Прикладная физика, 2017, № 2 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.315 PACS: 81.05.-t Прецизионное травление тонких легированных слоев кремния А. Ю. Боровкова, Т. Н. Гришина, Е. С. Матюхина Проведен выбор состава травителя для прецизионного удаления тонкого высоколегированного геттерирующего слоя кремния. <...> Наиболее контролируемый процесс удаления обеспечивает травитель состава HNO3:HF:CH3COOH = 40:1:1. <...> Он позволяет при полном стравливании геттерирующего слоя сохранить требуемую толщину контактного слоя, предотвращающего выход области объемного заряда р п-перехода на тыльную поверхность базы фоточувствительного элемента, обеспечивая тем самым снижение величины темновых токов и увеличение процента выхода годных изделий. <...> Введение В процессе изготовления кремниевых p–i–nфоточувствительных элементов (ФЧЭ) возникает необходимость контролируемого стравливания тонкого высоколегированного геттерирующего слоя кремния, расположенного на тыльной стороне пластины. <...> В качестве исходного материала для изготовления ФЧЭ используется высокочистый кремний р-типа проводимости с удельным сопротивлением 1540 кОм см. На рабочей стороне пластины располагается фоточувствительная площадка n+-типа проводимости с защитной пленкой двуокиси кремния. <...> На тыльной стороне пластины – контактный слой р+-типа проводимости толщиной, примерно равной (7–8) мкм, и геттерирующий слой n+-типа проводимости, толщина которого не превышает 3 мкм. <...> Уровень легирования контактного слоя и его толщина выбираются из условий обеспечения омического контакта к базе ФЧЭ и предотвращения выхода области объемного заряда pnперехода (ОПЗ) на тыльную поверхность кристалла, где высока скорость поверхностной комбинации, которая определяет величину темнового тока ФЧЭ [1]. <...> E-mail: orion@orion-ir.ru Статья поступила в редакцию 22 марта 2017 г. © Боровкова А. Ю., Гришина Т. Н., Матюхина Е. С., 2017 щью слоя с нарушенной кристаллической структурой, создающегося диффузионным легированием фосфора <...>