Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 520961)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 61770 (1,70 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

УЗКОНАПРАВЛЕННЫЕ ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ И МОДУЛИ ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА С СИЛОЙ ИЗЛУЧЕНИЯ ДО 200 ВТ/СР [Электронный ресурс] / Л. Коган, Колесников, Туркин // Полупроводниковая светотехника .— 2017 .— №1(45) .— С. 36-39 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/611112

Автор: Коган Лев

В статье представлены результаты разработки высокоэффективных узконаправленных излучающих диодов и модулей инфракрасного диапазона с силой излучения до 60 Вт/ср на постоянном токе и до 200 Вт/ср в импульсном режиме

Спектры излучения ИК-диодов показаны на рис. 2. <...> Видно, что угол излучения ИК-диодов типа У-176 составляет 2 × θ0,5 = 5,5°, а диодов типа У-190Б-1 — 2 <...> Спектры излучения ИК-диодов: 1 — λmax = 850 нм; 2 — λmax = 950 нм Рис. 3. <...> Диаграммы пространственного распределения излучения: 1 — ИК-диод типа У-176; 2 — ИК-модуль типа МИК-4 <...> Радиометрические и электрические параметры ИК-диодов и модулей МИК-4 Тип диодов Мощность излучения (Ре

2

№1(45) [Полупроводниковая светотехника, 2017]

Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.

Спектры излучения ИК-диодов показаны на рис. 2. <...> Видно, что угол излучения ИК-диодов типа У-176 составляет 2 × θ0,5 = 5,5°, а диодов типа У-190Б-1 — 2 <...> Диаграммы пространственного распределения излучения: 1 — ИК-диод типа У-176; 2 — ИК-модуль типа МИК-4 <...> Радиометрические и электрические параметры ИК-диодов и модулей МИК-4 Тип диодов Мощность излучения (Ре <...> ИК-диода типа У-176.

Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №1(45) 2017.pdf (0,1 Мб)
3

№5 [Полупроводниковая светотехника, 2014]

Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.

В работе [2] описываются ИК-диоды с мощностью излучения до 1 Вт и силой излучения до 4 Вт/ср. <...> Полуширина диаграммы направленности излучения ИК-диода типа У-246Б составляет 2θ0,5 = 95 град., ИК-диода <...> Спектр излучения ИК-диодов представлен на рис. 3. <...> Спектр излучения ИК-диодов типа У-246 Рис. 2. <...> ИК-диодах.

Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №5 2014.pdf (0,6 Мб)
4

Радиолюбителю-конструктору: Си-Би связь, дозиметрия, ИК техника, электронные приборы, средства связи

Автор: Виноградов Ю. А.
М.: ДМК-Пресс

Описаны оригинальные разработки для модернизации радиостанций и самодельные антенны СИ БИ связи, радиолюбительские устройства индивидуального дозиметрического контроля, конструкции ИК-техники для охраны и сигнализации, а также электронные приборы для дома, дачи, автомобиля, для мастеров и радиолюбителей нового поколения.

вспышки зависит от типа ИК диода. <...> В качестве примера на рис. 31 приведена зависимость относи# тельной мощности излучения ИК диода АЛ402 <...> , а на легко контролируемый ток в ИК диоде. <...> Как выяснилось, ИК диоды неплохо работают и в качестве прием� ников инфракрасного излучения. <...> Излучение ИК диода линейно связа� но с этим током и будет отслеживать его даже на самых высоких телефонных

Предпросмотр: Радиолюбителю конструктору Си Би связь, дозиметрия,ИК техника, электронные приборы, средства связи..pdf (1,2 Мб)
5

Квантовые и оптоэлектронные приборы и устройства учебное пособие

Автор: Астайкин Анатолий Иванович
Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики

Рассматриваются теоретические основы квантовых и оптоэлектронных приборов различных типов. Изучаются их основные технические характеристики, а также приводятся методы расчета и проектирования оптоэлектронных устройств. Книга содержит большое количество справочной информации и примеры электронных схем с использованием различного типа квантовых и оптоэлектронных приборов.

Зависимость мощности излучения ИК-диода от температуры Рис. 3.11. <...> Т а б л и ц а 3.3 Основные параметры ИК-диодов Ризл, мВт Ризл.и, мВт Тип ИК-диода Размер корпуса, мм <...> ТТЛ 1 5 0,5 2 1000 100 249ЛП1Б ИК-диод ТТЛ 1 8 0,3 2 1000 100 249ЛП3Б ИК-диод ТТЛ 1 10 0,07 2 1000 100 <...> 249ЛП4 ИК-диод ТТЛ 1 20 1,0 2 1000 100 249ЛП5 ИК-диод ТТЛ 1 15 0,3 2 1000 100 249ЛП6 ТТЛ ТТЛ 1 15 0,3 <...> ИК-диод ТТЛ 2 5 0,1/0,24 1,7 105 3000 К293ЛП7Р ИК-диод ТТЛШ, ОК 1 10 0,12 1,7 105 3000 К293ЛП8Р ИК-диод

Предпросмотр: Квантовые и оптоэлектронные приборы и устройства.pdf (5,6 Мб)
6

Микромагнитоэлектроника. Т. 1

Автор: Бараночников М. Л.
М.: ДМК-Пресс

В настоящем издании систематизированы и в доступной форме изложены необходимые сведения о принципах действия и параметрах наиболее распространенных изделий микромагнитоэлектроники: элементов Холла, магниторезисторов и магнитодиодов, магнитных датчиков и магнитоэлектронных устройств, широко используемых в промышленном оборудовании, бытовых приборах, вычислительной, медицинской и военной технике, дефектоскопии, автомобильной электронике и др.

, пропорциональный величине индук& ции и/или потоку ИК излучения. <...> , пропорциональный величине индук& ции и/или потоку ИК излучения. <...> При смене источника управляющего воздействия на оптический (на& пример, на излучение ИК диода) на выходе <...> При включении источника ИК излучения (Ф > ФСРАБ и В = 0) микросхема переходит в состояние «включено», <...> При смене источника управляющего воздействия на оптический (на& пример, на излучение ИК диода) на выходе

Предпросмотр: Микромагнитоэлектроника.Том 1.pdf (9,7 Мб)
7

Изучение научных основ космических экспериментов в курсе физики средней школы

Автор: Абдуразагов
М.: ПРОМЕДИА

"Электри­ ческий ток в различных средах" в IX классе, "Геометрическая оп­ тика", "Световые волны", "Излучение <...> При изучении вопроса программы "Инфракрасное и ультрафио­ летовое излучение" учитель знакомит учащихся <...> которая лекят в инфракрасной области спектра, возвращается в мировое пространство в виде теплового излучения <...> На этом излучении ба­ зируется инфракрасная космическая съемка. <...> Эта съемка регистри­ рует тепловое излучение 'земной поверхности, обеспечивает выде­ ление различных

Предпросмотр: Изучение научных основ космических экспериментов в курсе физики средней школы.pdf (0,3 Мб)
8

№2 [Физическое образование в вузах, 1999]

Данный журнал является единственным, охватывающим все актуальные вопросы преподавания физики в вузе, и, как мы надеемся, он станет главным средством общения кафедр физики вузов стран СНГ. Главный редактор журнала − академик Российской академии наук, профессор МИФИ, научный руководитель Высшей школы им. Н.Г. Басова НИЯУ МИФИ О.Н. Крохин. Основные разделы журнала 1. Концептуальные и методические вопросы преподавания общего курса физики в вузе, техникуме, колледже. 2. Вопросы преподавания курса общей физики в технических университетах. 3. Современный лабораторный практикум по физике. 4. Демонстрационный лекционный эксперимент. 5. Информационные технологии в физическом образовании. 6. Вопросы преподавания общего курса физики в педвузах и специальных средних учебных заведениях. 7. Текущая практика маломасштабного физического эксперимента. 8. Связь общего курса физики с другими дисциплинами. 9. Интеграция Высшей школы и Российской Академии наук.

Внутри камеры размещаются диод и термопара (область 1). <...> Обратный ток диода можно описать выражением Рисунок 2. <...> ядерному магнитному резонансу, студенты знакомятся на практике с квантовым характером поглощения и излучения <...> В ЯМР-томографии не используются источники ионизирующего излучения, и поэтому она практически безопасна <...> По этим данным почти обычной томографической процедурой рассчитывается местоположение источника излучения

Предпросмотр: Физическое образование в вузах №2 1999.pdf (0,1 Мб)
9

Инфракрасное излучение в электронике

Автор: Шрайбер Герман
М.: ДМК-Пресс

В книге известного французского автора рассматриваются физические процессы формирования, излучения и приема оптических сигналов, принципы построения ИК обнаружителей и приемных устройств. Приведены примеры построения этих устройств – простые и конкретные схемные реализации, в которых могут использоваться доступные элементы. Схемы собираются как в лаборатории, так и в домашних условиях.

На самом деле правильнее называть эти диоды не светодиодами, а излучающими диодами ИК диапазона. <...> ИЗЛУЧЕНИЯ Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ ИК ДИАПАЗОНА36 <...> , чем в случае использования диода ИК ди$ апазона. <...> диода ИК диапазона, следует прибегнуть к помощи поднесущей. <...> диодом ИК диапазона.

Предпросмотр: Инфракрасное излучение в электронике.pdf (12,0 Мб)
10

ИК излучающий диод с пиковой длиной волны порядка 1550 нм [Электронный ресурс] / КОГАН, КОЛЕСНИКОВ // Светотехника .— 2015 .— №6 .— С. 33-34 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/363053

Автор: КОГАН

Разработан ИК излучающий диод с длиной волны излучения (1550 ± 50) нм. Он характеризуется узким углом излучения (4–5о), осевой силой излучения 70–80 мВт/ср при токе 50 мА и предназначен для анализа газов, жидкостей и твёрдых веществ, контроля за влажностью, для применения в системах управления и в волоконно-оптических линиях связи.

ИК излучающий диод с длиной волны излучения (1550 ± 50) нм. <...> Ключевые слова: излучающий диод, ИК диод, спектр излучения, угол излучения, поток излучения, сила излучения <...> ИК излучающие диоды (ИКД) с пиковой длиной волны излучения λmax ≈ 1550 нм применяются в анализе газов <...> излучающий диод с пиковой длиной волны порядка 1550 нм Л.М. <...> Схематическая конструкция ИК излучающего диода (ИКД) У-190–1,5 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство

11

ПРОСТРАНСТВЕННОЕ ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ ВО ФЛИП-ЧИП ФОТОДИОДАХ НА ОСНОВЕ ДВОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР INASSBP/INAS [Электронный ресурс] / Закгейм [и др.] // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №2 .— С. 129-135 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591954

Автор: Закгейм

Проведены измерения и анализ пространственного распределения равновесного и неравновесного (в том числе люминесцентного) излучения в средневолновых ИК флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs (λmax = 3.4 мкм) с учетом конструктивных особенностей фотодиодов, включая отражательные свойства омических контактов. Сделана оценка увеличения оптической площади сбора фотонов за счет лучей, испытывающих многократные отражения внутри полупроводниковых чипов с различающимися геометрическими характеристиками

заряда; обе указанные особенности важны для получения низких значений темновых токов и барьерной емкости диодов <...> При этом можно отметить, что интенсивность ИК излучения (на рис. 1 это — цвет), отраженного от зеркала <...> практически совпадающим с нашими более ранними оценками коэффициента отражения от ГР контакт/полупроводник в диодах <...> (вверху) и горизонтального сечений (внизу), проходящих через центр мезы при токе через диод 4мкА. <...> Нулевой уровень интенсивности соответствует равновесному состоянию диода (U = 0, I = 0).

12

№5 [Успехи прикладной физики, 2018]

Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций. Основные разделы журнала: общая физика; физика плазмы и плазменные методы; электронные, ионные и лазерные пучки; фотоэлектроника; физическая аппаратура и её элементы; научная информация

излучения 422 Седнев М. <...> В настоящее время в ЦНИИ «Электрон» проводится разработка ГТП для регистрации ближнего ИК-излучения в <...> излучения В. <...> единицу длины периметра реального диода; S, P – площадь и длина периметра диода соответственно. <...> МЧТ, сигнал, генерированный излучением окружающего фона, сигнал, генерированный излучением входного

Предпросмотр: Успехи прикладной физики №5 2018.pdf (0,4 Мб)
13

№3 [Физика и техника полупроводников, 2017]

Фазовая модуляция излучения среднего ИК диапазона в структурах с двойными квантовыми ямами в продольном <...> В качестве источника среднего ИК излучения использовался штатный глобар спектрометра. <...> ZnO :Al : Er3+ происходит уменьшение фоточувствительности к видимому и ИК-излучению. <...> Для не легированных ионами Er3+ пленок ZnO фоточувствительность к ИК-излучению не наблюдалась. <...> наличие примеси Er3+ объясняет фоточувствительность ВФХ пленок ZnO к ИК-излучению.

Предпросмотр: Физика и техника полупроводников №3 2017.pdf (0,1 Мб)
14

Интересные радиолюбительские конструкции

Автор: Граф Рудольф Ф.
М.: ДМК-Пресс

Книга содержит множество разнообразных схем источников питания, усилителей, приемников и передатчиков, устройств бытовой электроники и автоматики, радиоизмерительных приборов, установок звуковых и световых эффектов. Даны технические характеристики рассматриваемых устройств; на схемах и в тексте указаны номиналы используемых элементов. Для каждой схемы приведена монтажная плата, для некоторых – разводка печатной платы.

. 43.7 На рисунке показана подробная принципиальная схема приемника ИК излучения. <...> Поэтому ИК излучение с передатчика формирует импульсы тока че* рез TR1. <...> Рис. 43.22Рис. 43.22Рис. 43.22Рис. 43.22Рис. 43.22 ИК излучение принимается модулем MOD1 на ИК светодиод <...> Предлагаемая схема приемника с использованием фотодиода D4 для улавли* вания ИК излучения представлена <...> В этой схеме потоки ИК*излучения, воспринятые фототранзисторами Q1 и Q2, преобразуются микросхемой U1

Предпросмотр: Интересные радиолюбительские конструкции.pdf (8,4 Мб)
15

№2 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2017]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

ИК-фурье-спектрометр Vector 22 (Bruker). <...> В результате проведенного анализа ИК-спектров получены следующие результаты. <...> Одним из таких факторов является геометрическое ослабление излучения. <...> Алгоритм кластеризации ключевых точек на изображениях ИК-диапазона // Изв. вузов. <...> Для изображений ИК-диапазона трудно предугадать количество имеющихся на них объектов.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №2 2017.pdf (1,0 Мб)
16

№1 [Вестник Томского государственного университета, 2005]

Журнал является мультидисциплинарным периодическим изданием. Первоначально (с 1889 г.) он выходил под названием «Известия Томского университета», затем - «Труды Томского государственного университета», в 1998 году издание университетского журнала было возобновлено уже под современным названием. В настоящее время выходит ежемесячно. Входит в Перечень ВАК.

ИК-диапазона на лавинном S-диоде. <...> импульс ИК-излучения с максимумом ~ 0,92 мкм [10, 13, 79]. <...> Мощные излучающие ИК-диоды. <...> Полуширина спектра излучения при токе 1 А составляет для ИК-диода 0,035 мкм и увеличивается до 0,05 мкм <...> ИК-диоды для волоконно-оптических линий связи.

Предпросмотр: Вестник Томского государственного университета №1 2005.pdf (0,7 Мб)
17

№5 (81) [Технологии в электронной промышленности, 2015]

«Технологии в электронной промышленности» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка печатных плат, о фирмах, работающих на рынке производства электроники. Тематически журнал охватывает все сферы производства печатных плат и ориентирован прежде всего на технологов и конструкторов, работающих в электронной промышленности.

средневолновым излучением В основе данной технологии лежит бескон‑ тактная ИК‑пайка с помощью ИК‑нагревателя <...> Средневолновое ИКизлучение равно‑ мерно распространяется вокруг нагревателя. <...> Недостатки систем ИК‑пайки средневолно‑ вым излучением: • ИК‑нагреватель обладает большой тепловой инерционностью <...> Технология ИК фокусной пайки основана на использовании коротковолнового видимо‑ го ИКизлучения, сфокусированного <...> В отличие от средне‑ волнового излучения ИКизлучение, исполь‑ зуемое при фокусной пайке, можно увидеть

Предпросмотр: Технологии в электронной промышленности №5 (81) 2015.pdf (0,4 Мб)
18

№6 [Полупроводниковая светотехника, 2012]

Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.

лазеры могли производиться только с использованием специальных кристаллов, которые преобразовывали ИК-излучение <...> Лазерный диод генерирует лазерное излучение при смещении p-n-перехода. <...> Многомодовый (multi-mode) лазерный диод генерирует излучение в нескольких поперечных режимах, что возможно <...> Для генерации зеленого излучения рекомендуется применять данный лазерный диод синего цвета в комбинации <...> Лазерный ИК-осветитель работает на длине волны 850 нм, имеет мощность излучения 150–600 мВт, регулируемый

Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №6 2012.pdf (0,7 Мб)
19

№5 [Успехи прикладной физики, 2016]

Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций. Основные разделы журнала: общая физика; физика плазмы и плазменные методы; электронные, ионные и лазерные пучки; фотоэлектроника; физическая аппаратура и её элементы; научная информация

соединение AlGaN, в части приема УФизлучения, обладает такими же свойствами, как КРТ, в части приема ИК-излучения <...> Спектральные характеристики светоизлучающих диодов с максимумами спектральной плотности излучения на <...> Следовательно, предпочтительнее использовать светоизлучающий диод с максимумом плотности потока излучения <...> излучение ИК-диапазона для подсветки исследуемых объектов [1]. <...> падающего на единичную площадь в фокальной плоскости ИК ФПУ к излучению с единичной площади от объекта

Предпросмотр: Успехи прикладной физики №5 2016.pdf (0,9 Мб)
20

Фотоответ дефектных фотоэлементов в матричных КРТ-фотоприёмниках с anti-debiasing подслоем [Электронный ресурс] / Васильев [и др.] // Прикладная физика .— 2016 .— №6 .— С. 55-60 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/561311

Автор: Васильев

Изучено влияние anti-debiasing подслоя на электрические характеристики и фотоответ дефектных и недефектных фотоэлементов в длинноволновых фотоприёмных устройствах (ФПУ) на основе материала кадмий-ртуть-теллур. Показано, что наиболее ярким следствием наличия в структуре фотоэлементов матрицы паразитного диода с p–n-переходом на границе фоточувствительной плёнки с anti-debiasing подслоем является возникновение отрицательного фотоответа дефектных фотоэлементов ФПУ.

PACS: 73.50.Pz; 73.61.Le; 85.60.Bt; 85.60.Gz Ключевые слова: матричные ИК-фотоприемники, материал кадмий-ртуть-теллур <...> подавления debiasing-эффекта, а также может использоваться как встроенный коротковолновой отрезающий фильтр ИК-излучения <...> Заметим еще, что часть излучения, проходящего через структуру, отражалась от металлической основы, на <...> Единственным отличием от измерений, описанных в [9, 10], являлось то обстоятельство, что источником излучения <...> Эффективный латеральный размер диода на легированном подслое для использованных ИК ФПУ составляет 500

21

Элементы оптоэлектроники

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

Учебное пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского государственного университета.

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ Цель работы: изучение физических принципов генерации излучения в светоизлучающих <...> Механизм излучения света в светоизлучающем диоде Длина волны фотонов, излучаемых при рекомбинации, определяется <...> Зависимость параметров излучения от длины волны называется спектральной характеристикой излучающего диода <...> Т а б л и ц а 1 ИК СИД, λ=900 нм Красный СИД, λ=660 нм Желтый СИД, λ=590 нм Зеленый СИД, λ=565 нм Синий <...> Т а б л и ц а 3 Световые характеристики фоторезистора ФСД-1 ИК СИД, λ = 900 нм Красный СИД, λ = 660 нм

Предпросмотр: Элементы оптоэлектроники.pdf (0,7 Мб)
22

№3 [Полупроводниковая светотехника, 2010]

Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.

ИК-диапазона. <...> Общеизвестно, что с ростом прямого тока интенсивность излучения мощных ИК-диодов растет сублинейно. <...> Излучающие ИК-диоды АЛ148А имеют достаточно высокое быстродействие. <...> С учетом специфики РБТ на основе диода АЛ148А возможна доработка излучающего ИК-диода для режима большого <...> Мощные высокоэффективные полупроводниковые источники излучения в красной и ближней ИК-областях спектра

Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №3 2010.pdf (1,4 Мб)
23

10 увлекательных проектов аналоговой электроники

Автор: Хернитер Марк Е.
М.: ДМК-Пресс

В этой книге рассматриваются несколько случаев и примеров разработки проектов, отобранных с одной, ярко выраженной целью, — продемонстрировать читателям несколько полезных стильных «штучек», которые могут быть созданы с использованием аналоговой техники. Подобные примеры поощряют далее изучать аналоговую электронику, а также демонстрируют, в каких областях техники аналоговая электроника все еще сохраняет свой немалый потенциал. В качестве примеров схемотехнических решений были выбраны: схема управления вентилятором, предназначенным для задувания пламени свечи, с использованием полупроводникового диода в качестве температурного датчика, датчик присутствия кровососущих летающих насекомых, использующий ИК-диод и фототранзистор, электрошок, развивающий напряжение на выходных электродах порядка 1 000 В при питании схемы от батареек с напряжением 18 В, схема умножителя напряжения, а также схема управления частотой вращения электродвигателя постоянного тока.

Источники ИКизлучения и их приемники ....................................................... 26 2.2. <...> Источники ИКизлучения и их приемники Мы будем использовать в качестве источника излучения светоизлучающий <...> диод (СИД), длина волны излучения которого лежит в ИК области спектра, а в качестве Copyright ОАО «ЦКБ <...> В случае, когда не существует никаких препятствий на пути распространения ИКизлучения между диодом <...> Однако, если между диодом и детектором ИКизлучения пролетает какое�нибудь насекомое, то оно будет затенять

Предпросмотр: 10 увлекательных проектов аналоговой электроники.pdf (8,1 Мб)
24

№4 [Известия Российской академии наук. Серия физическая, 2018]

Основан в 1936 г. специально для опубликования лучших научных материалов, доложенных на конференциях и симпозиумах, созываемых Президиумом и Отделением физических наук Академии наук. Публикуемые материалы охватывают широкий спектр различных направлений физики. Журнал является рецензируемым и включен в Перечень ВАК для опубликования работ соискателей ученых степеней.

Внизу приведены спектры излучения КЯ в ИК (слева) и видимом (справа) диапазонах. <...> Сравнение спектров ИКи 2Eg-излучения для областей без золотых наночастиц (кривая 1) и с наночастицами <...> Рис. 1 иллюстрирует спектры излучения ЭДЖ в видимом (2Eg) и инфракрасном (ИК) диапазонах при плотности <...> Спектры излучения в видимом (2Eg) и инфракрасном (ИК) диапазонах для структур с квантовыми ямами SiGe <...> На основе аппроксимации формы линии излучения ЭДЖ в ИКи видимом диапазонах одним набором параметров показано

Предпросмотр: Известия Российской академии наук. Серия физическая №4 2018.pdf (0,2 Мб)
25

Вопросы создания волоконных источников с повышенной стабильностью мощности и систем измерения параметров фотонно-кристаллических волокон [Электронный ресурс] / Леонов // Инженерный журнал: наука и инновации .— 2013 .— №9 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/276583

Автор: Леонов
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Рассмотрены вопросы создания перспективных волоконных источников с повышенной стабильностью выходной мощности и систем измерения параметров фотонно-кристаллических волокон (ФКВ). Разработан метод повышения стабильности выходной мощности за счет использования широких линий поглощения активного волокна. Представлены результаты исследований линий поглощений активных волокон, легированных ионами тулия. Проведено математическое моделирование дисперсионных характеристик ФКВ различного вида. Представлены результаты экспериментальных измерений дисперсионных характеристик на разработанном измерительном стенде и проведена верификация полученных результатов.

длине волны примерно 920 нм, что позволяет избежать возможного срыва генерации при изменении спектра диода <...> Также для накачки тулиевого лазера можно использовать лазерные диоды с длиной волны генерации 920 нм, <...> Схема волоконного тулиевого лазера с повышенной стабильностью выходной мощности: 1 — блок диодов накачки <...> Инженер НОЦ «Фотоника и ИК-техника» МГТУ им. Н.Э. <...> Инженер НОЦ «Фотоника и ИК-техника» МГТУ им. Н.Э.

26

ОТДЕЛЕНИЕ СЛАБО ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК N-GAN МИКРОННОЙ ТОЛЩИНЫ ОТ ПОДЛОЖЕК, ОСНОВАННОЕ НА ЭФФЕКТЕ ПОГЛОЩЕНИЯ ИК ИЗЛУЧЕНИЯ В САПФИРЕ [Электронный ресурс] / Вороненков [и др.] // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №1 .— С. 120-127 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591925

Автор: Вороненков

Сильное поглощение излучения СО2-лазера в сапфире использовано для отделения пленок GaN от темплейтов GaN на сапфире. Лазерное сканирование сапфировой подложки приводило к термической диссоциации GaN на интерфейсе GaN/сапфир и отделению пленки GaN от сапфира. Пороговая плотность энергии лазерного излучения, при которой начиналась диссоциация n-GaN, составила 1.6 ± 0.5 Дж/см2. Изучено распределение механических напряжений и поверхностная морфология пленок GaN и сапфировых подложек до и после лазерного отделения методами рамановской спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и растровой электронной микроскопии. Образец вертикального диода Шоттки с величиной плотности прямого тока 100 А/см2 при напряжении 2 B и максимальным обратным напряжением 150 В изготовлен на основе отделенной пленки n-GaN толщиной 9 мкм

Отделение слабо легированных пленок n-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК <...> Для этого проведено изучение возможности использования поглощения излучения ИК лазера в сапфире для локального <...> Энергетический порог диссоциации GaN на границе GaN/сапфир при поглощении ИК излучения в сапфире Сапфир <...> излучения. <...> ближнего ИК диапазона [15].

27

Нелинейные процессы СВЧ-электроники и когерентной оптики.

Перестраиваемые источники ИК-излучения на вынужденном комбинационном рассеянии Вынужденное комбинационное <...> Перестраиваемые источники ИК-излучения на вынужденном… 269 S→P→S или S→P→D. <...> Если в качестве входного используется излучение широкополосного лазера, то и ИК-излучение на выходе будет <...> переходах в HF при использовании в качестве источника накачки перестраиваемого по частоте ИК-излучения <...> Перестраиваемые источники ИК-излучения на вынужденном комбинационном рассеянии………… 268 3.13.

Предпросмотр: Нелинейные процессы СВЧ-электроники и когерентной оптики..pdf (0,7 Мб)
28

Энциклопедия электронных схем. Т. 6. Ч. II. Кн. 5

Автор: Граф Рудольф Ф.
М.: ДМК-Пресс

Вниманию читателей предлагается русский перевод американского издания «Encyclopedia of Electronic Circuits. Volume 6». В книге собраны принципиальные схемы и краткие описания различных электронных устройств, взятые составителями из фирменной документации и периодических изданий. Основное внимание уделено аналоговым и импульсным схемам. В русском издании исправлены ошибки и опечатки, присутствующие в оригинале. Часть II содержит более 300 схем и статей. В приложениях приведены некоторые справочные данные.

77 Детектор инфракрасного излучения лазера 77 Приемник инфракрасного излучения лазера со схемой ФАПЧ <...> излучение в апертуре. <...> * ющие сигналы ИК диапазона. <...> детектора лазерного излучения. <...> В этой схе� ме интенсивность ИК излучения, регистрируемого фототранзисторами Q1 и Q2, преобразуется операционным

Предпросмотр: Энциклопедия электронных схем. Том 6. Часть II. Книга 5.pdf (6,1 Мб)
29

Военно-техническая подготовка. Устройство РЛС РТВ ВВС. Радиолокационная станция П-18Р. В 2 ч. Ч. 1 учебник

Сиб. федер. ун-т

В учебнике изложены общие сведения о РЛС П-18Р, ее устройстве, принципах работы отдельных систем и блоков. Особое внимание уделено описанию физического смысла процессов, происходящих при работе систем РЛС. Работа отдельных систем и устройств рассмотрена в объеме структурных и функциональных схем, а в необходимых случаях дополнена и элементами принципиальных схем.

Устройство защиты выполнено на полупроводниковых p-i-n-диодах, которые, обладая обычными для диодов вентильными <...> Управление излучением РЛС. Для управления излучением РЛС служит переключатель М–ВЫКЛ.–НЕПР. <...> Мерцание излучением («Род М» – «Изл.»): • секторный режим излучения («Сектор»); • режим «1» («Темп М» <...> станции – «Излучение есть». <...> Выключение излучения РЛС № 1 производится с блока 102 тумблером ИЗЛУЧЕНИЕ 1, а РЛС №2 – тумблером ИЗЛУЧЕНИЕ

Предпросмотр: Военно-техническая подготовка. Устройство РЛС РТВ ВВС. Радиолокационная станция П-18Р. Ч. 1. .pdf (0,8 Мб)
30

Пайка SMD-компонентов диодным лазером [Электронный ресурс] / В. Ланин, Полищук // Технологии в электронной промышленности .— 2016 .— №3 (87) .— С. 51-55 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/451262

Автор: Ланин Владимир

В современных электронных модулях с поверхностным монтажом повышение плотности монтажных соединений вызывает необходимость применения высокопроизводительных и бесконтактных методов нагрева для пайки. Лазерное излучение, как самый мощный источник тепловой энергии, обладает уникальными особенностями высокой локальности воздействия и управляемости процессом нагрева. Для пайки электронных модулей с плотным поверхностным монтажом перспективно использование компактных и энергоэффективных лазерных диодных систем

Параллельными электродами Локальный +220…+250 0,3–0,5 индукционная Локальный +220…+400 1–3 Сфокусированным ик-излучением <...> отсутствие возгорания диэлектрической основы печатных плат, что наблюдается в процессе пайки сфокусированным ИК-излучением <...> Бесконтактный нагрев. • Энергия поглощения зависит от облучаемого материала. • область воздействия ик-излучения <...> Лазерным диодом область фокуса лазерного излучения • Бесконтактный нагрев. • область фокуса может быть <...> Лазерный диод мощностью 30 Вт Рис. 7.

31

СТРОИМ… ГОЛОГРАММУ [Электронный ресурс] / Акилов // Юный техник .— 2016 .— №4 .— С. 67-73 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/405334

Автор: Акилов

Нам подойдет одночастотный лазер, излучение которого имеет большую длину когерентности. Где его взять? Попробуйте раздобыть старенький пишущий DVD-привод (именно старенький, который можно разобрать).

Выбираем лазер Нам подойдет одночастотный лазер, излучение которо� го имеет большую длину когерентности <...> При записи голограммы не гонитесь за мощностью излучения лазерного диода! <...> мощностью излучения 35 мВт на длине волны 642 нм. <...> При включении ИК�лазера вы не увиди� те света, но его поражающая способность будет очень высокой. <...> Все очки для защиты от лазерного излучения делятся на два вида.

32

№6 [Автометрия, 2018]

Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы. В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: * анализ и синтез сигналов и изображений; * системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности; * вычислительные и информационно-измерительные системы; * физико-технические основы микро- и оптоэлектроники; * оптические информационные технологии; * моделирование в физико-технических исследованиях; * нанотехнологии в оптике и электронике. Журнал практикует выпуск специализированных номеров. Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией. Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”. Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.

Фотоэлектрические характеристики многоэлементных ИК ФПУ при регистрации точечных источников излучения <...> — длина волны излучения в вакууме. <...> Если попадание имело место, то регистрируются координаты диода. <...> Принадлежность диода выбранному фрагменту увеличивает счётчик этого диода, в противном случае увеличивается <...> Цифры в центрах ФЧЭ показывают номера диодов, а цифры внутри областей сканирования— номера диодов, сигнал

Предпросмотр: Автометрия №6 2018.pdf (0,2 Мб)
33

№5 [Полупроводниковая светотехника, 2013]

Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.

П ол уп ро во дн ик ов ая с ве то те хн ик а № 5 20 13 ре кл ам а № 5’2013 О К Т Я Б Р Ь ISSN 2079-9462 <...> Другое ограничение ИК-изображения кроется в обнаружении только поверхностного ИК-излучения, что не соответствует <...> комиссией (МЭК, IEC) разработала для ламп методы оценки и классификации рисков со стороны синего и ИК-излучений <...> менее известном Structured Light, а также использует осветительный блок на основе полупроводникового ИК-диода <...> мощности излучения ИК-лазеров считаются безопасными и обсуждение данного вопроса ведется уже давно,

Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №5 2013.pdf (0,4 Мб)
34

Изучение основных характеристик лазерной медицинской терапевтической аппаратуры на основе полупроводниковых лазеров метод. указания к выполнению лаб. работы по курсу «Лазерные медицинские системы»

Автор: Змиевской Г. Н.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Кратко изложены основные принципы работы лазеров, дан обзор их возможных медицинских применений, приведены сведения из теории полупроводниковых лазеров. Рассмотрены перспективы применений полупроводниковых и волоконных лазеров в медицине ближайшего будущего, их преимущества (высокий КПД, надежность, многофункциональность, малогабаритность, экономичность, электробезопасность и т.д.). Практическая часть посвящена исследованию геометрии пучка излучения лазерного терапевтического аппарата типа «Узор» и волоконно-диодного модуля ДЛ-l. Предложена методика измерения поперечных размеров излучающей площадки полупроводникового активного элемента и числовой апертуры волоконного световода. Даны контрольные вопросы для закрепления знаний и навыков,полученных в процессе выполнения лабораторной работы. Приведен список литературы для более углубленного изучения затронутых вопросов.

(280…315 нм) и мягкий УФ, ближний ИК (760…1400 нм); средний ИК (1400…3000 нм) и дальний ИК (более 3000 <...> гемоглобина, в ИК-области – из-за воды (рис. 1). <...> В среднем и дальнем ИК-диапазонах резко возрастает поглощение излучения водой и падает прозрачность большинства <...> Схема устройства излучающего элемента GaAs-лазера: 1 – подложка; 2 – зона p–n-перехода Лазерный диод <...> Положение изменилось с появлением мощных лазерных диодов, надежно работающих при комнатной температуре

Предпросмотр: Изучение основных характеристик лазерной медицинской терапевтической аппаратуры на основе полупроводниковых лазеров.pdf (0,3 Мб)
35

№5 [Прикладная физика, 2014]

Основан в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом. Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам. В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций. В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.

Согласно рассмотренной литературе, к настоящему времени удалось получить генерацию ИК-излучения в структурах <...> основе плазменного резонанса или взаимодействия плазменных резонансов, имеющих место как при воздействии ИК-излучения <...> ВАХ отдельных диодов структуры со сравнительно слабой связью между соседними диодами а б Рис. 4. <...> ВАХ диодов-пикселей структуры с сильной связью между соседними диодами Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & <...> также предъявляются достаточно жесткие требования в части качества изображения и степени пропускания ИК-излучения

Предпросмотр: Прикладная физика №5 2014.pdf (0,5 Мб)
36

№6 [Квантовая электроника, 2019]

Квантовая электроника — ведущий российский научный ежемесячный журнал в области лазеров и их применений, а также по связанным с ними тематикам. Издание основано Н.Г. Басовым в январе 1971 г. Индекcируется в базах данных Scopus и Web of Science.

рактеристик лазерных диодов могут быть менее заметны. <...> Задающий лазерный диод 1 с распределенной обратной связью и длиной волны излучения 1551 нм при ширине <...> В работе [31] исследована диссоциация ИК излучением кластеров UF6. <...> Размер пятна ИК излучения в центре пучка, определяемый двумя проходами излучения, соCopyright ОАО «ЦКБ <...> Излучение диода, на один из торцов которого нанесено просветляющее покрытие, поступало на асферическую

Предпросмотр: Квантовая электроника №6 2019.pdf (0,7 Мб)
37

Медицинские аспекты использования лазерных технологий: учебное пособие

Автор: Ермолина Татьяна Анатольевна
Северный (Арктический) федеральный университет имени М.В. Ломоносова

В учебном пособии рассмотрены виды взаимодействия лазерного излучения с живыми объектами, действие лазерного излучения на биоткань, применение лазеров в биомедицинской диагностике, терапии и хирургии, принцип работы лазера и свойства лазерного излучения. Приводятся различные типы лазеров, в том числе газовые, жидкостные, твердотельные, полупроводниковые, волоконные.

В рассматриваемых лазерах используются как поперечная накачка излучением линеек светоизлучающих диодов <...> Для линейки из семи лазерных диодов при подаче их излучения через волоконные световоды (ВС) на торец <...> Типичные схемы твердотельных лазеров с накачкой излучением лазерных диодов: а – монолитный АИГ:Nd-лазер <...> В сравнении с неодимом (при накачке лазерными диодами с длиной волны излучения 808 нм) нагрев материала <...> Наилучшие характеристики дают волоконные лазеры с накачкой излучением от лазерных диодов104.

Предпросмотр: Медицинские аспекты использования лазерных технологий учебное пособие.pdf (0,5 Мб)
38

№1 [Физика и техника полупроводников, 2017]

Ф из ик а и те хн ик а по лу пр ов од ни ко в. 2 01 7. Т . 5 1. В ы п. 1 . С . 1 – 14 4. <...> Экспериментальные результаты преобразования энергии излучения в электрическую энергию Для всех диодов <...> диодов, изготовленных на основе исследуемых структур, показали, что лазеры с выходом излучения через <...> Для этого проведено изучение возможности использования поглощения излучения ИК лазера в сапфире для локального <...> Энергетический порог диссоциации GaN на границе GaN/сапфир при поглощении ИК излучения в сапфире Сапфир

Предпросмотр: Физика и техника полупроводников №1 2017.pdf (0,2 Мб)
39

Электронные компоненты учеб. пособие

Сиб. федер. ун-т

Изложены краткие теоретические сведения об электронных компонентах. Приведена методика выполнения лабораторных работ по исследованию их характеристик.

В зависимости от длины волны (цвета) излучения cветоизлучающие диоды обычно выделяют на следующие группы <...> в инфракрасной области – ИК-диоды . <...> 91 Инжекционные светоизлучающие диоды имеют непосредственное излучение, а в светодиодах с антистоксовыми <...> используются следующие материалы: фосфид галлия, арсенид-фосфид галлия, карбид кремния, арсенид галлия (ИК-диоды <...> Наиболее высокий выход полезного излучения у ИК-диодов из арсенида галлия.

Предпросмотр: Электронные компоненты учебное пособие (гриф УМО).pdf (1,1 Мб)
40

№1 [Полупроводниковая светотехника, 2012]

Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.

LL4448 Диод RF 1 A, 900 В D2 Диод RF 1 A, 900 В D3 Диод RF 1 A, 900 В – Dr1 Феррит EPCOS Е25/13/7 G500 <...> Габариты, мм Масса, г НПП «Инжект» (Саратов) ИКО-1 805–811 1500 1300 12–28 15,6–36,4 1 153×87×53 ИКО- <...> диодов; θ — угол подсвета. <...> Замена прожекторов инфракрасного (ИК) излучения на лампах накаливания и газоразрядных лампах на унифицированный <...> ИК-осветители, основанные на лазерных диодах. http://infredviewers.ru. 25. Волков В. Г.

Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №1 2012.pdf (0,7 Мб)
41

№12 [Квантовая электроника, 2018]

Квантовая электроника — ведущий российский научный ежемесячный журнал в области лазеров и их применений, а также по связанным с ними тематикам. Издание основано Н.Г. Басовым в январе 1971 г. Индекcируется в базах данных Scopus и Web of Science.

При совместной накачке диодами, излучающими на длинах волн 975 и 915 нм авторы [14] получили излучение <...> Для многомодовой накачки применялись полупроводниковые диоды с длиной волны излучения 975 нм. <...> Излучение диода вводилось в активный световод с помощью двух линз. <...> Накачка осуществлялась через объединитель накачек излучением лазерного диода (ЛД) с длиной волны вблизи <...> Спектры РНП в ближнем ИК диапазоне регистрировались с помощью спектрометров на базе линеек диодов InGaAs

Предпросмотр: Квантовая электроника №12 2018.pdf (0,3 Мб)
42

Использование двумерной модели для описания диффузии носителей заряда в фоточувствительном слое матричных фотоприемников на основе HgCdTe [Электронный ресурс] / Вишняков [и др.] // Прикладная физика .— 2015 .— №1 .— С. 44-50 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/431909

Автор: Вишняков

Предложена двумерная диффузионная модель для анализа диффузии фотогенерированных носителей заряда в фоточувствительном слое матричных ИК-фотоприемников на основе материала HgCdTe с фотодиодной матрицей, выполненной по планарной технологии без изоляции пикселей канавками. Дан анализ погрешностей модели при описании результатов экспериментов по сканированию локального пятна засветки выбранным фотодиодом матрицы. Показано, что предложенная модель дает хорошее описание результатов сканирования при реалистичном значении локальной длины диффузии носителей заряда в области под фотодиодами матрицы.

ld eff в этой области ( / 1d eff d phl l k  ). 1 3 4 5 6 7 2 F ~10 см 8 9 б S Vcc Vg C = 1,22 пФ ИК-излучение <...> Согласно [5], длина поглощения ИК-излучения labsorp в ФП фотоприемников D-1 и D-2 на указанных длинах <...> Распределение интенсивности ИК-излучения в области пятна I(x), использовавшееся при последующем анализе <...> минус величина заглубления p—n-перехода в пленку ddeep ≈ ≈ 2—3 мкм минус длина порядка длины поглощения ИК-излучения <...> В результате этого локальный фототок на этом краю диода оказывается увеличенным по сравнению с моделью

43

Инфракрасный телевизионный прибор для анализа изображений [Электронный ресурс] / Гибин, Попов, Савков // Научный вестник Новосибирского государственного технического университета .— 2014 .— №1 .— С. 42-47 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/410963

Автор: Гибин

Рассмотрены вопросы создания приборов анализа изображений в ближнем инфракрасном диапазоне спектра. Разработан телевизионный прибор, обеспечивающий анализ изображений на просвет и на отражение в ИК области. Прибор может быть применен в криминалистике, искусствоведении, в научных исследованиях. Приведены результаты спектральных исследований анилиновых чернил. Показано, что они практически полностью прозрачны в ближней инфракрасной области спектра и непрозрачны в видимой области спектра. Выполнены эксперименты по выделению фрагментов изображений, залитых чернилами, исследованию изображений, запечатанных в конверт, анализу смешанных текстов, напечатанных совместно разными типами принтеров (лазерный, струйный). Назначение данного прибора – исследования документов и банкнот в отражённом или проходящем инфракрасном излучении. Изображение отображается на экране видеоконтрольного устройства. Прибор может быть использован для восстановления информации на испорченных документах; введения дополнительных степеней защиты документов и т. д. Разработанный прибор способен работать на «просвет» и на отражение. Отличатся надежностью и простотой, а также невысокой стоимостью в своем классе. Прибор показал свою эффективность. Может работать в качестве наблюдательного устройства в системах ночного наблюдения при необходимой ИК-подсветке.

) излучении. <...> видимой частях спектра, а также повышенной проникающей способностью ИК излучения в некоторых материалах <...> Схема оптическая На рис. 3 приведена оптическая схема прибора, где 1 – ТВ-модуль; 2 – объектив; 3 – диод <...> При работе ПКТ в отраженном свете излучение от диодов 3 отражается от поверхности наблюдаемого объекта <...> При работе ПКТ в проходящем свете излучение от диодов 4 выходит в окно светорассеивателя 6, проходит

44

№6 [Автометрия, 2015]

Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы. В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: * анализ и синтез сигналов и изображений; * системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности; * вычислительные и информационно-измерительные системы; * физико-технические основы микро- и оптоэлектроники; * оптические информационные технологии; * моделирование в физико-технических исследованиях; * нанотехнологии в оптике и электронике. Журнал практикует выпуск специализированных номеров. Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией. Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”. Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.

Модуляция излучения лазерного диода многоканальными цифровыми ТВсигналами 64-QAM и 256-QAM . . . . . <...> Т. 51, № 6 УДК 621.373.826 МОДУЛЯЦИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ДИОДА МНОГОКАНАЛЬНЫМИ ЦИФРОВЫМИ ТВ-СИГНАЛАМИ <...> Особенности создания матриц тепловых приёмников ИК-излучения. <...> Пироэлектрические приёмники ИК-излучения. <...> Модуляция излучения лазерного диода многоканальными цифровыми ТВ-сигналами 64-QAM и 256-QAM, том 51,

Предпросмотр: Автометрия №6 2015.pdf (0,3 Мб)
45

№8 [Радиоконструктор, 2008]

Журнал для радиолюбителей и профессионалов, рассматривающий вопросы радиолюбительского конструирования и ремонта электронной техники. Основные направления публикаций: аудио, видео, радиоприем, радиосвязь, измерения, охранные устройства, бытовая электроника, ремонт, автомобильная электроника, зарубежная электроника, справочники. Отлично подобранный и оформленный материал.

ИК-датчик работает на модулированном ИК-излучении, поэтому, он не реагирует на ИК-составляющие дневного <...> ИК-датчик отражения состоит из генератора модулированного излучения и фотоприемника. <...> Модулированное излучение ИК-светодиода направлено в сторону зоны контроля. <...> ИК-датчик работает на модулированном ИК-излучении, поэтому, он не реагирует на ИК-составляющие дневного <...> Модулированное излучение ИК-светодиода направлено в сторону зоны контроля.

Предпросмотр: Радиоконструктор №8 2008.pdf (0,3 Мб)
46

№6 [Успехи прикладной физики, 2018]

Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций. Основные разделы журнала: общая физика; физика плазмы и плазменные методы; электронные, ионные и лазерные пучки; фотоэлектроника; физическая аппаратура и её элементы; научная информация

Разработка и исследование импульсного источника ИК-излучения с разрядом в парах цезия: Автореф. дис…. <...> Электроны, генерированные ИК-излучением, из квазинейтральной области активного слоя 3 за счет диффузии <...> Показано, что минимальный уровень сигналов для точечных источников излучения в ИК ФПУ с сотовой топологией <...> Методы изменения потока излучения, попадающего на ФПУ от лазерных диодов такие же, как для светодиодов <...> Импульсные газоразрядные источники ИК-излучения для оптикоэлектронных систем (обзор) 4 333 Гамкрелидзе

Предпросмотр: Успехи прикладной физики №6 2018.pdf (0,6 Мб)
47

№2 [Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль, 2016]

Научно-производственный рецензируемый журнал на новой правовой основе (решение о его издании принято ФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет» и ОАО «Научно-исследовательский институт физических измерений») публикует материалы, представляющие результаты научных исследований: оригинальные статьи и тематические обзоры в области информатики, измерительной техники, автоматики, управления техническими системами, электроники, систем мониторинга, контроля и диагностики, а также других направлений исследований.

Таблица 1 ИК-диод Размер, мм Длина волны, нм Угол рассеивания, градусы Мощность, мВт Мощность излучения <...> Согласно технической документации ИК-диоды L-7113SF7C имеют типовую мощность излучения 40 мВт/стерадиан <...> Снизить нагрев ИК-диодов можно путем сокращения продолжительности работы подсветки, т.е. включать ИК-диоды <...> » 2016, № 2 (16) 141 Такое размещение ИК-диодов дает источник излучения с полным углом излучения  . <...> На рис. 2 показан полный угол излучения, образованный ИК-диодами, размещенными по кругу от объектива.

Предпросмотр: Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль №2 2016.pdf (0,5 Мб)
48

№8 [Квантовая электроника, 2018]

Квантовая электроника — ведущий российский научный ежемесячный журнал в области лазеров и их применений, а также по связанным с ними тематикам. Издание основано Н.Г. Басовым в январе 1971 г. Индекcируется в базах данных Scopus и Web of Science.

Кристалл Er : YLF накачивался по нормали к оптической оси резонатора излучением линейки лазерных диодов <...> Максимальная мощность излучения линейки лазерных диодов была 50 Вт. <...> Исследование углового распределения интенсивности излучения лазерного диода в дальней зоне в плоскости <...> Таким образом, излучение выходного торца лазерного диода формируется из излучений множества филаментов <...> Схема измерений параметров излучения ЛД во внешнем V-резонаторе: 1 – лазерный диод; 2 – цилиндрическая

Предпросмотр: Квантовая электроника №8 2018.pdf (0,2 Мб)
49

№5 [Физика и техника полупроводников, 2017]

В качестве регистратора ИК-излучения использовался фототранзистор ФР-1П, работающий в режиме регистрации <...> Спектры оптической плотности в ИК-области кристаллов ZnSe : Ti. <...> этих диодов. <...> При воздействии инфракрасным (ИК) излучением такой смены полярности фототока мы не наблюдали. <...> Ge диода.

Предпросмотр: Физика и техника полупроводников №5 2017.pdf (0,1 Мб)
50

№4 [Полупроводниковая светотехника, 2012]

Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.

П ол уп ро во дн ик ов ая с ве то те хн ик а № 4 20 12 ре кл ам а № 4’2012 С Е Н Т Я Б Р Ьw w w . l e <...> Обратная ветвь ВАХ диодов Cree определяется характеристикой диода Зенера (рис. 4). <...> При этом ЛЦ может по выбору пользователя излучать ближнее ИК-излучение на длине волны 830 нм (модель <...> В ЛЦ могут быть установлены ЛПИ с излучением ИК или видимой области спектра. <...> Лазерные модули красного, зеленого и ИК-диапазонов.

Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №4 2012.pdf (1,3 Мб)
Страницы: 1 2 3 ... 1236