Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 525403)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 6411 (1,00 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

Физические основы электроники учебное пособие : Направление подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи. Бакалавриат

Автор: Валюхов Дмитрий Петрович
изд-во СКФУ

Пособие представляет курс лекций, в которых дано систематическое изложение современной электроники, охватывающей как основные теоретические представления, так и важнейшие экспериментально установленные факты для объяснения принципов действия широкого круга электронных приборов и устройств, изложены физические основы процессов, лежащих в основе работы электронных приборов. Предназначено для бакалавров направления подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи.

полупроводники или полупроводники n-типа (от слова negative – отрицательный) и дырочные полупроводники <...> полупроводниках. <...> Например, металл – металл, металл – полупроводник или полупроводникполупроводник. <...> – полупроводник. <...> Какие бывают типы контактов полупроводникполупроводник? 3.

Предпросмотр: Физические основы электроники.pdf (0,8 Мб)
2

Определение типа проводимости полупроводника

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

Учебно-методическое пособие по дисциплине «Физические основы полупроводников и микроэлектроники» подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

Двумерное представление расположения связей в решетке кремния (собственный полупроводник) Полупроводник <...> ВАХ выпрямляющего контакта металл–полупроводник для полупроводника n-типа (а) и p-типа (б) Если изменить <...> n-типа и обратным – к полупроводнику pтипа. <...> Как определить тип проводимости полупроводника по виду вольтамперной характеристики контакта металл–полупроводник <...> Введение в физику полупроводников / В.И.

Предпросмотр: Определение типа проводимости полупроводника.pdf (0,8 Мб)
3

Основы физики твердого тела [учеб. пособие для заоч. формы обучения]

Автор: Колпаков
Издательство СГАУ

Основы физики твердого тела. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)

…………. 24 2 КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ………... 27 2.1 Электропроводность полупроводников………… <...> В каком случае здесь рассматривается р-полупроводник, а в каком – n-полупроводник ? <...> Имеется полупроводник р-типа. <...> Имеется полупроводник р-типа. <...> Имеется полупроводник n-типа.

Предпросмотр: Основы физики твердого тела.pdf (0,3 Мб)
4

Установка измерения поглощенной дозы радиационного излучения на основе транзисторных сенсоров со структурой металл — диэлектрик — полупроводник [Электронный ресурс] / Андреев // Инженерный журнал: наука и инновации .— 2014 .— №1 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/275417

Автор: Андреев
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Представлено описание установки измерения поглощенной дозы радиационного излучения. Показана возможность использования полевых транзисторов со структурой металл — диэлектрик — полупроводник в качестве компактных сенсоров радиации. Приведено описание метода определения поглощенной дозы с использованием сдвига порогового напряжения в результате облучения. Рассмотрены методы повышения температурной стабильности измеряемых характеристик.

поглощенной дозы радиационного излучения на основе транзисторных сенсоров со структурой металл — диэлектрик — полупроводник <...> Показана возможность использования полевых транзисторов со структурой металл — диэлектрик — полупроводник <...> Под действием радиации в объеме диэлектрика и на границе раздела диэлектрик — полупроводник проходят <...> На границе с полупроводником локализованы ловушки, способные захватывать дырки. <...> Ловушки образуются из-за внутренних структурных нарушений диэлектрика и границы раздела с полупроводником

5

Оценка характеристик вакуумных туннельных диодов и возможности их использования в холодильной технике [Электронный ресурс] / Нестеров, Холопкин, Кондратенко // Холодильная техника .— 2016 .— №6 .— С. 42-48 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/451475

Автор: Нестеров

Вакуумные туннельные диоды (ВТД) являются возможной альтернативой парокомпрессионному и термоэлектрическому способам получения холода. Приведена схема ВТД и описан принцип получения холода посредством его применения. Дан обзор работ по созданию и расчету ВТД. Рассмотрена задача по снижению работы выхода электронов из электродов, необходимому для создания высокоэффективных охлаждающих устройств на базе ВТД

Катод ВТД покрыт слоем широкозонного полупроводника толщиной несколько нанометров. <...> Поскольку работа выхода электронов из металла в полупроводник выше работы выхода электронов из полупроводника <...> n-типа проводимости (Φ m > Φ n ), электроны покидают полупроводник и заряжают металлический электрод <...> отрицательно, оставляя полупроводник заряженным положительно. <...> соответственно; d 0 – расстояние между электродами; d n – ширина обедненного слоя в полупроводнике;

6

Изучение электропроводности полупроводников в зависимости от температуры метод. указания к лаб. работе С-4 по курсу общей физики

М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Дан краткий обзор основных понятий и соотношений зонной теории электропроводности твердых тел. Изложена методика измерений вольт-амперных характеристик образцов из полупроводниковых материалов, а также методика расчета значений ширины их запрещенной зоны.

Собственные полупроводники Химически чистые полупроводники называют собственными полупроводниками. <...> Полупроводники n-типа. <...> – донорным (электронным) полупроводником, или полупроводником n-типа. <...> Полупроводники p-типа. <...> – акцепторным (дырочным) полупроводником, или полупроводником p-типа.

Предпросмотр: Изучение электропроводности полроводников в зависимости от температуры.pdf (0,3 Мб)
7

Изучение терморезистора метод. указания

Автор: Рудь Н. А.
ЯрГУ

В данных методических указаниях рассматриваются теоретические основы электрической проводимости в терморезисторах, даётся классификация материалов по величине и механизму проводимости, сравниваются особенности классической и современной теории проводимости. Описаны устройство и применение терморезисторов с различными типами проводимости. Подробно излагается порядок выполнения лабораторной работы общего физического практикума «Изучение терморезистора». Издание осуществлено при финансовой поддержке Программы АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы» (проект № 2.1.1/13083).

Собственная проводимость полупроводников Рассмотрим полупроводник, не содержащий примесей и дефектов <...> Зависимость уровня Ферми от температуры в собственном полупроводнике Учитывая, что в собственном полупроводнике <...> Примесная проводимость полупроводников Если в полупроводник введена донорная или акцепторная примесь <...> Энергетическая диаграмма электронного (а) и дырочного (б) полупроводников В полупроводнике, содержащем <...> Eg – ширина запрещенной зоны полупроводника.

Предпросмотр: Изучение терморезистора Методические указания.pdf (0,5 Мб)
8

Физические основы светодиодов и полупроводниковых лазеров учеб. пособие

Автор: Колкер Д. Б.
Изд-во НГТУ

Представлены физические основы светодиодов и полупроводниковых лазеров, а также области применения этих приборов. Предназначено для студентов физико-технического факультета.

Собственные полупроводники – это полупроводники, в которых нет примесей (доноров и акцепторов). <...> Легирование – введение примеси в полупроводник, в этом случае полупроводник называется примесным. <...> ), или полупроводник n-типа. <...> КОНЦЕНТРАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В СОБСТВЕННОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ Полупроводник называется собственным, если <...> Зонная диаграмма полупроводника n-типа полупроводника p-типа Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство

Предпросмотр: Физические основы светодиодов и полупроводниковых лазеров.pdf (0,4 Мб)
9

Обучение магистрантов современным физическим методам исследования полупроводников [Электронный ресурс] / И.П. Корнева // Известия Балтийской государственной академии рыбопромыслового флота .— 2015 .— №1 (31) .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/299570

Переход на стандарты третьего поколения определяет условия для формирования го-товности магистрантов к освоению современных физических методов исследования. Такая практическая подготовка способствует приобретению профессиональных компетенций, что делает выпускника конкурентоспособным на рынке труда. Данная задача решается путем ис-пользования проблемно-ориентированного обучения, применением методов активизации по-знавательной деятельности студентов, направленной на формирование практических навыков работы в ходе реального научного исследования. В магистратуре процесс обучения современ-ным физическим методам исследования, а также формирование умений практического ис-пользования этих методов можно осуществлять, исследуя полупроводниковые материалы

Фотоэлектрические и электрические свойства на границе раздела металл полупроводник и полупроводник полупроводник <...> Они являются следствием естественных различий зонных структур полупроводников. <...> Менее широко используются гетероструктуры на основе аморфных полупроводников. <...> Халькогенидные стеклообразные полупроводники. <...> Шо Физика и применение аморфных полупроводников. Москва, «Мир», 1991, 670 с.

10

Приборы СВЧ и оптического диапазона учебное пособие : Направление подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи. Профиль подготовки «Сети связи и системы коммутации». Бакалавриат

Автор: Велигоша Александр Васильевич
изд-во СКФУ

Пособие содержит теоретический материал по вопросам общих принципов построения и применения электровакуумных и полупроводниковых приборов СВЧ-диапазона приборов (лазеров), предназначенных для работы устройств в оптическом диапазоне частот, контрольные вопросы, глоссарий, литературу. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи, профилю подготовки «Сети связи и системы коммутации» всех форм обучения.

Примесным полупроводником называют полупроводник, у которого за счет примеси создается преобладающая <...> металл – полупроводник. <...> Создание инверсной населенности в полупроводниках Рассмотрим собственный полупроводник. <...> Полупроводники n-типа – полупроводники, в которых основными носителями заряда являются электроны. <...> Полупроводники р-типа – полупроводники, в которых основными носителями заряда являются дырки.

Предпросмотр: Приборы СВЧ и оптического диапазона.pdf (0,4 Мб)
11

Моделирование переходного тока в неоднородных органических полупроводниковых системах [Электронный ресурс] / Морозова, Шулежко // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №6 .— С. 63-68 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/565178

Автор: Морозова

Исследовано влияние различных факторов на электронный транспорт в органических полупроводниковых системах в условиях времяпролетного эксперимента. Для оценки влияния на кинетику фототока таких факторов, как плотность состояний, морфология областей перколяции, наличие дефектных слоев, неоднородность электрического поля и других, применяется эффективный алгоритм Монте-Карло. Алгоритм основан на интерпретации переходного тока в качестве плотности обобщенного случайного процесса восстановления. Выполнены пробные расчеты для некоторых многослойных структур

Ключевые слова: органические полупроводники; переходный ток; времяпролетный эксперимент; рекомбинация <...> Для исследования электронного переноса в полупроводниках c низкой проводимостью применяется времяпролетный <...> Аналогичное поведение переходного тока описано для структуры аморфный полупроводник – кристаллический <...> полупроводник (a-Se95As5 – с-CdSe) в работе [10]. <...> Переходный фототок в структурах аморфный, пористый полупроводник – кристаллический полупроводник // ФТП

12

Методическая разработка для практических занятий и самостоятельной работы по учебной дисциплине «Физические основы электроники»

Изд-во ПГУТИ

Методическая разработка предназначена для организации самостоятельной работы и практических занятий студентов, обучающихся по направлениям подготовки бакалавров: 210700 - Инфокоммуникационные технологии и сети связи, 210400 - Радиотехника, 090900 - Информационная безопасность. Для организации практических аудиторных занятий методическая разработка включает в себя сборник типовых задач, часть из которых содержит несколько вариантов исходных данных. Это позволит сделать студентам определенные выводы и лучше подготовиться к итоговому тестированию. Кроме это- го, задания с несколькими вариантами могут быть использованы для проведения аудиторных контрольных работ на факультете заочного обучения. Краткие теоретические сведения включают в себя расчетные соотношения, необходимые для выполнения заданий. Для организации самостоятельной работы студентов методическая разработка содержит рекомендации по изучению дисциплины, список рекомендуемой литературы и список теоретических вопросов для подготовки к итоговому контролю.

Собственные полупроводники……………………….. 13 Тема 2. Примесные полупроводники…………………………. 15 Тема 3. <...> , происходящие в области контакта двух полупроводников, металла с полупроводником, диэлектрика с полупроводником <...> Диаграмма энергетических уровней собственного полупроводника. 4. Примесные полупроводники. <...> Вырожденные полупроводники. 5. Электропроводность полупроводника. <...> Примесные полупроводники Задача 2.1.

Предпросмотр: Методическая разработка для практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Физические основы электроники».pdf (0,3 Мб)
13

Методы исследования материалов и структур Практикум

Ивановский государственный химико-технологический университет

Лабораторный практикум содержит описание и порядок выполнения пяти базовых лабораторных работ по курму Методы исследований материалов и структур, входит в комплект базовых учебных пособий по данному курсу, читаемому студентам специальности 210100 Микроэлектроника и твердотельная электроника и посвящен изучению методов исследования электрофизических параметров, структуры, состава материалов и структур микроэлектроники. Каждое описание лабораторной работы содержит подробное теоретическое введение, описание лабораторного оборудования, порядок выполнения работы, лабораторное задание и перечень вопросов для самоподготовки.

ТермоЭДС в полупроводниках Рассмотрим однородный полупроводник при наличии в нем градиента температуры <...> Контакт металл-полупроводник. <...> будет превышать обратный ток из металла в полупроводник, и в приповерхностных областях полупроводника <...> Электроны из полупроводника n-типа будут при переходе в полупроводник p-типа рекомбинировать с дырками <...> Полупроводники ИЛ, 1962.

Предпросмотр: Методы исследования материалов и структур.pdf (3,7 Мб)
14

Полупроводниковые диоды метод. указания по выполнению лаб. работ

ЯрГУ

В методических указаниях содержатся теоретические сведения и излагается порядок выполнения лабораторных работ по изучению физических основ работы полупроводниковых диодов.

потенциалов между полупроводником и металлом мостовым методом. <...> Контакт металл-полупроводник 1.1. <...> Пусть полупроводник будет электронного типа, и работа выхода из полупроводника будет меньше, чем у металла <...> Это означает, что работа выхода в полупроводнике возросла на величину U и поток электронов из полупроводника <...> Для излучательной рекомбинации дырок (в полупроводнике n-типа) на донорные уровни или электронов (в полупроводнике

Предпросмотр: Полупроводниковые диоды Методические указания по выполнению лабораторных работ.pdf (0,6 Мб)
15

Физико-технические основы устройств микроэлектроники [учеб.-метод. пособие]

Автор: Еремина
Издательство СГАУ

Физико-технические основы устройств микроэлектроники. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)

к дырочному полупроводнику. <...> и дырками в р-полупроводнике). <...> к электронному полупроводнику (рис. 2.4). <...> Переход электронов из полупроводника в металл облегчится, высота барьера со стороны полупроводника уменьшится <...> Ток, протекающий через полупроводник, должен быть одинаков в любом поперечном сечении полупроводника.

Предпросмотр: Физико-технические основы устройств микроэлектроники.pdf (0,2 Мб)
16

Физика. Введение в твердотельную электронику учеб. пособие

Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.

ПОЛУПРОВОДНИКИ 3.1. <...> Полупроводники 66 3.6. <...> Полупроводники 74 14. <...> Контакт полупроводника с металлом Рассмотрим контакт полупроводника с металлом. <...> Поэтому между полупроводниками возникнет поток электронов из полупроводника n-типа в полупроводник p-типа

Предпросмотр: Физика. Введение в твердотельную электронику..pdf (0,6 Мб)
17

Позисторы на основе поликристаллического титаната бария. Физико-химические аспекты и применение

Издательский дом ВГУ

В данном пособии рассматриваются позисторы на основе полупроводникового поликристаллического титаната бария (BaTiO3), в котором эффект ПТКС выражен наиболее ярко.

Бормонтов, завкафедрой физики полупроводников и микроэлектроники ВГУ; д-р хим. наук Е. А. <...> Влияние акцепторов на электропроводность полупроводника n-типа показано на рис. 1.8. <...> Зонная диаграмма полупроводников n-типа (а) и компенсированного (б) 1.3. <...> Полупроводники на основе титаната бария. – М. : Энергоиздат, 1982. – 328 с. 12. Heywang W. <...> Титанат бария – сегнетоэлектрик и полупроводник ………………5 1.1.

Предпросмотр: Позисторы на основе поликристаллического титаната бария. Физико-химические аспекты и применение.pdf (2,6 Мб)
18

Электротехническое и конструкционное материаловедение. Полупроводниковые материалы и их применение учеб. пособие

Автор: Музылева И. В.
ЛГТУ

В учебном пособии рассматриваются свойства классических полупроводниковых материалов и их применение в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Предназначено для студентов направлений «Электроэнергетика и электротехника» профиля «Электропривод и автоматика» и «Мехатроника и робототехника», а также для студентов смежных специальностей.

) полупроводнике. <...> Примесные полупроводники Кроме парных носителей заряда (+е и -е) в полупроводниках могут быть такие носители <...> полупроводника “избыточные” электроны. <...> Полупроводники р-типа Для их получения в идеальный собственный полупроводник вносят примесь акцепторную <...> Происходит вырождение примесного полупроводника в собственный полупроводник.

Предпросмотр: Электротехническое и конструкционное материаловедение. Полупроводниковые материалы и их применение .pdf (0,4 Мб)
19

Полупроводниковый полуалкагест [Электронный ресурс] / Корнилов // Химия и жизнь ХХI век .— 2013 .— №12 .— С. 25-25 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/249248

Автор: Корнилов
М.: ПРОМЕДИА

В статье описаны свойства универсального растворителя полупроводников.

Например, арсенид галлия GaAs, широко известный полупроводник, третий по объему использования после кремния <...> Как видим, кое-что революционное с полупроводниками свершилось на наших глазах! <...> Полупроводник — это в школьном (и не таком уж неправильном) понимании вещество, проводимость которого <...> Мы же расскажем о жидкостях, точнее, о растворах полупроводников. <...> Полупроводники можно наносить многими методами, но все они дороже и сложнее.

20

Физика полупроводников и полупроводниковых приборов метод. указания

Автор: Бочкарева Л. В.
ЯрГУ

Методические указания содержат описания лабораторных работ. Предназначены для студентов, обучающихся по специальности 010803 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (дисциплина «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов», блок ОПД), очной формы обучения.

Действие магнитного поля на носители заряда в полупроводниках Если полупроводник, по которому протекает <...> Например, для полупроводника с атомной решеткой 16 9π=C , для полупроводника с ионной решеткой в зависимости <...> Термоэлектрические явления в полупроводниках Явления, возникающие в полупроводниках при наличии электрического <...> Фотопроводимость полупроводников Для генерации в полупроводниках свободных носителей заряда необходимо <...> Фотопроводимость полупроводников.

Предпросмотр: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов Методические указания.pdf (0,7 Мб)
21

Поверхностная и объемная проводимость диоксида ванадия [Электронный ресурс] / Тутов [и др.] // Журнал технической физики .— 2017 .— №3 .— С. 49-53 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591660

Автор: Тутов

На постоянном и переменном токе измерено сопротивление терморезистора ТР-68 на основе пленки диоксида ванадия, изучена температурная зависимость сопротивления в области фазового перехода полупроводник–металл в условиях адсорбционного воздействия. Предложена энергетическая зонная модель, объясняющая ”аномальный“ отклик на адсорбцию донорных газов инверсией типа проводимости поверхностных слоев диоксида ванадия

Использование в научной литературе терминов ” переход металл–изолятор“ и ” переход металл–полупроводник <...> По сравнению с металлом и изолятор (диэлектрик), и полупроводник характеризуются наличием запрещенной <...> Вместе с тем есть и качественные различия в механизмах проводимости диэлектриков и полупроводников: в <...> При этом полупроводник может быть как собственным, с равной концентрацией электронов и дырок (подвижность <...> Вопрос о механизме перехода дырочного полупроводника в металлическое состояние с вырожденным электронным

22

МДП-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ Ge — ПУТЬ ДАЛЬНЕЙШЕГО РАЗВИТИЯ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ [Электронный ресурс] / Неизвестный // Автометрия .— 2016 .— №5 .— С. 5-13 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/481510

Автор: Неизвестный

Рассмотрена возможность дальнейшего улучшения параметров полупроводниковых интегральных схем путём замены слоя кремния в МДП-транзисторе материалом с более высокой подвижностью носителей заряда. Показано, что по совокупности свойств для этого больше всего подходит германий. Приведены разработки, созданные в данном направлении в различных лабораториях как в России, так и за рубежом

Неизвестный Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. <...> В связи с этим центроид носителей заряда будет находиться не вблизи границы раздела полупроводник — диэлектрик <...> Тогда же было решено проводить в Институте физики полупроводников СО АН СССР научные исследования по <...> Приведены примеры макетов МДПТ на германии, созданных как за рубежом, так и в Институте физики полупроводников <...> Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971. 480 с. 21. Ржанов А. В.

23

ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ПОЛОЖЕНИЯ УРОВНЯ ФЕРМИ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО СЛОЯ СЕНСОРА ГАЗА [Электронный ресурс] / Захаров, Богданов, Лытюк // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Естественные науки .— 2011 .— №4 .— С. 40-42 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/426465

Автор: Захаров

Представлена модель расчета положения уровня Ферми относительно разрешенных зон в полупроводнике чувствительного слоя кондуктометрического сенсора в равновесном состоянии. Предложенная модель позволяет учесть присутствие в полупроводнике многозарядных дефектов кристаллической решетки, а также вырождение носителей заряда. Описанный в работе алгоритм может быть использован с целью прогнозирования характеристик кондуктометрических сенсоров газа, в том числе газовой чувствительности, а также уточнения исходных данных при проектировании структур экстремальной электроники и оптимизации режимов их функционирования.

.-8::621.315.592 ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ПОЛОЖЕНИЯ УРОВНЯ ФЕРМИ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО СЛОЯ СЕНСОРА <...> Адсорбционная чувствительность полупроводников. Одесса, 2005. 216 с. 2. <...> Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М., 1987. 432 с. 4. <...> Статистика электронов в полупроводниках : пер. с англ. / под ред. Л.Л. Коренблита. <...> Физика полупроводников. М., 1977. 672 с. 11. Самарский А.А., Гулин А.В.

24

Спиновые инжекторы и транзисторы для кремниевой спинтроники [Электронный ресурс] / Плюснин // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №2 .— С. 28-38 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376635

Автор: Плюснин

Приведен обзор литературных данных по электрическим спининжекторам и транзисторам для кремниевой спинтроники, рассмотрено современное состояние исследований в этой области. Выделены основные этапы получения соответствующих туннельных магнитных контактов. Описаны различные структуры для инжекции спина в кремний, контактные материалы, а также возможные конструкции транзисторов для применения в кремниевой спинтронике. Намечены перспективные направления дальнейших исследований.

Тем не менее несоответствие сопротивления ферромагнитных металлов сопротивлению полупроводника уменьшает <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 2 2016 130 спина в полупроводнике [4]. <...> И лишь в 20012003 гг. были получены МТК к полупроводнику с Шоттки (Fe/AlGaAs [14]) и изолирующим (FeCo <...> Эти успехи привели к созданию эффективных спин-инжекторов в полупроводник. <...> Для спин-инжекции в различные слои (металлы, полупроводники) используются разные типы материалов (рис

25

Спинтроника учеб. пособие

Автор: Борисенко В. Е.
М.: Лаборатория знаний

В данном учебном пособии обобщены теоретические представления и фундаментальные закономерности явлений, лежащих в основе спинтроники. Также рассмотрены принципы функционирования и конструкции спинтронных элементов и систем для обработки информации. Издание подготовлено на основе материала курса лекций и практических занятий, проводимых по дисциплине «Спинтроника» для студентов первой ступени высшего образования и магистрантов, обучающихся по специальностям «Микро- и наноэлектронные технологии и системы», «Квантовые информационные системы», «Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике)» в Белорусском государственном университете информатики и радиоэлектроники.

Магнитные полупроводники Магнитные полупроводники — материалы, обладающие одновременно магнитными и полупроводниковыми <...> Магнитные полупроводники 53 атомами. <...> Когда магнитный полупроводник и обычный полупроводник имеют разные типы проводимости, образуется р–п-переход <...> Инжекция в полупроводник спин-поляризованного тока из магнитных полупроводников существенно эффективней <...> ; v — скорость электронов в полупроводнике.

Предпросмотр: Спинтроника учебное пособие.—Эл. изд..pdf (0,4 Мб)
26

Элементная база электроники. Задачник учеб.-метод. пособие

Автор: Бялик А. Д.
Изд-во НГТУ

Материал настоящего задачника составлен таким образом, чтобы он способствовал закреплению теоретических знаний, а также вырабатывал навык в решении инженерных задач. Работа подготовлена на кафедре полупроводниковых приборов и микроэлектроники для студентов II курса факультета РЭФ.

в этом полупроводнике равна 16 3 10 мin  . 1.11. <...> полупроводниками. <...> Удельное сопротивление полупроводника ρ = 1 Ом · см. 2.26. <...> Удельное сопротивление полупроводника ρ = 10 Ом ⋅ см. 2.29. <...> Удельное сопротивление полупроводника ρ = = 50 Ом · см. 2.30.

Предпросмотр: Элементная база электроники. Задачник.pdf (0,3 Мб)
27

Проектирование элементов биполярных интегральных схем. Аналитические методы: Метод указания по выполнению расчетных заданий Метод указания по выполнению расчетных заданий

ЯрГУ

В настоящих методических указаниях содержатся необходимые сведения об основных особенностях процесса проектирования полупроводниковых интегральных схем. проектировании элементов биполярных интегральных схем. основных уравнениях, используемых при расчете параметров элементов аналоговых интегральных схем. рекомендации по выполнению расчетных заданий, список литературы, контрольные вопросы и упражнения. Предназначено для студентов 4-го курса, обучающихся по специальности 014100 Электроника и микроэлектроника (дисциплина «Проектирование и конструирование ИМС». блок СД). очной формы обучения. Ил. 11. Библиогр.: 10 назв.

Во-первых, можно локально изменять электрическое сопротивление полупроводника, дозируя содержание легирующих <...> Постоянные характеризующие исходные материалы, такие как диэлектрические проницаемости полупроводника <...> Если полупроводник контактирует с диэлектриком, через который на полупроводник воздействует внешнее поле <...> , то на границе раздела «полупроводник диэлектрик» выполняются условия siiss QEE −=− θθ εεεε 00 , (14 <...> равновесие – тангенциальные составляющие векторов напряженности электрического поля в полупроводнике

Предпросмотр: Проектирование элементов биполярных интегральных схем. Аналитические методы Метод указания по выполнению расчетных заданий.pdf (0,4 Мб)
28

Физика твердого тела и полупроводников. Исследование температурной зависимости энергии Ферми методом термоЭДС учеб.-метод. пособие

Автор: Дикарева Р. П.
Изд-во НГТУ

Дано краткое описание работы по исследованию температурной зависимости термоЭДС. Приведены краткие теоретические сведения о термоэлектрических явлениях в полупроводниковых материалах, дано описание лабораторной установки, изложена методика проведения эксперимента и обработки экспериментальных данных, указаны требования к отчету. В конце описания лабораторной работы приведены контрольные вопросы для самоподготовки студентов и список рекомендованной литературы.

ТермоЭДС в полупроводниках В полупроводнике при наличии градиента температуры возникают электронный и <...> Полная плотность тока в полупроводнике из решения кинетического уравнения Больцмана для полупроводника <...> Температурная зависимость уровня Ферми в полупроводнике р-типа ТермоЭДС полупроводника определяется двумя <...> полупроводника in p n= = , 2 gEF = , поэтому величина термоЭДС полупроводника с собственной проводимостью <...> Физика полупроводников. – М.: Энергоиздат, 1985. 3. Смит Р. Полупроводники. – М.: Мир, 1982. 4.

Предпросмотр: Физика твердого тела и полупроводников. Исследование температурной зависимости энергии Ферми методом термоЭДС.pdf (0,2 Мб)
29

ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫЕ ИСТОЧНИКИ ТЕРАГЕРЦЕВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ: ПРОБЛЕМЫ И ПЕРСПЕКТИВЫ [Электронный ресурс] / Рогожников [и др.] // Труды РФЯЦ-ВНИИЭФ .— 2015 .— №20 часть 1 .— С. 341-348 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/556586

Автор: Рогожников

Из перспективных методов генерации терагерцевого излучения, основанных на использовании сверхкоротких лазерных импульсов, оптимальным для генерации высокоэнергетичных (миллиджоульного уровня) импульсов признан способ оптического выпрямления благодаря его широким возможностям для масштабирования Выявлено, что максимальная эффективность данного метода (до 0,1 %) достижима при соблюдении условия неколлинеарного синхронизма фазовой и групповой скоростей лазерного и терагерцевого импульсов, а также при обеспечении интенсивности лазерного излучения, близкой к порогу насыщения (для кристалла ниобата лития ~1 ТВт/см2).

за счет применения лазеров со сверхкороткой длительностью импульса, использования фотопроводимости полупроводников <...> При попадании на полупроводник лазерного импульса, энергия фотонов которого превосходит ширину запрещенной <...> Если поместить полупроводник в промежуток между электродами и приложить к ним высокое напряжение, удается <...> Увеличение эффективности преобразования может произойти в случае помещения полупроводника в промежуток <...> Методы, основанные на фотопроводимости полупроводников и генерации разностной частоты в кристаллах, могут

30

Протекание тока в автоэмиссионном наноконтакте металл—полупроводник [Электронный ресурс] / Глуховской, Жуков // Прикладная физика .— 2015 .— №3 .— С. 5-9 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/431860

Автор: Глуховской

На туннельном микроскопе исследованы ВАХ в автоэмиссионном наноконтакте вольфрамовый микрозонд—микрозерно поверхности полупроводников А3В5. ВАХ эмиссии из зёрен GaAs соответствуют теории полевой эмиссии из металлов, а узкозонных InSb и InAs — эмиссии из приповерхностных электронных состояний. В режимах эмиссии и инжекции наблюдались важные для практики явления низкополевой эмиссии и ограничений тока локализованным зарядом. Результаты объясняются в рамках модели кулоновского взаимодействия и локализации лёгких электронов.

№ 3 5 Общая физика УДК 621.315; 537.5; 53.097 Протекание тока в автоэмиссионном наноконтакте металл—полупроводник <...> При этом выбраны полупроводники соединений А3В5 — узкозонные антимонид индия InSb и арсенид индия InAs <...> Проводился анализ процессов эмиссии электронов из полупроводника («минус» на полупроводнике) и инжекции <...> в полупроводник («плюс» на полупроводнике). <...> , L — диффузионная длина для электронов в полупроводнике.

31

Расчет тонкопленочного термоэлектрического модуля, изготовляемого методом импульсного лазерного осаждения [Электронный ресурс] / Дубровин // Инженерный журнал: наука и инновации .— 2015 .— №12 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/422025

Автор: Дубровин
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Приведен расчет тонкопленочного термоэлектрического модуля, изготовляемого методом импульсного лазерного осаждения. Модуль представляет собой полиимидную подложку размерами 54?20?0,1 мм с осажденным на нее термоэлектрическим материалом на основе Bi2Te3. В результате расчета определяется необходимое число термопар для генерации модулем напряжения 3,6 В при перепаде температур 16 K.

Объемный термоэлектрический модуль Полупроводник Полупроводник n-типа Проводник (медь) Изолятор (керамзит <...> Вакуумные технологии изготовления улучшают качество ПТБ, позволяют достичь высокой точности осаждения полупроводников <...> и геометрическими особенностями ПТЭ (рис. 3) примем следующие исходные данные для расчета: материал полупроводников

32

Аналогии между экзоэлектронной фотоэмиссией и вторично-ионным фотоэффектом в полупроводниках [Электронный ресурс] / Роках [и др.] // Прикладная физика .— 2014 .— №5 .— С. 11-14 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/432101

Автор: Роках

Ранее нами было показано, что увеличение выхода вторичных ионов из полупроводника при подсветке связано с раскачкой кристаллической решетки за счет энергии рекомбинирующих электронно-дырочных пар в узкозонной фазе. Применение подобных рассуждений к электронному газу в полупроводниках наводит на мысль о возможности туннельной фотоэмиссии электронов под действием плазменного резонанса в ближней и средней инфракрасной области спектра. Необходимый рельеф поверхности может быть обеспечен в гетерофазных радиационно-стойких пленках типа CdS-PbS.

, № 5 11 УДК 621.383.4 Аналогии между экзоэлектронной фотоэмиссией и вторично-ионным фотоэффектом в полупроводниках <...> Аткин Ранее нами было показано, что увеличение выхода вторичных ионов из полупроводника при подсветке <...> Применение подобных рассуждений к электронному газу в полупроводниках наводит на мысль о возможности <...> +g Ключевые слова: вторично-ионный фотоэффект, гетерофазный пленочный полупроводник типа CdS-PbS, туннельная <...> В сб.: Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. — Саратов: Изд-во Гос.

33

№1 [Вестник Томского государственного университета, 2005]

Журнал является мультидисциплинарным периодическим изданием. Первоначально (с 1889 г.) он выходил под названием «Известия Томского университета», затем - «Труды Томского государственного университета», в 1998 году издание университетского журнала было возобновлено уже под современным названием. В настоящее время выходит ежемесячно. Входит в Перечень ВАК.

полупроводников. <...> конференциях по полупроводникам. <...> полупроводников типа АIIBIVCV2. <...> В 1973 г. на основе лаборатории полупроводников был создан отдел физики полупроводников СФТИ. <...> . – физика полупроводников, эпитаксия полупроводников. К.а.: 634050, г. Томск, пл.

Предпросмотр: Вестник Томского государственного университета №1 2005.pdf (0,7 Мб)
34

Наноструктурированные источники тока, возбуждаемые β-излучением, на основе углеродных нанотрубок [Электронный ресурс] / Сауров [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №5 .— С. 26-32 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/377964

Автор: Сауров

Проведен анализ существующих и перспективных разработок в области элементов питания на основе β-распада. Описаны возможные технологии создания и приведены расчеты эффективности сформированных по ним источников питания. Рассмотрена возможность создания самозаряжающегося суперконденсатора на основе углеродных нанотрубок с применением изотопов никель-63 и углерод-14, проведен теоретический расчет, подтверждающий перспективность выбора направлений исследований.

электронно-дырочные пары, разделяющиеся электрическим полем p–n-перехода или контакта металл– полупроводник <...> Единичный элемент β-электрического преобразователя представляет собой полупроводник с p–n-переходом, <...> Образование электронно-дырочных пар происходит при кулоновском взаимодействии проникших в объем полупроводника <...> Также имеет место зависимость эффективности ядерных элементов питания от ширины зоны полупроводника, <...> Эффективность β-элемента питания растет с ростом ширины запрещенной зоны полупроводника.

35

Электроника Ч. 2 учеб. пособие

Автор: Разинкин В. П.
Изд-во НГТУ

Настоящее пособие входит в состав учебно-методического комплекса по курсу Электроника, разработанного для студентов НГТУ, обучающихся по направлению 210300 Радиотехника и ряда специальностей направления 210400 – Телекоммуникационные системы. Рассмотрены принципы работы основных видов полупроводниковых приборов и происходящие в них физические процессы. Приведено описание параметров и характеристик диодов, биполярных и полевых транзисторов в различных схемах включения. Пособие может быть использовано при мультимедийной форме чтения лекций, при выполнении расчетно-графических заданий и подготовке к лабораторным работам.

свойства полупроводника. <...> Часто донорные полупроводники называют полупроводниками n -типа. <...> полупроводник. <...> Полупроводники с акцепторной примесью называют полупроводниками p-типа. 1.5. <...> , чем из полупроводника.

Предпросмотр: Электроника Ч.2.pdf (0,5 Мб)
36

Физика полупроводниковых приборов: лабораторный практикум

Автор: Блинов В И
Омский госуниверситет

Рассматриваются физические принципы работы полупроводниковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключательных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабораторных работ.

При этом преимущественно используются контакты: полупроводникполупроводник; металл–полупроводник; металл–диэлектрик–полупроводник <...> (рис. 1.3) в полупроводник металла или сплава, содержащего донорные или акцепторные примеси, полупроводник <...> Полупроводник базы ведет себя при этом аналогично собственному полупроводнику. <...> расщепляются в зоны, примыкающие в полупроводнике p-типа к валентной зоне, а в полупроводнике n-типа <...> Такие полупроводники называют вырожденными.

37

Внутренний фотоэффект в полупроводниках

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

S и учтем, что VlS =⋅ есть объем полупроводника, а ФФ JSj = – фототок. <...> Пусть теперь полупроводник освещается импульсом света, как это показано на рис. 2а. <...> Дайте определение удельной фотопроводимости полупроводника. 4. <...> Какие носители заряда в полупроводнике и почему называются неравновесными носителями? 5. <...> Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С.М. Рывкин. – М. : ГИФМЛ, 1983. – С. 15–40.

Предпросмотр: Внутренний фотоэффект в полупроводниках.pdf (0,8 Мб)
38

Распределение неосновных носителей заряда после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводниковом материале с дефектами на поверхности [Электронный ресурс] / Калманович [и др.] // Инженерный журнал: наука и инновации .— 2015 .— №1 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/316220

Автор: Калманович
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Методами математического моделирования рассмотрена задача диффузии неосновных носителей заряда (ННЗ), генерированных в полупроводнике широким электронным пучком. Изучено влияние дефектов на поверхности полупроводника на распределение ННЗ после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводнике [1]. Расчеты проведены для различных материалов полупроводниковой электроники.

Изучено влияние дефектов на поверхности полупроводника на распределение ННЗ после их диффузии от тонкого <...> планарного источника в полубесконечном полупроводнике [1]. <...> В этом случае для одномерной диффузии в полубесконечный полупроводник распределение избыточных ННЗ по <...> В реальных полупроводниках существуют как собственные, так и несобственные дефекты. <...> Для расчетов распределений ННЗ в случаях однородного полупроводника и полупроводника с дефектами на поверхности

39

Электротехнические материалы: учебное пособие

Автор: Калиничева Оксана Александровна
Северный (Арктический) федеральный университет имени М.В. Ломоносова

Приведены современные данные о механических, электрических, тепловых и физико-химических характеристиках электротехнических материалов в связи с их строением и внешними условиями. Приведена классификация материалов и области их применения. Рассмотрены свойства газообразных, жидких и твёрдых электроизоляционных материалов, проводниковых, полупроводниковых и магнитных материалов. Даны указания для выполнения лабораторных работ и расчетных заданий.

Электропроводность полупроводников и еѐ зависимость от различных факторов В собственном полупроводнике <...> Такой полупроводник называется полупроводником р-типа, а примесь акцепторной. <...> Такой полупроводник обладает электронной проводимостью и называется полупроводником n-типа, а примесь <...> За счѐт разности концентраций электроны из полупроводника n-типа диффундируют в полупроводник р-типа, <...> Что такое полупроводники? 2. Какие энергетические зоны имеются в полупроводниках?

Предпросмотр: Электротехнические материалы учебное пособие.pdf (0,9 Мб)
40

Конспект лекций по учебной дисциплине «Электроника»

Изд-во ПГУТИ

Конспект лекций предназначен для студентов, обучающихся по направлениям: 210700 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи; 210400 – Радиотехника; 230100 – Информатика и вычислительная техника; 200700 – Фотоника и оптоинформатика; 222000 – Инноватика; 231000 – Программная инженерия; 220400 – Управление в технических системах.

Полупроводник n–типа полупроводник с донорной примесью. <...> Полупроводник p-типа полупроводник с акцепторной примесью. <...> для подведения металлических выводов к области полупроводника). <...> Должна быть большой и концентрация примесей в кристалле полупроводника. <...> Окисление поверхности полупроводника.

Предпросмотр: Конспект лекций по учебной дисциплине «ЭЛЕКТРОНИКА».pdf (0,2 Мб)
41

Физические основы электроники учеб. пособие

Автор: Глазачев А. В.
Изд-во ТПУ

В учебном пособии изложены физические процессы в полупроводниковых приборах, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности. Рассмотрена схемотехника усилительных каскадов, операционных усилителей, преобразовательных устройств средней и большой мощности.

Примесная электропроводность полупроводников Электропроводность полупроводника может обусловливаться <...> называется полупроводником р-типа. <...> Процессы переноса зарядов в полупроводниках В полупроводниках процесс переноса зарядов может наблюдаться <...> Контакт «металл–полупроводник», обладающий выпрямляющим свойством 4. п мA А , полупроводник p-типа ( <...> Контакт между полупроводниками одного типа проводимости Области вблизи контакта полупроводников с одним

Предпросмотр: Физические основы электроники.pdf (0,6 Мб)
42

Физика наносистем

Автор: Сергеев Николай Александрович
М.: Логос

Изложены основы физики наносистем. Обсуждаются свойства сверхрешеток, транспортные явления в низкоразмерных системах, оптические свойства наноструктур, квантовые явления в магнитном поле. Анализируются перспективы создания различных устройств наноэлектроники и молекулярной электроники. Для студентов высших учебных заведений, аспирантов, научных работников и инженеров, работающих в области физики наносистем и нанотехнологий.

В результате этого в полупроводнике у границы «диэлектрик– полупроводник» возникнет слой электрического <...> Это означает, что в ходе релаксации электроны полупроводника В перетекают в полупроводник А. <...> Гетероструктура из двух полупроводников n-типа: а – между полупроводниками нет контакта (E FA и E FB <...> Эти полупроводники сильно легированы полупроводниками pи n-типа. <...> Между этими слоями (полупроводниками nи p-типа) размещается слой изолятора – собственного полупроводника

Предпросмотр: Физика наносистем (1).pdf (0,3 Мб)
43

Элементы оптоэлектроники

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

Учебное пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского государственного университета.

Оптические свойства полупроводника определяются, прежде всего, его зонной структурой. <...> Зонная структура полупроводников Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 5 В полупроводниках <...> Эта зона в полупроводниках и диэлектриках заполнена полностью. <...> Зонная структура легированных полупроводников: (а) – полупроводник n-типа; (б) – полупроводник p-типа <...> зоны – прямозонные полупроводники (например, GaAs), и полупроводники, у которых эти точки соответствуют

Предпросмотр: Элементы оптоэлектроники.pdf (0,7 Мб)
44

РАЗРАБОТКА ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ВОЛНОВОДНОГО ФОТОДЕТЕКТОРА, СОСТАВЛЕННОГО ИЗ ДИОДОВ ШОТТКИ, НА СТРУКТУРЕ Ge—Si С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Ge ДЛЯ ПОРТАТИВНЫХ ТЕРМОФОТОГЕНЕРАТОРОВ [Электронный ресурс] / Паханов [и др.] // Автометрия .— 2017 .— №2 .— С. 109-116 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/587721

Автор: Паханов

Показана возможность создания высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Au/Ge—Si с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к кремниевой матрице, обеспечивающая существенное увеличение внешнего квантового выхода и напряжения холостого хода. На таком фотодетекторе продемонстрировано значительное увеличение и расширение фоточувствительности вплоть до λ = 2,1 мкм, что совпадает с основным диапазоном излучения чёрного (серого) тела при практически используемых в термофотогенераторах температурах эмиттеров 1200–1700 ◦С. Необходимым условием получения такого состояния ансамбля квантовых точек Ge молекулярно-лучевой эпитаксией является низкая температура роста (250–300 ◦C). Установлено, что ниже края поглощения Si фотоответ на рассматриваемых фотодетекторах определяется двумя основными механизмами: поглощением на ансамбле квантовых точек Ge и эмиссией Фаулера. Анализ спектров комбинационного рассеяния на оптических фононах структур Ge—Si показал, что величина квантовой эффективности фотодетекторов на их основе в первом случае обусловливается степенью неоднородной релаксации напряжений в массиве квантовых точек Ge. Фотоответ, связанный именно с квантовыми точками Ge, проявляется на диодах Шоттки со сверхтонким промежуточным окисным слоем SiO2, который устраняет второй механизм. При дальнейшей разработке предложенная архитектура фотодетектора с псевдоморфными квантовыми точками Ge может быть использована как для портативных термофотогенераторов, так и для волоконно-оптических систем передачи информации на длинах волн, отвечающих основным телекоммуникационным стандартам (λ = 0,85, 1,3 и 1,55 мкм), на основе кремниевой технологии

Войцеховский2 1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. <...> такого ТФГ наряду с микрогорелкой (эмиттером) и селективным фильтром является фотодетектор (ФД) из полупроводника <...> Среди соединений III–V наиболее подходящий материал — прямозонный полупроводник GaSb с энергией фотовозбуждения <...> Отметим, однако, что существует альтернативный механизм формирования спектров ФО структур металл—полупроводник <...> может быть эмиссия Фаулера, т. е. надбарьерное прохождение фотовозбуждённого электрона из металла в полупроводник

45

Физика твердого тела и полупроводников. Определение времени жизни неосновных носителей заряда методом модуляции проводимости учеб.-метод. пособие

Автор: Дикарева Р. П.
Изд-во НГТУ

Дано краткое описание способа измерения времени жизни неосновных носителей заряда методом модуляции проводимости точечного контакта. Измерения проводятся на образцах германия и кремния. В работе рассмотрен вопрос о времени жизни неосновных носителей заряда и изложена теория механизма рекомбинации через локальные центры захвата. Приведены краткие теоретические сведения о неравновесных процессах в полупроводниковых материалах, дано описание лабораторной установки, изложена методика проведения эксперимента и обработки экспериментальных данных, указаны требования к отчету. В конце описания лабораторной работы приведены контрольные вопросы для самоподготовки студентов и список рекомендованной литературы.

Д 451 Физика твердого тела и полупроводников. <...> Для определенности рассмотрим полупроводник электронной проводимости. <...> для электронного и дырочного полупроводника. <...> Физика полупроводников. – М.: Энергоиздат, 1985. 3. Смит Р. Полупроводники. – М.: Мир, 1982. 4. <...> Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физматгиз, 1963.

Предпросмотр: Физика твердого тела и полупроводников. Определение времени жизни неосновных носителей заряда методом модуляции проводимости.pdf (0,2 Мб)
46

ОКИСЛЕНИЕ ВОДОРОДА НА ПАЛЛАДИИ: МЕТОД ХЕМОТОКОВ В НАНОДИОДЕ ШОТТКИ [Электронный ресурс] / Стыров [и др.] // Журнал физической химии .— 2017 .— №2 .— С. 103-109 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591730

Автор: Стыров

Методом хемотоков исследована реакция окисления водорода на палладии с помощью каталитического наноразмерного диода Шоттки Pd/n-Si. Установлено, что генерация хемотока возникала при протекании на поверхности палладия реакций H2 + O2 и H + O + H2 + O2 и, в некоторых случаях, носила автоколебательный характер. Создана модель, описывающая сложное кинетическое поведение реакции. Проведено математическое моделирование и показана возможность возникновения автоколебаний величины хемотока сложной формы, аналогичной полученной в опытах. Показано, что метод каталитического нанодиода Шоттки является эффективным способом “визуализации” реакции и может быть использован как новый физический метод в исследовании химических процессов на поверхности катализатора

Неравновесная хемогенерация тока была впервые обнаружена на полупроводниках [6] и возникала при протекании <...> Обнаружение хемотока на полупроводниках (аналогичного фототоку) свидетельствует о том, что химическая <...> проходят этот слой баллистически, почти не теряя энергии, преодолевают затем барьер Шоттки и, входя в полупроводник <...> ЧАСТЬ Исследуемый образец (нанодиод Шоттки) представлял собой планарную гетероструктуру (рис. 1) из полупроводника <...> В этом случае для планарной гетероструктуры “металл – полупроводник” генерируемый ток в диоде есть сумма

47

Математическая модель отрицательной рефракции электромагнитных волн в электропроводящей среде, допускающей инверсию электронной подсистемы [Электронный ресурс] / Барыкина, Браже // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2008 .— №1 .— С. 102-109 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/269759

Автор: Барыкина
М.: ПРОМЕДИА

Построена математическая модель отрицательной рефракции электромагнитных волн в электропроводящей среде, допускающей инверсию электронной подсистемы.

Радиоволны можно считать низкочастотными в металлах вплоть до терагерцевых частот, в полупроводниках <...> , с –1 pω , с –1 1/ τ , с–1 Металл (Cu) [13] 5,9 ⋅ 107 1,1 ⋅ 1029 6,7 ⋅ 1018 1,9 ⋅ 1016 5,3 ⋅ 1013 Полупроводник <...> ⋅ 10-4 м λ = 3 ⋅ 10–1 м λ = 3 ⋅ 105 м Металл (Cu) –33 1,8 ⋅ 105(1–i) 5,7 ⋅ 106(1–i) 5,7 ⋅ 109(1–i) Полупроводник

48

ДИАМАГНЕТИЗМ ДВУХЭЛЕКТРОННЫХ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ [Электронный ресурс] / Кревчик, Разумов, Будянский // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2015 .— №1 .— С. 110-119 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/552666

Автор: Кревчик

Актуальность и цели. Большое количество примесных центров в полупроводниках может обладать в связанном состоянии не одним, а двумя электронами. Магнитный момент таких примесных центров, обусловливающий парамагнетизм, равен нулю. В этой связи двухэлектронные примесные центры могут обладать лишь диамагнитными свойствами, исследование которых позволяет получить ценную информацию о характере изменения тонкой структуры полупроводника в зависимости от изменения содержания в нем двухэлектронной примеси. Интерес к исследованию магнитных свойств квантовых точек с двухэлектронными примесными центрами обусловлен прежде всего новой физической ситуацией, связанной с квантовым размерным эффектом. С практической точки зрения такие системы могут быть использованы при разработке кубитов, а также лазерных структур на примесных переходах. Целью данной работы является теоретическое исследование особенностей диамагнитной восприимчивости нейтрального двухэлектронного примесного центра в квантовой точке, связанных с размерным квантованием. Проводится сравнение полученных результатов со случаем диамагнитной восприимчивости одноэлек- тронного D− -центра в квантовой точке, а также со случаем нейтрального примесного центра в объемном полупроводнике. Материалы и методы. Теоретические расчеты диамагнитной восприимчивости выполнены для случая InSb квантовой точки. На основе двухэлектронной модели примесного центра, потенциал которого представляет собой потенциал нулевого радиуса, проведен вариационный расчет энергии основного состояния примеси в сферической квантовой точке. Второй потенциал ионизации, определяющий энергию основного состояния такого примесного центра в квантовой точке, принимался в качестве эмпирического параметра. Диамагнитная восприимчивость двухэлектронного примесного центра рассчитывалась по формуле Ланжевена – Паули. Результаты. Показано, что диамагнитная восприимчивость нейтрального примесного центра в квантовой точке меньше соответствующей величины в объемном полупроводнике. При этом с уменьшением второго потенциала ионизации их отношение медленно возрастает, а с ростом радиуса квантовой точки – стремится к единице. Установлено, что величина диамагнитной восприимчивости нейтрального двухэлектронного примесного центра в квантовой точке в несколько раз больше, чем величина диамагнитной восприимчивости одно- электронного D− -центра и с ростом радиуса квантовой точки это различие усиливается. Найдено, что величина диамагнитной восприимчивости достаточно быстро убывает при переходе к более глубоким примесным центрам. Выводы. Наличие квантового размерного эффекта приводит к уменьшению диамагнитной восприимчивости как одноэлектронных, так и двухэлектронных

Большое количество примесных центров в полупроводниках может обладать в связанном состоянии не одним, <...> Physics 111 примесных центров при переходе объемный полупроводник – квантовая точка. <...> Диамагнетизм двухэлектронных глубоких примесных центров в полупроводниках / Е. Д. Белорусец, Э. З. <...> Белорусец // Физика и техника полупроводников. – 1978. – Т. 12, № 10. – С. 1970–1978. 5. <...> Левашов // Физика и техника полупроводников. – 2002. – Т. 36, № 2. – С. 216–220. References 1.

49

Конспект лекций по учебной дисциплине «Приборы СВЧ и оптического диапазона» по направлению подготовки: 210700 – Инофокоммуникационные технологии и системы связи (квалификация (степень) «бакалавр»)

Автор: Клюев Д. С.
Изд-во ПГУТИ

Основными целями преподавания дисциплины являются: формирование у студента системы необходимых знаний о физических принципах работы оптоэлектронных и СВЧ приборов, формирование у студента системы необходимых знаний об оптоэлектронных и СВЧ приборах для последующего изучения специальных дисциплин и решения производственных и исследовательских задач, овладение основами расчётов оптоэлектронных и СВЧ приборов, получение общих знаний но их применению. Основными обобщенными задачами дисциплины являются: изучение основных физических законов и явлений, лежащих в основе работы оптоэлектронных и СВЧ приборов, изучение основных характеристик оптоэлектронных и СВЧ приборов, приобретение студентами практических навыков работы с оптоэлектронными и СВЧ приборами, а также аппаратурой для исследования характеристик и измерения параметров этих приборов. Изучению дисциплины ПСВЧ и ОД предшествует формирование общекультурных и профессиональных компетенций в дисциплинах: математический анализ, физика, теория электрических цепей, электроника, электромагнитные поля и волны, метрология, стандартизация и сертификация в инфокоммуникациях. Конечным результатом обучения по дисциплине является формирование у студентов основополагающих компетенций но проектированию и практическому применению современных приборов СВЧ и оптического диапазона.

Основы теории полупроводников. <...> Основы теории полупроводников. <...> Процесс внедрения в полупроводник атомов примеси называется легированием полупроводника. <...> Полупроводники с донорной примесью называются полупроводниками n-типа. <...> Полупроводники с акцепторной примесью называются полупроводниками p-типа.

Предпросмотр: Приборы СВЧ и оптического диапазона Конспект лекций.pdf (0,6 Мб)
50

Проверка формулы Шокли для p–n-перехода и определения ширины запрещенной зоны германия метод. указания к выполнению лаб. работы Ф-60 по курсу общей физики

Автор: Фетисов И. Н.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Рассмотрены физические процессы в p–n-переходе и элементарная теория перехода, описана методика экспериментальной проверки формулы Шокли для вольт-амперной характеристики перехода и определения ширины запрещенной зоны германия.

Электроны и дырки в полупроводниках. <...> Такой полупроводник называют полупроводником n-типа. <...> Такой полупроводник имеет проводимость дырочную, или p-типа. <...> Объяснить зонные диаграммы собственного и примесных полупроводников. 3. <...> Электроны и дырки в полупроводниках.

Предпросмотр: Проверка формулы Шокли для р-п-перехода и определения ширины запрещенной зоны германия.pdf (0,3 Мб)
Страницы: 1 2 3 ... 129