КИНЕТИКА СТУПЕНЧАТОЙ ОБЪЕМНОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ СТЕКОЛ AsSe1.5Snx (x U 0.28) Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. <...> С. М. Кирова, кафедра химии, Россия, 194021, Санкт-Петербург, Институтский пер., 5, e-mail: eshkolnikov@yandex.ru Исследована кинетика ступенчатых превращений при объемной изотермической кристаллизации полупроводниковых стекол AsSe1.5Snx (х = 0.13, 0.20, 0.28) в интервале температур 210—310 °С методами ЯГРС 119Sn, РФА, измерения плотности и микротвердости закаленных образцов. <...> Анализ кинетики валовой объемной кристаллизации стекол выполнен по данным измерения плотности с использованием уравнения Колмогорова—Аврами, обобщенного на ступенчатые и неполные изотермические превращения. <...> Ключевые слова: ступенчатая объемная термокристаллизация стекол, ситаллы, степень завершенности кристаллизации, кинетические параметры изотермической валовой кристаллизации, спектры ЯГР 119Sn, обобщенное уравнение Колмогорова—Аврами. <...> В работе [1] исследованы структурно-химические особенноcти стекол AsSe1.5Snx, склонных к равномерной объемной кристаллизации и образующих при х = 0.28 (10 ат. <...> % Sn) и при оптимальной термообработке полупроводниковые тонкодисперсные стеклокристаллы (ситаллы) с повышенной микротвердостью и широким диапазоном изменения электрических свойств [2]. <...> Спектры ядерного гамма-резонанса (ЯГР) на изотопе 119Sn и данные рентгенофазового анализа (РФА) указывали на превращение Sn(IV)®Sn(II) в таких стеклах с выделением первичной тонкодисперсной кристаллической фазы SnSe и вторичной основной кристаллической фазы As2Se3 [3]. <...> Полупроводниковое стекло стехиометрического состава As2Se3 при температурах значительно выше (на 80—200 °C) температуры стеклования Tg (174 ± 3 °С) кристаллизуется преимущественно с поверхности [4—6], как и многие халькогенидные [7] и оксидные [8] монолитные стекла и стеклопорошки. <...> Термокристаллизация стекла As2Se3, происходящая с сохранением структуры ближнего порядка, с повышением плотности на 3.6 % и понижением <...>