Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 571626)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Прикладная физика  / №2 2017

Влияние ионного облучения на проводимость пленок кремния (100,00 руб.)

0   0
Первый авторКушкина
АвторыНазаров А.В., Шемухин А.А., Евсеев А.П.
Страниц4
ID604729
АннотацияВ работе проводилось облучение плёнок кремния ионами кремния с энергией 200–230 кэВ в температурном диапазоне от температуры жидкого азота до комнатной. Показано, что с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния света можно проводить интегральный анализ качества кристалличности структуры после облучения, что значительно сокращает время исследования. Изучено влияние ионного облучения на проводимость пленки кремния
УДК539.534.9
Влияние ионного облучения на проводимость пленок кремния / К.Д. Кушкина [и др.] // Прикладная физика .— 2017 .— №2 .— С. 55-58 .— URL: https://rucont.ru/efd/604729 (дата обращения: 17.10.2021)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

54 К. Д. Кушкина, А. В. Назаров, А. А. Шемухин, А. П. Евсеев МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ УДК 539.534.9 PACS: 29.27.-a Влияние ионного облучения на проводимость пленок кремния К. Д. Кушкина, А. В. Назаров, А. А. Шемухин, А. П. Евсеев В работе проводилось облучение плёнок кремния ионами кремния с энергией 200–230 кэВ в температурном диапазоне от температуры жидкого азота до комнатной. <...> Показано, что с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния света можно проводить интегральный анализ качества кристалличности структуры после облучения, что значительно сокращает время исследования. <...> Изучено влияние ионного облучения на проводимость пленки кремния. <...> Введение Обычно пленки кремния на сапфире (КНС) создаются методом эпитаксиального газофазного осаждения кремния на монокристаллические сапфировые подложки. <...> Поэтому на сегодняшний день промышленностью налажен выпуск пленок кремния с толщиной эпитаксиального слоя 300 нм. <...> Для изготовления электронных приборов с высоким быстродействием по технологии кремний на сапфире толщина кремниевого слоя должна быть не более 100 нм. <...> В ряде работ показано [1–4], что улучшить качество кристалличности 300 нм пленки можно с помощью ионной имплантации и последующей твердофазной рекристаллизации от тонкой приповерхностной пленки, не разрушенной облучением. <...> При этом чаще всего облучение проводят при температуре жидкого азота. <...> Однако при последующем нагреве до комнатных температур в таких пленках могут возникать структурные напряжения, которые могут негативно сказываться Кушкина Ксения Дмитриевна, магистр. <...> E-mail: av.nazarov@physics.msu.ru Статья поступила в редакцию 21 декабря 2016 г. © Кушкина К. Д., Назаров А. В., Шемухин А. А., Евсеев А. П., 2017 на электрофизических характеристиках [6]. <...> Для этого необходимо увеличить энергию имплантации и разрушить границу раздела кремний-сапфир, для того чтобы исключить рекристаллизацию от сапфировой подложки. <...> Отметим, что образование дефектов, возникающих в массивном кремнии <...>