Прикладная физика, 2017, № 2 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 535.215.1; 621.385.833.26 PACS: 06.32.73.85, 73.63.-b Рекомбинационные стоки в гетерофазных пленках CdS-PbS А. Г. Роках, М. И. Шишкин Спектр фотопроводимости сублимированных пленок квазимонополярных полупроводников CdS-PbS, в частности CdS(0,9)-PbS(0,1), не обнаруживает отрицательных участков (гашения) фотопроводимости, характерных для монокристаллов и пленок сульфида кадмия. <...> Такое отсутствие связано с наличием дополнительного канала рекомбинации, обусловленного стоком фотоносителей в узкозонную фазу, содержащую PbS, поскольку длина монополярной диффузии превышает расстояние между «стоками» (вкраплениями) узкозонной фазы, а также толщину пленки, поскольку стоки расположены в основном на её поверхности. <...> Ключевые слова: пленка CdS-PbS, квазимонополярный полупроводник, длина Дебая, гашение фотопроводимости, остаточная проводимость, узкозонная фаза, рекомбинационный сток, радиационная стойкость, время жизни электрона, время пролета электрона. <...> Введение 300 Освещение и инжекция носителей заряда способствует деградационным явлениям в полупроводниках, которые связаны с комплексными фотостимулированными процессами (фотоутомляемостью), в том числе перестройкой дефектов – центров рекомбинации. <...> Причинам возникновения фотоутомляемости в полупроводниках типа AIIBVI также уделялось внимание [2], в том числе и одним из авторов данной статьи [3, 10]. <...> Одним из проявлений фотоутомляемости в полупроводниках AIIBVI, в частности, в CdS, может быть гашение фотопроводимости в процессе исследования. <...> Спектр фотопроводимости сублимированных пленок ограниченных твердых растворов CdS(0,9)-PbS(0,1) (рис. <...> 1 и 2) не обнаруживает отрицательных участков (гашения) фотопроводимости, как это имеет место для монокристаллов и пленок сульфида кадмия (рис. <...> Интерпретация этого факта без подробных исследований уже была использована для объяснения радиационной стойкости пленок СdS-PbS [3], а также при обсуждении механизма аномального <...>