8 13 Антиэмиссионное покрытие на основе карбида циркония © А.А. Лисенков 1,Н.З. Ветров 2, Д.К. Кострин 3 1 Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург 2 ОАО ”С.Е.Д.-СПб“, Санкт-Петербург 3 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ”ЛЭТИ“ им. <...> В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург E-mail: LISran@yandex.ru Поступило в Редакцию 5 июля 2016 г. Основным требованием при формировании антиэмиссионного интерметаллического соединения Pt3Zr является наличие стехиометрического слоя карбида циркония ZrC, получаемого с помощью вакуумно-дугового источника плазмы. <...> Показана возможность получения покрытия ZrC в процессе отжига в вакууме многослоевого покрытия, состоящего из последовательно напыленных из плазмы вакуумно-дугового разряда нанослоев циркония (Zr),карбида циркония переменного состава (ZrC1−x ) и карбида циркония с избыточным содержанием углеродной фазы (ZrC+C). <...> 2017.08.44535.16399 Наряду с созданием эффективных эмиттерных систем разрабатываются системы, предназначенные для устранения или подавления паразитной термоэлектронной эмиссии с сеточных электродов, возникающей, например, в вакуумных электронных приборах при высоких эксплуатационных температурах. <...> В этом случае норма паразитной термоэлектронной эмиссии для большинства типов таких приборов с экранирующим сеточным электродом составляет 10−5 A/cm2. <...> Молибденовый или вольфрамовый сеточный электрод, располагающийся непосредственно в зоне электронного потока и вблизи от вольфрамового торированно-карбидированного катода с рабочей температурой 2100 K, должен обеспечивать высокое тепловое рассеивание и обладать малым коэффициентом вторичной эмиссии [1]. <...> 55 26 апреля 56 А.А. Лисенков, Н.З. Ветров, Д.К. Кострин С этой целью поверхность, способную создавать паразитную термоэлектронную эмиссию, покрывают специальными антиэмиссионными покрытиями, состоящими из сложных многослойных структур различных химических соединений [2,3]. <...> В [4] показано, что для мощных <...>