Cd Ориентационные изменения в кристаллических пленках ZnO на темплейтах AlN/-Al2O3 в результате термического воздействия А. Э. Муслимов, А. В. Буташин, И. С. Смирнов, Е. Г. Новоселова, А. М. Исмаилов, В. А. Бабаев, Е. А. Вовк, В. М. Каневский В данной работе предложена методика формирования бинарных пленок AlN и ZnO неполярных и полуполярных ориентаций на сапфире термохимическим и термическим методами, а также выполнена их характеризация дифракционными и микроскопическими методами. <...> Показано, что отжиг подложек сапфира с террасно-ступенчатой наноструктурой поверхности в восстановительной газовой среде при высокой температуре 1650 °С позволяет получать сплошные неполярные монокристаллическая пленка AlN с гексагональной структурой типа вюрцита. <...> Приведены результаты постростового отжига (1200 °С) поликристаллической пленки ZnO толщиной около 1 мкм, нанесенной на поверхность темплейта (11 2 0) AlN/ -Al2O3. <...> Анализ полюсных фигур рентгеновской дифракции демонстрирует формирование в результате постростового отжига текстурированной полуполярной пленки 10 11 ZnO. <...> Такая методика формирования неполярных и полуполярных пленок AlN и ZnO может найти широкое применение в пьезоэлетронике и оптоэлектронике. <...> Введение Технические устройства на основе таких полифункциональных кристаллов, как нитрид алюминия AlN и оксид цинка ZnO, относящихся к структурному типу вюрцита, находят сегодня широкое применение в самых различных областях [1, 2]. <...> Статья поступила в редакцию 21 декабря 2016 г. © Муслимов А. Э., Буташин А. В., Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Исмаилов А. М., Бабаев В. А., Вовк Е. А., Каневский В. М., 2017 верхностных акустических волнах (ПАВ) и в оптоэлектронике. <...> К примеру, использование комбинации эпитаксиальных пленок ZnO и AlN на подложках из сапфира может стать перспективной заменой таким распространенным материалам пьезоэлектроники, как кварц и ниобат лития, которые имеют ограниченные частотные диапазоны. <...> Подложка из центросимметричного <...>