Закономерность снижения квантового выхода светодиодов с квантовыми ямами при длительном протекании тока с позиции модели АВС (880,00 руб.)

Первый автор	Маняхин
Авторы	Мокрецова Л.О.
Страниц	9

ID	880484
Аннотация	Проведён анализ работ по деградации светодиодов ( СД) с квантовыми ямами ( КЯ) . Предложена расчётная модель зависимости светового потока СД от времени протекания тока СД и его плотности, позволяющая прогнозировать срок службы этих излучателей при заданных электрических режимах и температуре. Показано, что: 1) падение квантового выхода СД с КЯ на основе широкозонных полупроводников при длительном протекании прямого тока происходит вследствие генерации точечных дефектов в области расположения КЯ; 2) точечные дефекты возникают в результате взаимодействия горячих электронов с атомами полупроводника вследствие их подпорогового смещения из узлов кристаллической решётки; 3) точечные дефекты создают в запрещённой зоне полупроводника безызлучательные рекомбинационные центры определённой концентрации, вследствие чего в КЯ и барьерах между КЯ происходит перераспределение интенсивностей рекомбинационных потоков в сторону безызлучательной компоненты в модели АВС.

Маняхин, Ф.И. Закономерность снижения квантового выхода светодиодов с квантовыми ямами при длительном протекании тока с позиции модели АВС / Ф.И. Маняхин, Л.О. Мокрецова // Светотехника .— 2021 .— №3 .— С. 29-37 .— URL: https://rucont.ru/efd/880484 (дата обращения: 17.04.2025)