AlGaInN полупроводниковый излучатель для накачки твердотельных лазеров (990,00 руб.)

Первый автор	Аладов
Авторы	Закгейм А.Л., Иванов А.Е., Черняков А.Е.
Страниц	8

ID	880034
Аннотация	Работа посвящена созданию и ис- следованию мощных AlGaInN свето- диодных излучателей с длиной вол- ны излучения 460–480 нм для накачки твердотельных лазеров. Исследованы электрические, спектральные, мощ- ностные и тепловые характеристи- ки в широком диапазоне токов, не- прерывном и импульсном режиме. Предложена конструкция светодиод- ных матриц, обеспечивающая плот- ную «упаковку» СД, их электриче- скую коммутацию и эффективный те- плоотвод, а также разработан блок питания на широкий импульсный ди- апазон. Разработанный излучатель собран на основе наиболее мощных и эф- фективных на сегодняшний день СД LE Q8W (Osram) и предназначен, в первую очередь, для накачки твер- дотельного лазера Ti: Sapphire, по- лоса поглощения, которого хорошо согласована со спектром излучения используемых СД. Достигнутая плот- ность мощности оптической накачки в импульсном режиме составляет ~ 25 Вт/мм2, что отвечает превышению порога генерации.

AlGaInN полупроводниковый излучатель для накачки твердотельных лазеров / А.В. Аладов [и др.] // Светотехника .— 2023 .— №5 .— С. 8-15 .— URL: https://rucont.ru/efd/880034 (дата обращения: 27.12.2025)