлектроника в сервисе бытовых машин и приборов.pdf (0,2 Мб)
11

№6 [Полупроводниковая светотехника, 2012]

Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.

Зная этот коэффициент и измеряя прямое падение напряжения на переходе при фиксированном измерительном <...> В то же время, определяя прямое падение напряжения на переходе в процессе воздействия импульса, можно <...> На рис. 1 приведены графики, описывающие прямое падение напряжения на диоде при изменении температуры <...> Измеряется прямое падение напряжения установленного на плате светодиода при нулевом нагревающем токе <...> Измеритель прямого падения напряжения с программой, установленной на ПК Рис. 3.

Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №6 2012.pdf (0,7 Мб)
12

Преимущества 1200-В карбид-кремниевых диодов Шоттки с совмещенными p-n-переходами (MPS) [Электронный ресурс] / О. Хармон [и др.] // Силовая электроника .— 2016 .— №3(60) .— С. 10-13 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/388736

Автор: Хармон Омар

Современные однофазные и трехфазные инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания или приложения для накопления энергии отличаются повышенными требованиями в части высокой эффективности, компактности их конструкций и длительной надежности. Однако возможности реализации инверторов для таких приложений ограничены высокими динамическими потерями кремниевых полупроводниковых приборов при их использовании для напряжения 1200 В. Альтернативные конструкции, с использованием полупроводниковых приборов с рабочим напряжением 600/650 В, могут лишь частично повысить эффективность работы инвертора. Тем не менее необходимо учитывать, что это повышение осуществляется за счет применения более сложных топологий со специальными схемами управления и увеличением входящих в них компонентов.

На рис. 3 приведены вклады различных компонентов в величину конечного прямого падения напряжения при <...> Использование технологии тонких пластин для достижения более низкого прямого падения напряжения и улучшения <...> Сравнение значений прямого падения напряжения, связанных с резистивной составляющей, обычного диода Шоттки <...> падения напряжения. <...> Помимо снижения прямого падения напряжения, уменьшенная толщина кристалла также приводит и к улучшению

13

Ограничение тока в скалярных электроприводах с асинхронными двигателями [Электронный ресурс] / Удут, Чернышев, Чернышев // Научный вестник Новосибирского государственного технического университета .— 2015 .— №2 .— С. 120-133 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/395244

Автор: Удут

Актуальность исследований связана с разработкой систем скалярных частотнорегулируемых электроприводов с асинхронными двигателями как с новыми структурами, так и с вновь образованными производственными лабораториями. Благодаря своей относительной простоте скалярные частотно-регулируемые электроприводы являются наиболее применяемыми в тех промышленных механизмах, где не требуется большой диапазон регулирования скорости и высокие качества переходных процессов. Переходные процессы в скалярных электроприводах должны протекать при наложенных на ток и момент ограничениях. Целью работы является синтез параметров регуляторов ограничения тока и формулирование рекомендаций по их выбору с учетом разрядности аналого-цифровых преобразователей датчиков тока, качества переходных процессов в контуре ограничения тока, квантования сигналов цепи обратной связи по току, а также исследование систем токоограничения в скалярных электроприводах с асинхронными двигателями.

предельный ток, динамические характеристики, статор DOI: 10.17212/1814-1196-2015-2-120-133 ВВЕДЕНИЕ Пуск прямым <...> падение напряжения на диоде выпрямительного моста ПЧ (рис. 1), В; 1,5VTU  – прямое падение напряжения <...> На рис. 1 приняты также следующие условные обозначения: асинхронный двигатель М; ПКП – прямой координатный <...> сопротивления проводов и кабелей необходимые для подключения преобразователя частоты к сети и к двигателю, падения <...> малая постоянная времени цепи обратной связи контура тока; пк.тТ – интервал квантования управления в прямом

14

СВЕТОДИОД — ТАКОЙ ЗНАКОМЫЙ И НЕИЗВЕСТНЫЙ. ЧАСТЬ 1: ИСТОРИЯ, ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ [Электронный ресурс] / В. Рентюк // Полупроводниковая светотехника .— 2017 .— №1(45) .— С. 62-67 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/611117

Автор: Рентюк Владимир

С 1960 г. светодиоды прошли путь от не особо ярких индикаторов красного цвета свечения до приборов, чей спектр излучения простирается от ультрафиолета (GaN) до среднего инфракрасного диапазона (PbS); от источников красного света до монохроматических красных, зеленых и синих лазеров и до светодиодов на основе органических соединений; по яркости — от еле видимой до уже достаточной для обычных индикаторов и до сверхъярких мощных светодиодов, которые используются в самых разнообразных лампах бытового, уличного и индустриального освещения, прожекторах и автомобильных фарах. Светодиоды широко используются в архитектуре, искусстве и даже применяются для повышения урожайности в теплицах [10]. На базе светодиодов выполнены знаковые индикаторы, матрицы, панели и большие телевизионные экраны. За основу данной публикации взяты отдельные главы из [4] в авторском переводе с комментариями и дополнениями автора статьи.

падению напряжения VF, чем этого хотелось бы. <...> Решение проблемы, связанной с непостоянством прямого падения напряжения VF, заключается в использовании <...> Если падение напряжения на таком токостабилизирующем резисторе примерно такое же, как и прямое Рис. 2 <...> напряжения на светодиоде при выбранном прямом токе. <...> При прямом токе, например 10 мА, прямое падение напряжения для обычных светодиодов красного и зеленого

15

№5 [Силовая электроника, 2009]

«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.

Диоды Шоттки отличаются от диодов с p-n-переходом следующими параметрами: а) более низкое прямое падение <...> В диодах Шоттки (ДШ) прямое падение напряжения является функцией обратного напряжения. <...> Время обратного восстановления диодов серии составляет 35 нс, прямое падение напряжения — 0,98–1,22 В <...> коэффициент Материал Наиме нование изделия Обратное напряжение, В Прямое падение напряжения (max), В <...> Температурная зависимость прямой ветви ВАХ СПП Как известно [1, 2], при прямом включении СПП падение

Предпросмотр: Силовая электроника №5 2009.pdf (1,3 Мб)
16

схемы управления затворами силовых транзисторов [Электронный ресурс] / Бобрешов, Дыбой, Куролап // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2010 .— №2 .— С. 188-196 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/522305

Автор: Бобрешов

В данной статье исследуются схемы и решения, обеспечивающие снижение коммутационных потерь за счет уменьшения времени переключения силовых транзисторов. Рассмотрено несколько вариантов таких схем и проведено их моделирование в пакете PSpise.�� Получены временные диаграммы токов и напряжений на затворах силовых ключей. Выявлены решения, обеспечивающие минимальное время перезаряда входной емкости.

ПрЯМОЕ уПраВлЕНИЕ ЗаТВОраМИ СИлОВыХ КлЮчЕй Многие разработчики, стремясь снизить стоимость конечных изделий <...> падение напряжения на диоде, Rз — номинал токоограничивающего резистора. <...> , создаваемое током перезаряда входной емкости на резисторе RRз, становится соизмеримым с прямым падением <...> Естественным выходом могло бы стать применение диодов Шоттки с малым прямым падением, однако такое решение <...> Это связано с величиной прямого падения напряжения на переходе базаэмиттер транзистора ttOFF, которая

17

Новое поколение преобразовательных систем на основе карбидокремниевых силовых ключей [Электронный ресурс] / Е. Карташов // Силовая электроника .— 2015 .— №6 (57) .— С. 21-26 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/390453

Автор: Карташов Евгений

Мировая экономика имеет несомненный выигрыш от технологических инноваций и непрерывного совершенствования высоко интегрированных и надежных преобразовательных систем. Однако недостатком этого процесса являются более высокие энергетические затраты и негативные экологические эффекты, связанные с освоением и выпуском продуктов, потребляющих большее количество энергии.

Например, при напряжении пробоя 800 В и выше сопротивление канала (и, следовательно, прямое падение напряжения <...> Сравнение удельного прямого сопротивления Si�MOSFET и SiC�MOSFET Таблица. <...> Единственное значимое различие между ними состоит в прямом падении напряжения: величина Vf внутреннего <...> падения напряжения и тока утечки диода, которые возрастают пропорционально прямому току через диод. <...> В этом случае большое прямое напряжение внутреннего диода «шунтируется», поскольку оно определяется падением

18

НОВЫЙ ТРЕНД ВО ВТОРИЧНОЙ ОПТИКЕ: СИЛИКОНОВЫЕ ЛИНЗЫ С ПОЛНЫМ ВНУТРЕННИМ ОТРАЖЕНИЕМ [Электронный ресурс] / М. Моисеев // Полупроводниковая светотехника .— 2017 .— №2(46) .— С. 28-31 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/611124

Автор: Моисеев Михаил

Сделать популярный и продаваемый светодиодный светильник непросто, особенно сегодня, когда само словосочетание «светодиодный свет» стало относительно обыденным и понятным. Современный потребитель уже неплохо разбирается в технических характеристиках таких изделий и предъявляет к ним самые высокие требования: устройство должно быть не только энергоэффективным и недорогим, но и обладать эргономичностью и эстетичностью. Оригинальность, разумеется, также приветствуется рынком. Итальянский производитель оптики Khatod постоянно работает над созданием инновационных решений. В статье рассматриваются новые силиконовые линзы компании

матрицей, не попадает на отражающую поверхность, а выходит из светильника напрямую (так называемый «прямой <...> Прямой свет обеспечивает широкую, зачастую ненужную и даже вредную фоновую засветку, его наличие может <...> производства мощных светодиодов компании Cree, XHP70.2 имеют еще большую плотность люмен, сниженное прямое <...> падение напряжения, повышенную надежность и улучшенные оптические характеристики по сравнению с XHP70

19

Электрические и электронные аппараты. Методические указания к курсовой работе для студентов по направлению подготовки 140400 «Электроэнергетика и электротехника» профиль подготовки «Электропривод и автоматика» очной и очно-заочной форм обучения

Автор: Синюкова
ЛГТУ

В методических указаниях изложена методика по расчету и выбору электрических аппаратов для электроприводов и системы электроснабжения, подтвержденная расчетными численными значениями

средний) ток 0,3 А, (0,3 А>0,05 А); номинальное обратное амплитудное напряжение 100 В, (100 В>37,7 В); прямое <...> падение напряжения 1 В; охлаждение воздушное, естественное. 10. <...> средний) ток 10 А, (10 А>1,2 А); номинальное обратное амплитудное напряжение 150 В, (150 В>37,7 В); прямое <...> падение напряжения 1,35 В; охлаждение воздушное, естественное. 10.2. <...> Из условия выбора резисторов необходимо, чтобы падение напряжения на них составляло: ΔU = 220 24=196

Предпросмотр: Электрические и электронные аппараты. Методические указания к курсовой работе для студентов по направлению подготовки 140400 «Электроэнергетика и электротехника» профиль подготовки «Электропривод и автоматика» очной и очно-заочной форм обучения.pdf (0,5 Мб)
20

Проектирование недорогих многовыходных DC/DC-преобразователей — стабилизаторов напряжения. Часть 1 [Электронный ресурс] / В. Рентюк // Силовая электроника .— 2017 .— №1(64) .— С. 45-50 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/578218

Автор: Рентюк Владимир

Использование 1:1 магнитосвязанных индуктивностей совместно с понижающими DC/DC-преобразователями

Его величина (рис. 3) сильно зависит от индуктивности рассеивания катушки LLEAK, тока нагрузки IOUT2, прямого <...> основывается на предположении, что среднее напряжение на индуктивности рассеяния постоянно и равно прямому <...> вызвано высокой изменчивостью пульсаций тока во вторичной обмотке катушки и нелинейной зависимостью прямого <...> следующим образом: (11) В большинстве справочных материалов по проектированию предлагается принимать прямое <...> падение напряжения на диодах Шоттки равным 0,5 В.

21

СВЕТОДИОД — ТАКОЙ ЗНАКОМЫЙ И НЕИЗВЕСТНЫЙ. ЧАСТЬ 2: ЭФФЕКТИВНОЕ УПРАВЛЕНИЕ, ДРАЙВЕРЫ [Электронный ресурс] / В. Рентюк // Полупроводниковая светотехника .— 2017 .— №2(46) .— С. 56-63 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/611130

Автор: Рентюк Владимир

В предыдущей части статьи был рассмотрен ряд вопросов истории создания светодиодов, основные электрические характеристики и особенности, которые необходимо учитывать при их применении, а также простейшие схемы управления. Однако какой бы ни была простота приведенных ранее решений, наилучшим источником стабильного тока является импульсный преобразователь — тема второй части материала. За основу данной публикации взяты отдельные главы из [1]с комментариями и дополнениями автора и переводчика статьи

Это, в следствие того, что природа белого светодиода требует прямого падения напряжения на нем на уровне <...> Если прямое падение напряжения на светодиоде VF равно 3,3 В (типовое), то с учетом соображений, высказанных <...> Мы знаем, что две или три линейки светодиодов будут иметь различные комбинации прямого падения напряжения <...> Если в линейках объединяются светодиоды, которые не имеют полностью идентичных значений прямого падения <...> Температура радиатора будет медленно расти, вызывая тем самым изменение значения прямого падения напряжения

22

Микросхема LTC4366: надежная защита от скачков напряжения до 500 В [Электронный ресурс] / В. Гульванский [и др.] // Компоненты и технологии .— 2017 .— №4(189) .— С. 40-42 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/597020

Автор: Гульванский Вячеслав

В транспортных средствах электроника сталкивается с уникальными проблемами, основной из которых является работа при кратковременных всплесках электроэнергии. Без должной схемы защиты скачки напряжения способны моментально вывести аппаратуру из строя. Из-за сложностей с неустойчивым питанием в этой области были разработаны стандарты, устанавливающие регламенты для электрических систем, действующих от источников питания 12 В и 28 В в различных транспортных средствах. Проектирование систем, устойчивых к скачкам напряжения и связанным с ними переходными процессами, обычно требует больших и дорогих пассивных компонентов. Подавляющая скачки напряжения линейка продуктов от компании Linear Technology не только предназначена для защиты систем от подобных скачков, но и способна сократить стоимость и размер решения

Если падение напряжения в резисторе обратной связи RFB1 превышает 1,23 В, усилитель ре‑ гулирования опускает <...> перенапряжения Как правило, внешний транзистор полностью включен, питая на‑ грузку с очень небольшим падением <...> сначала подается на вход, D3 и база‑кол‑ лектор узла Q2 позволяют получать М2 входное напряжение минус падение <...> Во время отрицательного входного напряжения Q2 включается, когда ток от R6 усиливает прямое падение напряжения

23

№5 [Полупроводниковая светотехника, 2011]

Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.

Прямое падение напряжения (типовое) при токе 700 мА — не выше 2,9 В. <...> падение напряжения (тип.), В (при 700 мА) 2,9 Таблица 2. <...> падение напряжения (тип.), В при 350 мА 3,2 Рис. 3. <...> Температурная зависимость параметров ВАХ выражается в снижении прямого падения напряжения на диоде при <...> Зависимость прямого падения напряжения на светодиоде от температуры Рис. 3.

Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №5 2011.pdf (0,3 Мб)
24

СВЕТОДИОДНЫЕ МАТРИЦЫ ДЛЯ СИСТЕМ ОСВЕЩЕНИЯ СЕРИЙ СХА И CXA2 ОТ КОМПАНИИ CREE [Электронный ресурс] / В. Макаренко // Полупроводниковая светотехника .— 2017 .— №2(46) .— С. 23-27 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/611123

Автор: Макаренко Владимир

В статье приведена краткая информация об основных параметрах светодиодных матриц серий СХА и СХА2 (СХВ), выпускаемых компанией Cree. Отличительной особенностью этих матриц является высокая удельная плотность светового потока, что позволяет при минимальных затратах реализовать как отдельные светильники, так и системы освещения различного назначения. В состав серии СХА2 вошли совершенно новые светодиодные матрицы XLamp CXA2 Studio с высоким индексом цветопередачи, предназначенные для применения в фотографии, кинематографии и телевидении. В статье также приведены некоторые рекомендации компании Cree по монтажу матриц в светильниках

ток, А (тип.) 0,7 0,35 0,5 1,4 1,2 Прямой ток, А (макс.) 1,05 0,525 0,5 1,4 1,2 Потребляемая мощность <...> напряжение, В (тип.) 35 36,4 36,2 36 38,5 38,5 77 Прямой ток, А (тип./ макс.) 0,55/1,25 0,8/1,6 1,1/ <...> падение напряжения 36 или 72 В; · максимальный ток 3,6 А (36 В) и 1,8 А (72 В); · угол излучения 115 <...> напряжение, В (типовое) 16,5 33 33 Прямой ток, А (тип.) 0,7 0,35 0,5 Прямой ток, А (макс.) 1,4 0,7 1,4 <...> ток, А (тип.) 0,4 0,2 0,1 0,4/0,2 0,7/0,35 35 35 35 Прямой ток, А (макс.) 1 0,5 0,25 0,75/0,375 1,2/

25

Дискретные ВЧ-компоненты для «Интернета вещей» [Электронный ресурс] / В. Гавриков // Компоненты и технологии .— 2017 .— №1(186) .— С. 24-26 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/561192

Автор: Гавриков Вячеслав

В настоящее время к беспроводным технологиям предъявляются высокие требования по надежности, производительности и уровню потребления. Ключевым фактором при решении перечисленных задач является грамотный выбор элементной базы. Это касается как микросхем, так и дискретных компонентов. В статье рассмотрены особенности дискретных компонентов для ВЧ-приложений и дана оценка современному уровню их развития на примере продукции компании Infineon

При прямом смещении, боль‑ ших уровнях инжекции и входном ВЧ‑сигнале они ведут себя аналогично резистору <...> защитное кольцо в виде p‑легированной области. благодаря применению контакта металл‑ полупроводник прямое <...> падение напряжения у диодов Шоттки оказывается значительно меньше, чем у обычных диодов.

26

Моделирование теплового поражения СВЧ-диода мощным импульсом электромагнитного излучения [Электронный ресурс] / Сергеев, Ходаков, Молгачев // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №3 .— С. 93-96 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376643

Автор: Сергеев

Представлена модель теплового поражения полупроводникового СВЧ-диода мощным СВЧ-импульсом с температурозависимой плотностью мощности. Найдено распределение максимальной температуры по полупроводниковой структуре в зависимости от длительности импульса излучения.

          ),,( ))),,((( exp,, 1 0 thrTmk thrTqUSRUeE JUthrq sB sdardd d , (6) где Ud – прямое <...> падение на светоизлучающем диоде; J0 – слабо зависящий от температуры параметр; E – ширина запрещенной

27

Низкопрофильные источники питания для светодиодных информационных систем производства Mean Well [Электронный ресурс] / В. Алексеев // Полупроводниковая светотехника .— 2015 .— №6(38) .— С. 55-62 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/411591

Автор: Алексеев Виктор

Базовые параметры светодиодных информационных систем Тайваньская фирма Mean Well Enterprises Co Ltd (Mean Well, MW), основанная в 1982 году, является одним из ведущих мировых производителей источников питания (ИП). Среди огромной номенклатуры изделий фирмы, включающей более 2000 наименований, особой популярностью во всем мире пользуются ИП для светодиодных информационных систем (СИС) [1]. Светодиодные экраны встречаются буквально повсюду: на улицах города, вокзалах, аэропортах, на стадионах, концертных площадках, в магазинах и на транспорте. Различного вида светодиодные индикаторные табло используются также в промышленных системах контроля и автоматики.

Известно, что для СД существуют допустимые значения прямого и обратного падения напряжения питания UmaxF <...> Прямое падение напряжения у стандартных СД колеблется, в среднем, от 1,8 до 3,6 В. <...> Мощные СД работают при прямом падении напряжения в диапазоне 4–5 В. <...> При увеличении прямого падения напряжения и выходе на рабочий режим динамическое сопротивление падает <...> При увеличении температуры p-n-перехода уменьшается значение прямого падения напряжения при фиксированном

28

Обеспечение суммарного тока обоих источников питания с помощью контроллера параллельного включения [Электронный ресурс] / Б. Смит // Компоненты и технологии .— 2017 .— №2(187) .— С. 100-102 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/582501

Автор: Смит Боб

В статье рассматривается применение LTC4370 — контроллера параллельного включения (англ. Two-Supply Diode-OR Current Balancing Controller) идеальных диодов, в качестве которых используются МОП-транзисторы для совместного подсоединения двух независимых источников питания. С помощью предлагаемого решения контроллер LTC4370 активно балансирует выходные токи двух блоков питания даже в том случае, когда их напряжения не идентичны. Чтобы сбалансировать общий ток нагрузки, если используются два разных по напряжению источника питания, прямое падение напряжения на идеальном диоде, через который подключен источник питания с более высоким выходным напряжением, становится управляющим. Максимально допустимое падение напряжения на таком диоде (дисбаланс питающих напряжений) программируется выбором соответствующего номинала резистора, устанавливаемого на выводе RANGE контроллера LTC4370

чтобы сбалансировать общий ток нагрузки, если используются два разных по напряжению источника питания, прямое <...> падение напряжения на идеальном диоде, через который подключен источник питания с более высоким выходным <...> Максимально допустимое падение напряжения на таком диоде (дисбаланс питающих напряжений) программируется

29

Дискретные структурные динамические модели понижающего импульсного ППН при модуляции момента включения силового транзистора и двусторонней модуляции [Электронный ресурс] / Г. Белов // Силовая электроника .— 2015 .— №5(56) .— С. 42-46 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/390431

Автор: Белов Геннадий

Анализ и синтез устройств силовой электроники невозможен без обоснованных в достаточной мере математических моделей. Для анализа и синтеза силовых преобразователей с замкнутыми системами управления наиболее удобны структурные динамические модели, составленные из стандартных структурных динамических звеньев однонаправленного действия, известных из теории автоматического управления. Поскольку импульсные преобразователи постоянного напряжения (ППН) с замкнутыми системами управления представляют собой нелинейные дискретные системы, наибольшей достоверностью обладают результаты, полученные по дискретным моделям.

Импульс конечной высоты uд.пр и малой длительности |Δt1| (предполагаем, что прямое падение напряжения

30

Стабильность Vout в конвертерах отрицательного напряжения может быть улучшена [Электронный ресурс] / В. Смирнов // Силовая электроника .— 2016 .— №5(62) .— С. 70-73 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/512406

Автор: Смирнов Владимир

Потребность в конвертерах, питаемых от источников отрицательного напряжения, хотя и не часто, но все же возникает, особенно при разработке многоканальных источников питания с одним питающим напряжением на входе, например равным 28 В. В широко используемой литературе [1] особенности схем таких конвертеров обычно не рассматриваются. Содержательный анализ схем конвертеров, питаемых от источника отрицательного напряжения, был в свое время выполнен в работах [2, 3]. По его итогам можно сделать заключение, что все возможные базовые виды таких преобразователей (импульсных регуляторов напряжения, ИРН, согласно работе [1]) могут быть реализованы с использованием стандартных микросхем (МС), содержащих внутри или снаружи МС один силовой транзисторный ключ и сконструированных в расчете на преобразование положительного напряжения

как формирование между двумя подсхемами конвертера, которые не имеют общего провода GND, связи в виде падения <...> Смещение создается с помощью транзистора Q1 как падение напряжения Ic × R1 от тока коллектора Ic, который <...> приводимым соотношениям: Ie = (Vout – Veb) / R3; Ic = Ie × b / (b + 1); VFB_GND = Ic × R1, (1) где Veb — прямое <...> падение напряжения на переходе e-b; b = Ic/Ib >>1 — коэффициент передачи тока база-коллектор.

31

Экспериментальная установка для исследования плазменных актуаторов, создающих электрогидродинамический поток [Электронный ресурс] / Гамируллин [и др.] // Прикладная физика .— 2015 .— №5 .— С. 95-101 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/431835

Автор: Гамируллин

Описана установка на основе мощного высоковольтного генератора прямоугольных импульсов и автоматизированного измерительного комплекса для исследования плазменных актуаторов с разветвленной поверхностью барьерного разряда. Экспериментально исследовано влияние параметров электродной системы и толщины актуаторов на скорость электрогидродинамического потока и КПД актуаторов.

Технические характеристики генератора Рабочее напряжение, U 0,6—16 кВ Коммутируемый импульсный ток, I 120 А Прямое <...> падение напряжения, UIGBT 600 В Время открытого состояния коммутатора, tO 100—800 нс Время между импульсами

32

Расчет теплопритоков в узлах матричных фотоэлектронных модулей ИК-диапазона спектра [Электронный ресурс] / Белоковаленко, Банников // Прикладная физика .— 2017 .— №2 .— С. 42-47 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/604726

Автор: Белоковаленко

Впервые проведен анализ и расчет теплопритоков в узлах матричного фотоэлектронного модуля (ФЭМ) с помощью программного комплекса Autodesk CFD. При помощи программного обеспечения Autodesk Inventor была создана трехмерная модель прибора, на основе которой в дальнейшем построена модель распределения тепла внутри матричного фотоэлектронного модуля. Исходя из полученных данных, проанализирована конструкция ФЭМ с точки зрения распределения и отвода тепла. Из результатов расчета сделано заключение об эффективности работы ТЭО и его вкладе в паразитное излучение

Значит, и электрические параметры приборов, такие, как прямое падение напряжения на p–n-переходе, обратный

33

МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ДАТЧИКИ ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН. ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ, МОДЕЛИ И КОНСТРУКЦИИ [Электронный ресурс] / Ломтев [и др.] // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль .— 2015 .— №2 .— С. 57-65 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/552984

Автор: Ломтев

Исследованы принципы построения многофункциональных датчиков (МФД) физических величин (ФВ), основанных на различных физических эффектах. Определены критерии информационно-энергетической и технологической совместимости преобразования различных величин одним датчиком, выбраны базовые методы совмещенного преобразования неэлектрических величин. Доказано, что наиболее «гибкими» с точки зрения многообразия физических эффектов, которые могут быть использованы в МФД ФВ, являются микроэлектронные датчики (МЭД). МЭД могут использоваться для одновременного измерения таких параметров, как давление и температура, давление и вибрации, ускорения и скорости, ускорения и температуры. Особенно актуально наличие в одном датчике канала давления и температуры, так как эти параметры являются наиболее распространенными при измерениях на практике. При этом для многофункциональных МЭД может быть получена высокая селективность измерений при малых габаритах, высокой точности и малом энергопотреблении самих датчиков. Приведены структурные схемы многофункциональных датчиков с различными принципами преобразования. Приведены модели МФД ФВ. Предложена классификация физически совместимых принципов преобразования различных параметров. Показаны конкретные примеры реализации полупроводниковых и пьезоэлектрических МФД ФВ.

При этом термозависимыми параметрами могут быть: обратный и прямой токи, прямое и обратное напряжение <...> зависимость может быть представлена [12]: 0 exp( ) 1 ,e UI I q kT      (1) где I и I0 – соответственно прямой <...> Логарифмируя (1) и определяя прямое падение напряжения на переходе, получают U = (kT/qe)·ln(I/Io + 1) <...> kT/qe)·ln(I/Io). (3) Дифференцируя (3) по температуре, получают выражение для термочувствительности прямого <...> транзистора в диодном включении получают двухполюсник, термозависимым параметром которого является прямой

34

SiC: драгоценности и зеркала [Электронный ресурс] / Хатуль // Химия и жизнь ХХI век .— 2017 .— №1 .— С. 20-23 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/568947

Автор: Хатуль

Любой инженер скажет, что универсальный материал — это здорово: облегчается конструирование, исчезают проблема соединения разнородных материалов и проблема взаимодействия, облегчается проблема термонапряжений и поводок. Но это в теории, в идеале; а на практике одних только сталей человечество придумало более тысячи! А сплавов других металлов, а неметаллов, а композитов — не счесть (и не собирается от них отказываться — это к вопросу о 3D-принтерном ажиотаже). Но даже если какой-то материал разрабатывают для конкретной задачи, то потом для него находят и другие применения. Наверное, все материалы в технике имеют множество применений, и, хотя разнообразие растет, индивидуализация пока не просматривается — возможности управления материалами, с учетом стоимости и времени реализации, пока что отстают от аппетитов конструкторов. Вот простой пример: основные механические параметры материала — прочность и модули упругости. Если бы для фиксированного значения одного параметра можно было бы свободно управлять значением другого, то для каждого применения можно было бы сделать свой оптимальный материал (и, кстати, тогда бы не использовали сотовые структуры). Но это невозможно, а разработка композитов, которая отчасти как раз и решает эту проблему, — длительный и дорогой процесс

А потом начинается, естественно, и нагрев с еще более сильным падением сопротивления. <...> Мы знаем из школы, что плоскопараллельная пластина не отклоняет луч света, она при наклонном падении <...> У диодов на его основе намного меньше обратные токи, и может быть получено меньше прямое падение напряжения

35

Технология ремонта автомобильных генераторов метод. указания по выполнению лаб. работы

Автор: Севостьянов Александр Леонидович
ОрелГТУ

Методические указания «Технология ремонта автомобильных генераторов» по выполнению лабораторной работы содержат технические требования на очистку, разборку, дефектацию и испытание автомобильных генераторов. Рассмотрен технологический процесс восстановления крышки генератора металополимерными композициями.

Прямое падение напряжения на вентилях должно быть не более 1,4В.

Предпросмотр: Технология ремонта автомобильных генераторов .pdf (0,2 Мб)
36

Кремниевые сборки SPA производства Littelfuse для защиты чувствительной электроники [Электронный ресурс] / В. Гавриков // Компоненты и технологии .— 2015 .— №7 (168) .— С. 30-34 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/381952

Автор: Гавриков Вячеслав

Семейство защитных кремниевых сборок SPA (Silicon Protection Arrays) от Littelfuse разработано для надежного предохранения чувствительных электронных компонентов от различного рода перенапряжений и разрядов. В целом ряде случаев применение SPA будет более оптимальным решением, чем использование отдельных TVS-диодов или варисторов.

Корпус Рабочее напряжение, В емкость, пФ Число каналов Рейтинг (Contact Discharge, IEC61000-4-2), кВ Прямое <...> падение напряжения (8/20 мкс), В Максимальный ток (8/20 мкс), А Схема SP720 PDIP SOIC 2–30 3 14 4 2

37

№6 [Технологии в электронной промышленности, 2012]

«Технологии в электронной промышленности» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка печатных плат, о фирмах, работающих на рынке производства электроники. Тематически журнал охватывает все сферы производства печатных плат и ориентирован прежде всего на технологов и конструкторов, работающих в электронной промышленности.

Для каждого диода были измерены электрические параметры — прямое падение напряжения Uпр (при Iпр = 4,64 <...> Представленные данные подтверждают теорию [5], что суммарное прямое падение напряжения с ростом дозы <...> Для каждого диода были измерены электрические параметры — прямое падение напряжения Uпр (при Iпр = 5,08 <...> Зависимость электрических параметров диодов КД521Г от дозы рентгеновского облучения: а) прямого падения <...> Зависимость электрических параметров диодов 1N5817MIC от дозы рентгеновского облучения: а) прямого падения

Предпросмотр: Технологии в электронной промышленности №6 2012.pdf (0,5 Мб)
38

№1 [Современная светотехника, 2015]

B2B-издание, посвященное анализу проблем светотехнической отрасли, вопросам разработки, производства и внедрения современных энергоэффективных решений в области светотехники.

Поскольку, и это естественно, имеется некоторое неизбежное падение напряжения на ограничителе тока, то <...> Эти пары соединены последовательно в количестве, выбранным из условия, чтобы их суммарное прямое падение <...> Они содержат несколько полупроводниковых переходов, таким образом, их прямое падение напряжение может <...> падение их напряжения будет отвечать требованиям схем, хотя в целом этот вариант исполнения еще недостаточно <...> в сочетании с температурными характеристиками конструкции «светодиод–радиатор», например, измерение падения

Предпросмотр: Современная светотехника №1 2015.pdf (0,1 Мб)
39

Как преодолеть стагнацию и восстановить экономическое развитие [Электронный ресурс] / Аганбегян // ЭКО .— 2016 .— №2 .— С. 7-16 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/468154

Автор: Аганбегян

В статье автор анализирует причины, которые привели экономику России к стагнации и рецессии. Предложены меры для восстановления социальноэкономического развития страны – форсированные инвестиции и подъем экономики знаний

А с 1-го квартала 2015 г. началась рецессия, т. е. прямое падение ВВП, промышленности, строительства, <...> Из экономических показателей наибольшее падение продемонстрировали объёмы внешней торговли – сокращение

40

№2(46) [Полупроводниковая светотехника, 2017]

Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.

Измеряя падение прямого напряжения при известной температуре, можно пересчитать температуру изделия, <...> На СИД подается питание, и температура перехода рассчитывается из измеренного падения прямого напряжения <...> Это, в следствие того, что природа белого светодиода требует прямого падения напряжения на нем на уровне <...> Мы знаем, что две или три линейки светодиодов будут иметь различные комбинации прямого падения напряжения <...> Если в линейках объединяются светодиоды, которые не имеют полностью идентичных значений прямого падения

Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №2(46) 2017.pdf (0,1 Мб)
41

Материалы и компоненты электронных средств лаб. практикум

Автор: Юзова В. А.
Сиб. федер. ун-т

В лабораторном практикуме изложены краткие теоретические сведения об электронных материалах и компонентах. Рассмотрены методы исследования и измерения свойств материалов и номинальных характеристик активных и пассивных компонентов электронных схем. Описаны процессы и явления, протекающие в материалах и компонентах электронной техники. Показаны связь и влияние типа, конструкции, материала компонента на электрофизические и эксплуатационные характеристики.

падение напряжения и постоянный обратный ток. <...> падения напряжения при заданном среднем значении прямого тока; – среднее значение обратного тока, среднее <...> При больших прямых токах падение напряжения на сопротивление базы соизмеримо с падением на переходе. <...> ветвь, относятся: – прямое падение напряжения на диоде при заданной величине постоянного прямого тока <...> прямой ток и измерять прямое падение напряжения.

Предпросмотр: Материалы и компоненты электронных средств. Лабораторный практикум (гриф УМО).pdf (1,3 Мб)
42

Простая электроника для детей. Девять простых проектов с подсветкой, звуками и многое другое, A Beginner’s Guide to Circuits: Nine Simple Projects with Lights, Sounds, and More!

Автор: Нидал Даль Эйвинд
М.: Лаборатория знаний

Книга «Простая электроника для детей» — идеальный трамплин для прыжка в мир электроники и схемотехники. Первое, чему вы научитесь, — это читать принципиальные электрические схемы и применять беспаечную макетную плату для сборки схем без паяльника. Затем вы получите огромный практический опыт, собрав девять простых проектов из самых доступных электронных компонентов и микросхем. В процессе сборки вы узнаете, как работает каждый компонент, для чего применяется и какие новые интересные эффекты можно получить, комбинируя разные виды компонентов в схемах.

Должны иметь примерно одинаковое прямое напряжение Vf 1 № 904085 NE555 ИС 555 таймер 1 № 12749 СD4017B <...> В силу этого схема работает прямо противоположным образом по сравнению со схемой из предыдущего проекта <...> Значит, падение напряжения на резисторе R1 составляет 8,3 В. <...> Это так просто заставить несколько светодиодов 1 Vf (forward voltage drop) — прямое падение напряжения <...> Прямое падение напряжения на светодиодах примерно 2 В, значит, на R3 остается 7 В. Оно нам и нужно.

Предпросмотр: Простая электроника для детей. Девять простых проектов с подсветкой, звуками и многое другое. — Эл. изд..pdf (0,3 Мб)
43

Исследование неуправляемых и управляемых выпрямительных устройств метод. указания к лаб. работе

М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Рассмотрены схемы управляемых и неуправляемых выпрямителей. Представлены электрические схемы исследуемых устройств, таблицы для экспериментальных данных и расчетные формулы.

Часто при анализе и расчете электронных схем принимают диод идеальным, т. е. считают, что при прямом <...> Основными электрическими параметрами выпрямительных диодов являются: Iпр.ср – средний прямой ток диода <...> ; Uпр.ср – среднее прямое падение напряжения; Uобр max – максимально допустимое постоянное обратное напряжение <...> Выбор диода по прямому току и обратному напряжению проводят по соотношениям: Iпр.ср = Iн.ср ; (4) Copyright <...> Это обусловливает повышенные требования по допустимому прямому току при выборе диода.

Предпросмотр: Исследование неуправляемых и управляемых выпрямительных устройств.pdf (0,2 Мб)
44

№2 [Силовая электроника, 2014]

«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.

ВАХ, то есть начальное прямое падение напряжения при росте прямого тока равно нулю, но при этом барьерная <...> В этом режиме транзистор способен пропускать большие по плотности токи с малым падением, причем прямые <...> падения наРис. 1. <...> Рост температуры кристалла увеличивает падение напряжения на транзисторе, что автоматически приводит <...> Такое поведение обусловлено наличием паразитного диода в структуре, прямое падение напряжения Рис. 11

Предпросмотр: Силовая электроника №2 2014.pdf (1,0 Мб)
45

МЕТОДИКА РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПРОЦЕССОВ В МНОГОУРОВНЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ ГОРНОДОБЫВАЮЩЕЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ [Электронный ресурс] / Симонов [и др.] // Физико-технические проблемы разработки полезных ископаемых .— 2015 .— №2 .— С. 98-111 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/356989

Автор: Симонов

Представлена методика расчета электромагнитных процессов в преобразователях с фиксирующими диодами на основе математического моделирования и метода переключающих функций. Особенностью предлагаемой методики является возможность расчета основных показателей энергетической эффективности полупроводниковых преобразователей в различных режимах работы, Кроме того, она универсальна к числу уровней напряжений преобразователей и числу фаз. Благодаря использованию современных вычислительных средств, существенно сокращается время и трудоемкость расчетов. Предложенная методика проверена физическим экспериментом.

соответствующая своему образующему вектору, обозначена тремя цифрами, которые расположены в порядке прямой <...> частота коммутации 20 кГц), диоды HFA15PB60 (обратное напряжение 600 В, средний ток анода не более 15 А, прямое <...> падение напряжения 1.3 В), частота коммутации транзисторов 1 – 10 кГц. <...> микроконтроллер Texas Instruments TMS320F28335 с тактовой частотой до 150 МГц, имеющий шестиканальный контроллер прямого

46

Расчет параметров электропитающих устройств оборудования телекоммуникаций учеб. пособие

Автор: Артамонова О. М.
Изд-во ПГУТИ

Учебное пособие «Расчет параметров электропитающих устройств оборудования телекоммуникаций» содержит методики расчета основных параметров электропитающих устройств, на основании которых осуществляется выбор элементов блоков питания, а также оборудования электропитания, выпускаемое отечественными производителями. Пособие разработано в соответствии с ФГОС ВО по направлению подготовки «Инфокоммуникационные технологии и системы связи (11.03.02)».

понижающего типа……………………………………………………… 23 3.2 Однотактный стабилизированный преобразователь напряжения с прямым <...> Ток индуктивности замыкается при этом через обратный диод VD и потенциал Uф падает до прямого напряжения <...> Рис. 3.3 Однотактный стабилизированный преобразователь напряжения с прямым включением диода В интервале <...> падение напряжения на вентиле (0,5 1,0 В), ΔUдр падение напряжения на обмотке дросселя (ориентировочно <...> падение напряжения на вентиле (0,5В 1,0В), ΔUтр падение напряжения на внутреннем сопротивлении трансформатора

Предпросмотр: Расчет параметров электропитающих устройств оборудования телекоммуникаций учебное пособие.pdf (0,2 Мб)
47

Источники вторичного электропитания. Практикум учеб. пособие для вузов

Автор: Подгорный В. В.
М.: Горячая линия – Телеком

Систематически изложен лабораторный курс «Источники вторичного электропитания», который охватывает основные типы линейных и импульсных однотактных источников питания. Приведено описание девяти лабораторных работ. Для каждой работы даны: теоретическое введение с изложением физического принципа работы изучаемой схемы; краткий вывод и строгое обоснование основных рабочих формул с указанием границ их применимости; описание экспериментальной установки; программа работы и методические рекомендации по обработке результатов; список контрольных вопросов и рекомендованной для самостоятельного изучения литературы. Каждая работа сопровождается подробным теоретическим материалом в форме конспективного изложения основных разделов лекций, поэтому данное пособие может быть полезно студентам при подготовке к экзамену по теоретическому курсу.

падение напряжения на диоде. <...> падение напряжения на диоде. <...> При выполнении условия (3.32) падение напряжения на R равно прямому падению напряжения на диоде VD2 равному <...> Напряжение нагрузки меньше напряжения U0 на величину прямого падения напряжения на диоде. <...> Здесь источник E = U0−UD учитывает прямое падение напряжения на диоде VD (≈0,5 В), а сопротивление активных

Предпросмотр: Источники вторичного электропитания. Практикум. Учебное пособие для вузов. (1).pdf (0,2 Мб)
48

№2 [Силовая электроника, 2010]

«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.

Прямое падение напряжения у SiC-ДШ при T≥200 °C возрастает в два раза по сравнению с T = 25 °C. <...> На рис. 4 показана зависимость прямого падения напряжения вольтамперной характеристики от температуры <...> По сравнению с аналогичными индустриальными стандартами, 80CPTN015 имеет на 12% меньшее прямое падение <...> Максимальное прямое падение напряжения составляет 340 мВ при нагрузке 40 А (125 °С). <...> Диоды 60CTT015 и 60CTTN015 выполнены в корпусе ТО-220 и нормированы на 15 В, типичное прямое падение

Предпросмотр: Силовая электроника №2 2010.pdf (0,6 Мб)
49

№4 [Современная светотехника, 2016]

B2B-издание, посвященное анализу проблем светотехнической отрасли, вопросам разработки, производства и внедрения современных энергоэффективных решений в области светотехники.

падения напряжения – 3°C/Вт и 2,75 В, соответственно. <...> В новых светодиодах XT-E увеличен световой поток, снижено прямое падение напряжения и улучшены оптические <...> падения напряжения при сохранении минимальных габаритов и малого обратного тока. <...> падению напряжения, составляющему лишь 0,29 В при токе 1 А. <...> Для минимизации прямых потерь можно воспользоваться другим устройством – SBRT3U40P1, прямое падение напряжения

Предпросмотр: Современная светотехника №4 2016.pdf (0,1 Мб)
50

№4 [Силовая электроника, 2009]

«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.

XPT IGBT имеют малое прямое падение напряжения Vce(sat): • около 1,8 В при номинальном токе и 25 °С; <...> Прямое падение напряжения Vf диодов Sonic менее зависимо от температуры, что позволяет лучше использовать <...> Сравнительные характеристики модулей XPT по прямому падению напряжения и суммарным потерям в корпусе <...> XPT IGBT-модули имеют существенно более низкое прямое падение напряжения, чем стандартные SPT (MWI50- <...> Максимальная величина прямого падения напряжения на диоде составляет 1,718 В.

Предпросмотр: Силовая электроника №4 2009.pdf (1,3 Мб)
Страницы: 1 2 3 ... 3897