ПОЛУЧЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ PECVD СЛОЕВ SiCNO: H ИЗ НОВОГО КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКОГО ПРЕДШЕСТВЕННИКА (726,00 руб.)

Первый автор	Ермакова
Авторы	Косинова М.Л.
Страниц	6

ID	952156
Аннотация	Методом плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы ( PECVD) получены диэлектрические слои SiCNO: H. Для синтеза выбран кислородсодержащий мономолекулярный предшественник 4- ( триметилсилил) морфолин, включающий кислород в составе фрагмента C–O–C. Показано влияние температуры осаждения на состав, химическое строение, морфологию поверхности и диэлектрические свойства пленок. Мeтодами ИК- и РФЭ- спектроскопии подтверждено наличие связей Si–C, Si–N, С–О и Si–CH3 в составе пленок, а также формирование новых фрагментов Si–CH2–Si и Si–O в процессе термически индуцированной сшивки полимера. Пленки являются перспективным диэлектрическим материалом, демонстрирующим значения диэлектрической проницаемости 3. 0–3. 4 и напряжения пробоя до 5·106 В/ см.

Ермакова, Е.Н. ПОЛУЧЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ PECVD СЛОЕВ SiCNO: H ИЗ НОВОГО КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКОГО ПРЕДШЕСТВЕННИКА / Е.Н. Ермакова, М.Л. Косинова // Химия высоких энергий .— 2026 .— №1 .— С. 106-111 .— URL: https://rucont.ru/efd/952156 (дата обращения: 15.04.2026)