ВЛИЯНИЕ ОТЖИГА НА ДЕФЕКТНУЮ СТРУКТУРУ И КИНЕТИКУ ГИБЕЛИ ФОТОГЕНЕРИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ХАЛЬКОПИРИТАХ CuGaSe2 и AgGaSe2 (726,00 руб.)

Первый автор	Ракитин
Авторы	Рабенок Е.В., Луценко Д.С., Кулеметьев И.Д., Станчик А.В., Гапанович М.В.
Страниц	7

ID	952143
Аннотация	В данной работе изучено влияние дополнительной стадии отжига в атмосфере селена порошков халькопиритов CuGaSe2 и AgGaSe2 на дефектную структуру и кинетику гибели фотогенерированных носителей тока. Показано, что дополнительный отжиг в парах селена влияет по- разному, в зависимости от состава порошков: для CuGaSe2 характерно изменение глубины ловушек, что приводит к некоторому уменьшению времен жизни фотогенерированных носителей тока, а для AgGaSe2 – уменьшение количества дефектов, что приводит к увеличению времен.

ВЛИЯНИЕ ОТЖИГА НА ДЕФЕКТНУЮ СТРУКТУРУ И КИНЕТИКУ ГИБЕЛИ ФОТОГЕНЕРИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ХАЛЬКОПИРИТАХ CuGaSe2 и AgGaSe2 / В.В. Ракитин [и др.] // Химия высоких энергий .— 2026 .— №1 .— С. 5-11 .— URL: https://rucont.ru/efd/952143 (дата обращения: 15.04.2026)