Прикладная физика, 2017, № 2 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 535.247 Влияние толщины контактного слоя алюминия на шумовые параметры планарных кремниевых фотодиодов В. П. Астахов, П. Д. Гиндин, В. В. Карпов, К. А. Кузьмина, С. А. Леготин, Г. В. Чеканова В работе рассмотрены пути снижения уровней шумовых тока и напряжения планарных кремниевых фотодиодов, работающих в фотовольтаическом режиме. <...> Экспериментально получены и обсуждаются зависимости шумовых параметров таких фотодиодов от толщины слоя Al контактной системы. <...> Показана возможность улучшения шумовых свойств фотодиодов за счёт увеличения толщины слоя выше критического значения, определяемого глубиной контактного окна. <...> Введение В ряде важных применений кремниевых фотодиодов (ФД), например, в системах отображения рельефа поверхности при низких уровнях засветки, ФД включаются в фотовольтаическом режиме. <...> В этом случае к ним предъявляются требования по квантовой эффективности не ниже значения (6070) %, по достаточно низкому уровню темнового тока Iт при рабочем смещении 10–20 мВ (например, 10-12 А), определяющего, в конечном итоге, предельный шумовой ток [1], который рассчитывается по формуле: IeI шт 2, (1) где е – элементарный заряд, а также необходимо обеспечить низкий уровень шумового напряжения Uш при фотовольтаическом включении. <...> Статья поступила в редакцию 28 февраля 2017 г. © Астахов В. П., Гиндин П. Д., Карпов В. В., Кузьмина К. А., Леготин С. А., Чеканова Г. В., 2017 К малошумящим ФД предъявляются также требования работоспособности в нормальных условиях, а также при повышенной, например, до 70 оС, температуре среды с небольшим ухудшением параметров в последнем случае. <...> Для многоплощадочных ФД одним из важнейших требований является крайне незначительный разброс по площадкам значений шумовых параметров при заданных температурах среды. <...> Для достижения минимальных значений Iт утечки удается получать в случае планарных p+–nпереходов, которые и принимают за основу малошумящих <...>