54 К. Д. Кушкина, А. В. Назаров, А. А. Шемухин, А. П. Евсеев МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ УДК 539.534.9 PACS: 29.27.-a Влияние ионного облучения на проводимость пленок кремния К. Д. Кушкина, А. В. Назаров, А. А. Шемухин, А. П. Евсеев В работе проводилось облучение плёнок кремния ионами кремния с энергией 200–230 кэВ в температурном диапазоне от температуры жидкого азота до комнатной. <...> Показано, что с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния света можно проводить интегральный анализ качества кристалличности структуры после облучения, что значительно сокращает время исследования. <...> Изучено влияние ионного облучения на проводимость пленки кремния. <...> Введение Обычно пленки кремния на сапфире (КНС) создаются методом эпитаксиального газофазного осаждения кремния на монокристаллические сапфировые подложки. <...> Поэтому на сегодняшний день промышленностью налажен выпуск пленок кремния с толщиной эпитаксиального слоя 300 нм. <...> Для изготовления электронных приборов с высоким быстродействием по технологии кремний на сапфире толщина кремниевого слоя должна быть не более 100 нм. <...> В ряде работ показано [1–4], что улучшить качество кристалличности 300 нм пленки можно с помощью ионной имплантации и последующей твердофазной рекристаллизации от тонкой приповерхностной пленки, не разрушенной облучением. <...> При этом чаще всего облучение проводят при температуре жидкого азота. <...> Однако при последующем нагреве до комнатных температур в таких пленках могут возникать структурные напряжения, которые могут негативно сказываться Кушкина Ксения Дмитриевна, магистр. <...> E-mail: av.nazarov@physics.msu.ru Статья поступила в редакцию 21 декабря 2016 г. © Кушкина К. Д., Назаров А. В., Шемухин А. А., Евсеев А. П., 2017 на электрофизических характеристиках [6]. <...> Для этого необходимо увеличить энергию имплантации и разрушить границу раздела кремний-сапфир, для того чтобы исключить рекристаллизацию от сапфировой подложки. <...> Отметим, что образование дефектов, возникающих в массивном кремнии <...>